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[发明专利]衬底用抛光垫及抛光装置及其抛光工艺-CN202111012634.5在审
发明人： 萧尊贺;陈李彪;宋淀垣;谢斌晖 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： B24B37/20 文献下载
摘要：一种衬底用抛光垫，其材质为高分子材料，邵氏硬度为70‑75，厚度为2‑3mm，采用所述抛光垫及其抛光装置对衬底进行抛光作业，可降低衬底表面损伤层深度，提高抛光对于平坦度的修复能力，进一步降低衬底抛光后的平坦度数值。
衬底抛光装置及其工艺

[发明专利]一种高稳定性衬底的加工工艺-CN201910827453.4有效
发明人：宋淀垣;陈李彪;谢斌辉;萧尊贺 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明公开了一种高稳定性衬底的加工工艺，包括外齿圈、太阳轮、行星轮夹具和磨盘，包括以下步骤：a、首先将蓝宝石衬底正面靠在研磨盘上；b、将蓝宝石衬底以60rpm/min的速度用行星轮夹具单方向转动研磨；c、通过控制器，使其能够实现正反转切换；d、以正转进行研磨，正转大边数值会慢慢变大，以反转进行研磨则大边数值会慢慢变小；e、设置正转时间和反转时间；f、通过设置外齿圈和太阳轮的转速确定正转和反转速比；g、进行正反转切换研磨；h、对研磨后的衬底放入超声波清洗机进行清洗。采用上述方案后，本发明提供的一种高稳定性衬底的加工工艺，可有效提升研磨盘的寿命和提高衬底平坦度。
一种稳定性衬底加工工艺

[发明专利]一种用于制作光电半导体芯片的方法及其所使用的键合晶圆-CN201980004714.0在审
发明人：谢斌晖;陈铭欣;萧尊贺;郑贤良;宋志棠;刘卫丽 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于制作光电半导体芯片的方法及其所使用的键合晶圆，晶圆材料包括蓝宝石、碳化硅、砷化镓等用于外延（epitaxy）的晶圆。此方法将传统晶圆分成母晶圆、子晶圆，运用适当的键合技术将母晶圆与子晶圆键合后，能耐外延时约1000度的高温与应力产生的翘曲变化；外延后使用非物理破坏方式解开键合。母晶圆可以循环使用，子晶圆与外延层直接用于芯片制程，不需要减薄或少量减薄，解决了大尺寸外延晶圆的原材料与芯片加工成本问题，并得到波长均匀性更好的外延片。
一种用于制作光电半导体芯片方法及其使用键合晶圆

[发明专利]一种提升蓝宝石衬底平坦度的工艺-CN201910827440.7在审
发明人：宋淀垣;陈李彪;谢斌辉;萧尊贺 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升蓝宝石衬底平坦度的工艺，其特征在于：具体步骤如下：(1)第一次清洗，将晶片放入超声波清洗槽里；(2)第一次研磨，将清洗干净的晶片放入研磨机中，加入研磨液；(3)第二次清洗，将第一次研磨后的晶片放入超声波清洗槽内，加入清洗液，超声震洗15min；(4)退火，将晶片放入退火室，使用快速升温降温炉采用1150°的高温持续30min的退火，而后调整温度使其降至室温；(5)第二次研磨，将退火后的晶片固定在陶瓷盘上，放入研磨机。采用上述方案后，本发明提供的一种提升蓝宝石衬底平坦度的工艺，通过调整研磨过程中上下盘的转速比，使得晶片上面移除量趋于一致以达到最佳修复性。
放入晶片研磨退火超声波清洗槽清洗蓝宝石平坦度研磨机衬底晶片固定快速升温降温炉清洗液陶瓷盘退火室修复性研磨液转速比超声下盘移除