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[发明专利]一种MEMS微镜阵列的制备方法及微镜-CN202311193462.5在审
发明人：李亚雷;温赛赛;仇旭萍;张裕华 -专利权人： 苏州亿波达光电子科技有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种MEMS微镜阵列的制备方法，包括如下步骤：S1、在读出电路板表面设置基板；S2、在基板表面沉积牺牲层，并在牺牲层表面刻蚀通孔；S3、在牺牲层表面沉积与读出电路板连接的镜面，得到MEMS微镜；S4、刻蚀MEMS微镜得到阵列化排布的微镜单元；S5、去除牺牲层，得到MEMS微镜阵列。本方法通过读出电路板与每个微镜单元的独立连接实现了其阵列化设置，每个微镜单元均能够独立控制其偏转，可在较小的静电驱动力作用下满足所需的偏转角度，提高了产品的使用灵活程度及效果，此外，本方法通过牺牲层的设置制备出扭转刚度较小的微镜阵列，并提高了镜面的填充率，使微镜单元可呈现出更佳的成像效果。
一种 mems 阵列制备方法

[发明专利]小体积的氢气传感器及其加工方法-CN202310762183.X在审
发明人：宫美梅;温赛赛 -专利权人： 苏州亿波达光电子科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种小体积的氢气传感器及其加工方法，包括：惠斯通电桥，所述惠斯通电桥包括：催化组件，所述催化组件包括两个阻值相同的催化电阻，其中一个所述催化电阻暴露在空气中，在预设温度范围内催化氢气产热；参考组件，其提供参考信号，所述参考组件包括两个阻值相同的掺杂参考电阻，所述掺杂参考电阻的阻值为催化电阻的100‑1000倍。其结构小巧，工艺难度低，节约工艺成本。
体积氢气传感器及其加工方法

[发明专利]一种感测元件及压力传感器-CN202310514513.3有效
发明人：温赛赛;邢昆山 -专利权人： 苏州亿波达光电子科技有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种感测元件及压力传感器，其中感测元件包括：衬底，在其厚度方向具有相对的第一表面和第二表面；衬底设有至少一个压敏电阻区，压敏电阻区靠近第一表面，压敏电阻区具有压敏电阻连接区，压敏电阻连接区电接触至少两个接触区；至少一个保护层，覆盖于衬底的第一表面；至少一个第一保护环，位于压敏电阻区和衬底的第二表面之间；至少一个第二保护环，设于衬底内，且位于保护层和第一保护环之间；屏蔽层，设置在保护层的表面或者设置在保护层和压敏电阻区之间；其中，第一保护环、第二保护环和屏蔽层中的至少一个通过接触区和外电路连接。本发明规避衬底产生的游离电荷对压阻区域的影响，提高压力传感器的精度和长期稳定性。
一种元件压力传感器

[发明专利]感测元件及压力传感器-CN202310514446.5有效
发明人：温赛赛;邢昆山 -专利权人： 苏州亿波达光电子科技有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种感测元件及压力传感器，其中感测元件包括第一衬底，第二衬底，覆盖于第一衬底；第二衬底内设有至少一个压敏电阻区，压敏电阻区靠近第二衬底的上表面，压敏电阻区具有压敏电阻连接区，压敏电阻连接区电接触接触区；至少一个保护层，覆盖于第二衬底的上表面；至少一个保护环，设于第二衬底内，且压敏电阻区和压敏电阻连接区位于保护环内侧；屏蔽层，设置在保护层的表面或者设置在保护层和压敏电阻区之间；其中，第一衬底、保护环和屏蔽层中的至少一个通过接触区和外电路连接。本发明规避衬底产生的游离电荷对压阻区域的影响，提高压力传感器的精度和长期稳定性。
元件压力传感器

[发明专利]一种石英晶体谐振器及其制造方法-CN202111516161.2有效
发明人：李京波;韩理想;谢亮;康俊 -专利权人： 苏州亿波达光电子科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H03H9/215 文献下载
摘要：本发明涉及一种石英晶体谐振器，包括振动部和基部，振动部呈音叉状，振动部包括第一振动臂和第二振动臂，第一振动臂与第二振动臂交接处与基部连接；第一振动臂与第二振动臂的端部均设置有调频部，第一振动臂与第二振动臂上对称设置有通孔，通孔在第一振动臂与第二振动臂上沿轴向阵列分布；第一振动臂与第二振动臂上设置有激励电极。本发明的结构相比现有技术，能够产生更多的横向水平方向的电场，电场效率高，有较好的压电效率，使谐振器有优良的质量因子Q值；其次方形孔的结构简单且刚性强，制造工艺简单，对蚀刻精度要求低。
一种石英晶体谐振器及其制造方法

[实用新型]高频AT切晶振及系统-CN202221389078.3有效
发明人：南琦 -专利权人： 苏州亿波达光电子科技有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了高频AT切晶振及系统，包括基板，所述基板的一端设有连接部，所述基板的另一端设有振动部，且所述振动部与所述连接部连接，且所述振动部的厚度尺寸小于所述连接部的厚度尺寸；电极组件，包括激励电极、延伸电极，所述激励电极分别设于所述振动部的两端，且与所述延伸电极连接；所述延伸电极分别设于所述连接部的两侧。本实用新型既能够减少基板其他部位对振动部的干扰，又能够提高所述振动部的振动频率。
高频 at 切晶振系统

[发明专利]一种石英音叉谐振器及其制备方法-CN202111356787.1有效
发明人：李京波;韩理想;谢亮;康俊;高伟 -专利权人： 苏州亿波达光电子科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H03H9/215 文献下载
摘要：本发明公开了一种石英音叉谐振器及其制备方法，其中石英音叉谐振器包括基部和设置在基部上的振动臂；所述振动臂上设有一组上凹槽和一组下凹槽，所述上凹槽和下凹槽分别设置在振动臂上相对的两个侧面上，所述上凹槽和下凹槽在振动臂的长度方向上和宽度方向上均交替设置。本发明的谐振器结构能够降低石英音叉谐振器晶体阻抗CI值，从而提高石英音叉谐振器性能的稳定性，该石英音叉谐振器的制备方法，采用干法刻蚀工艺，同时，先形成上凹槽和下凹槽，再进行刻蚀形成两个振动臂结构，之后形成相互隔离的电极，该方法精度高，工艺流程少，成本低，有效保证产品的质量，可广泛应用于石英音叉谐振器生产和加工的技术领域。
一种石英音叉谐振器及其制备方法