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[发明专利]一种基于信用同步的信用回馈方法及装置-CN202110445811.2有效
发明人：黄国华;胡舒凯;施得君;陈伟健;朱梦婷;刘国鑫 -专利权人：无锡江南计算技术研究所
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于信用同步的信用回馈方法及装置，包括获取收发双方的响应等待时间，判断所述响应等待时间是否超过复位等待阈值；当所述响应等待时间超过复位等待阈值时，通过信用同步机制完成首次双边信用匹配，实现双边信用同步；在完成首次双边信用匹配之后，在持续运行时间段内定时进行信用巡检；其中，收发双方的响应等待时间为无可用信用时的等待时长。本发明通过特定数据链路包交互，实现双边性同步，可以有效避免单芯片初始化导致网络层数据包丢弃问题，同时也能解决运行过程中因为各种原因导致信用坍缩恢复等问题。
一种基于信用同步回馈方法装置

[发明专利]一种面向高阶路由器芯片的高效并行管理方法及架构-CN201910869890.2有效
发明人：施得君;姚玉良;黄国华;崔晓阳;祝亚斌;胡舒凯 -专利权人：无锡江南计算技术研究所
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H04L12/771 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向高阶路由器芯片的高效并行管理方法及架构，包括：将路由器的端口分为多个组别；管理请求下发时，由总管部件将管理请求并行推送至各个组别，然后由各个组别采用串推的方式将管理请求推送至其组别内的各个端口；管理应答返回时，由各个组别按端口顺序收集其组别内各个端口的管理应答，然后各个组别按照其组别顺序将其收集的所有管理应答返回至总管部件。本发明能够硬件实现同时对多个端口维护管理，能够节省大量交互时间，有效提高片上维护管理效率。
一种面向路由器芯片高效并行管理方法架构

[发明专利]一种面向高性能计算的高可靠泛树网络拓扑方法及结构-CN201910862750.2有效
发明人：高剑刚;姚玉良;卢宏生;胡舒凯;黄国华;宋新亮 -专利权人：无锡江南计算技术研究所
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H04L12/24 文献下载
摘要：一种面向高性能计算的高可靠泛树网络拓扑方法及结构，属于高性能计算机网络技术领域。本发明的方法包括：利用多端口的路由器交换芯片，构建多层胖树网络结构；根据需要，对同一层的路由器交换芯片进行端口直连。本发明的结构包括由多个多端口的路由器构建的多层胖树网络结构，至少一层上的多个路由器的交换芯片端口直连。本发明能够有效避免普通树形网络下行路径无法容错的问题，从而提升网络的可靠性。
一种面向性能计算可靠网络拓扑方法结构

[发明专利]一种融合自适应和确定性路由算法的分级路由方法及装置-CN201910862763.X在审
发明人：姚玉良;黄国华;胡舒凯;卢宏生;路文斌;李瑛 -专利权人：无锡江南计算技术研究所
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H04L12/741 文献下载
摘要：一种融合自适应和确定性路由算法的分级路由方法及装置，属于高性能计算机路由芯片技术领域。本发明的方法包括：在路由器芯片的每个端口设置一份分级路由表；将分级路由表按照网络拓扑的层次聚类原则分为多个级数路由表；根据具体的路由包，查找相应层次的级数路由表。本发明的装置包括由多个路由器构建的树形网络拓扑结构，路由器芯片的每个端口均设有分级路由表，分级路由表按照网络拓扑的层次聚类原则分为多个级数路由表。本发明能够有效确保路由查表效率，同时占用较少的芯片存储资源。
路由表分级路由器芯片层次聚类网络拓扑路由树形网络拓扑结构高性能计算机多个路由器端口设置路由算法路由芯片芯片存储路由包自适应查表构建确定性占用查找融合

[发明专利]一种基于双滑动窗口的链路重传方法及装置-CN201910862949.5在审
发明人： 胡舒凯;黄国华;宋新亮;施得君;虞美兰;李瑛 -专利权人：无锡江南计算技术研究所
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H04L1/16 文献下载
摘要：一种基于双滑动窗口的链路重传方法及装置，属于高性能计算机网络领域链路层设计技术领域。本发明的方法包括：发送方维持一个发送窗口，对每一个进入链路层的数据包分配一个序列号；发送方维持一个重传类型窗口，对每一个进入链路层的数据包分配一个重传类型标记；接收方维持一个接收窗口，根据对接收到的数据包的校验情况，返回肯定或否定应答，以及数据包的序列号和数据包携带的重传类型标记；发送方接收到应答后，若收到肯定应答，则释放已确认的窗口空间；若在一定时间内未收到肯定应答，则从第一个未被肯定应答的数据包开始重传。本发明有效解决了应答包丢失、连续重传带来的应答不明确等问题，可及时正确启动重传，提高链路利用率。
重传肯定应答发送方链路层数据包数据包分配应答计算机网络领域设计技术领域链路利用率数据包携带窗口空间发送窗口否定应答滑动窗口接收窗口有效解决校验接收方应答包链路释放返回

[实用新型]下吸式柴煤两用气化锅炉-CN201320293479.3有效
发明人：魏广廷;魏泓;魏杰;周泽艳;高天红;曹立娜;胡舒凯 -专利权人：魏广廷
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： F23B10/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种下吸式柴煤两用气化锅炉，它包括水套炉体，水套炉体内由隔墙分成并列的气化室和燃烧室，气化室的下部是炉箅子和落灰室，在隔墙的底部有贯穿气化室和燃烧室的过火口。在气化室经过高温气化和底部初步燃烧的烟气顺畅地通过过火口进入燃烧室，在燃烧室足够的燃烧空间里有氧燃烧，火力猛。该炉还具有结构合理，气化稳定，供氧充足，运行成本低，热效率高的优点。
下吸式柴煤两用气化锅炉

[实用新型]多功能柴煤两用节能炉灶-CN201320293470.2有效
发明人：魏广廷;魏泓;魏杰;谷振强;周泽艳;高天红;曹立娜;胡舒凯 -专利权人：魏广廷
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： F24B1/183 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多功能柴煤两用节能炉灶，它包括下燃烧室、中燃烧室、上燃烧室和烟筒，中燃烧室比上燃烧室和下燃烧室窄，下燃烧室、中燃烧室和上燃烧室的周围是水套；上燃烧室的上面是锅台面侧面有观火口，锅台面上有坐锅口；中燃烧室和上燃烧室之间有隔层，隔层上有过火口和过火口挡板；中燃烧室的下面有中炉箅子侧面有炉门口和炉门；下燃烧室的下面有下炉箅子侧面有炉门口和炉门；中燃烧室和上燃烧室的出烟口连通烟筒。它具有煮饭炒菜、暖炕和给室内水暖散热器加热功能，而且结构简单、热效率高，烧煤烧柴都适合，适宜在农村牧区家庭使用。
多功能两用节能炉灶

[发明专利]18颗粒任意位宽存储接口的单颗粒容错方法-CN201210423061.X有效
发明人：高剑刚;徐江川;姚玉良;宋新亮;吴智;施得君;胡舒凯 -专利权人：无锡江南计算技术研究所
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：一种18颗粒任意位宽存储接口的单颗粒容错方法，包括：采用256+32编码形式的纠错编码矩阵，并采用数据纵向积累校验字的方式进行校验；其中，纠错编码矩阵包括288行32列，其中纠错编码矩阵自上而下分为18个子矩阵，每个子矩阵包括16行32列；其中，在用Hi表示纠错编码矩阵的第i行、用Erj和Eri以及Ebi和Ebj表示单位矩阵情况下，纠错编码矩阵H满足以下3个条件：第一，任意子矩阵内各行向量线性不相关；第二，任意两个子矩阵满足Hi*Eri!=Hj*Erj(i!=j),Erj和Eri的取值范围为{1,2,3,4,5,6,…255}；第三，任意三个子矩阵满足Hi*Ebi+Hj*Ebj!=Hk*Erk(i!=j),Ebi，Ebj取值范围为{1,2,4,8,16,32,…128}。本发明提供了一种能够针对18片任意位宽颗粒的存储接口提供单颗粒容错能力、且能高效检出双颗粒故障的单颗粒容错方法。
18 颗粒任意存储接口容错方法

[发明专利]半导体元件的嵌入式金属散热座及其制造方法-CN200610140721.8无效
发明人：苏炎坤;陈冠群;林俊良;黄金泉;胡舒凯 -专利权人：苏炎坤;陈冠群;林俊良;黄金泉;胡舒凯
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件的嵌入式金属散热座及其制造方法。本半导体元件的嵌入式金属散热座至少包括：一金属薄层，具有相对的第一表面以及第二表面，其中至少一半导体元件嵌设在金属薄层的第一表面中，且半导体元件具有电性相反的二电极；一金属散热座，接合于金属薄层的第二表面；以及二电极垫，设在半导体元件周围的金属薄层的第一表面上，并分别对应于上述的电极，其中这些电极通过至少二导线而分别与对应的电极垫电性连接，且这些电极垫与一外部电路电性连接。
半导体元件嵌入式金属散热及其制造方法

[发明专利]半导体元件的散热座的制造方法-CN200610140720.3无效
发明人：苏炎坤;陈冠群;林俊良;黄金泉;胡舒凯 -专利权人：苏炎坤;陈冠群;林俊良;黄金泉;胡舒凯
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件的散热座的制造方法。在本方法中，先提供一胶带，其中此胶带具有相对的第一表面以及第二表面，且此胶带的第一表面粘贴于一暂时基板的一表面上。再提供至少一半导体元件，其中此半导体元件具有相对的第一侧以及第二侧，且此半导体元件的第一侧压设于胶带的第二表面的一部分中，并使此半导体元件的第二侧暴露出。接下来，形成一金属薄层于半导体元件的第二侧以及胶带的第二表面的暴露部分上。接着，形成一金属散热座于金属薄层上。然后，移除胶带与暂时基板。
半导体元件散热制造方法

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