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[实用新型]一种玻璃组件-CN202222159476.2有效
发明人： 胡兴微;蒋玉东;余强 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B32B17/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及玻璃技术领域，特别地涉及一种玻璃组件。本实用新型公开了一种玻璃组件，包括透明的第一玻璃基板、第一胶片层、柔性碲化镉硒基太阳能组件层、第二胶片层和第二玻璃基板；第一玻璃基板、第一胶片层、柔性碲化镉硒基太阳能组件层、第二胶片层和第二玻璃基板依次层叠设置。本实用新型具有隔热保温、全部区域透明和发电功能。
一种玻璃组件

[发明专利]一种玻璃组件-CN202210984601.5在审
发明人： 胡兴微;蒋玉东;余强 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B32B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及玻璃技术领域，特别地涉及一种玻璃组件。本发明公开了一种玻璃组件，包括透明的第一玻璃基板、第一胶片层、柔性碲化镉硒基太阳能组件层、第二胶片层和第二玻璃基板；第一玻璃基板、第一胶片层、柔性碲化镉硒基太阳能组件层、第二胶片层和第二玻璃基板依次层叠设置。本发明具有隔热保温、全部区域透明和发电功能。
一种玻璃组件

[发明专利]固态硬盘存储单元修复系统-CN201910024372.0有效
发明人： 胡兴微 -专利权人：宁波智研信息技术有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种固态硬盘存储单元修复系统，解决了现有固态硬盘修复流程繁琐且成本高的问题，其技术方案要点是，当固态硬盘上电后，若信号线接收到修复信号，辅助模块向主控模块控制脚发送修复指令或信号，以使主控模块进入修复模式；反之，若信号线未接收到修复信号，辅助模块截断主控模块控制脚，以使主控模块进入正常工作模式，本发明的固态硬盘存储单元修复系统，辅助模块能够向主控模块控制脚发送修复指令或信号，以决定主控模块是否进入修复模式；物理接口为外部设备连接固态硬盘内部的唯一通道，通过集成于物理接口内的信号线对辅助模块发送修复信号，使维修人员无需拆壳就能控制固态硬盘进入维修模式，降低硬盘外壳损耗率及维修成本。
固态硬盘存储单元修复系统

[实用新型]一种真空溅射镀膜装置-CN202020830578.0有效
发明人： 胡兴微;蒋玉东 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及真空镀膜技术领域。本实用新型公开了一种真空溅射镀膜装置，包括一真空腔体以及间隔设置在该真空腔体内的A靶和B靶，A靶和B靶分别连接第一电源，B靶的等离子体的方向朝向A靶的表面，用于将B靶的材料沉积在A靶的表面上，A靶的等离子体的方向朝向基板，用于将A靶和B靶的材料沉积在基板上而形成薄膜层，还包括第一导电板和第二导电板，第一导电板位于A靶的远离B靶的一侧，第二导电板位于B靶的远离A靶的一侧，第一导电板和第二导电板分别连接第二电源的两输出端。本实用新型能够很容易实现多组分薄膜层的沉积，且可提高所沉积膜层的组分均匀性，可以用于各种不同材料的沉积。
一种真空溅射镀膜装置

[实用新型]一种真空溅射镀膜装置-CN202020824491.2有效
发明人： 胡兴微;蒋玉东 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及真空镀膜技术领域。本实用新型公开了一种真空溅射镀膜装置，包括一真空腔体以及间隔设置在该真空腔体内的A靶和B靶，A靶和B靶分别连接第一电源，B靶的等离子体的方向朝向A靶的表面，A靶的等离子体的方向朝向基板，用于将A靶和B靶的材料沉积在基板上而形成薄膜层，还包括第一导电板，第一导电板设置在基板的远离A靶的另一侧，第一导电板连接第二电源的一输出端。本实用新型通过将B靶的等离子体朝向A靶的表面，A靶的等离子体朝向基板方向，这样B靶的材料就先沉积到A靶上，然后再和A靶的材料一起沉积到基板上，能够很容易实现多组分薄膜层的沉积，且可提高所沉积膜层的组分均匀性，可以用于各种不同材料的沉积。
一种真空溅射镀膜装置

[发明专利]一种芯片动态电流测试系统-CN201910156807.7在审
发明人： 胡兴微;白光奎 -专利权人：马鞍山创久科技股份有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片动态电流测试系统，解决了现有测试方式的精确性、效率及成本无法兼具的问题，其技术方案要点是，包括辅助控制模块、工作电源VCC、带有电流监测模块的测试电源VTEST和多组切换开关模块；每组切换开关模块对应连接于单块待测芯片的电源输入管脚并受控于辅助控制模块将待测芯片的电源输入管脚在工作电源VCC与测试电源VTEST之间切换，本发明的一种芯片动态电流测试系统，通过多个切换开关模块可以将带有电流监测模块的测试电源VTEST方便地在多块待测芯片间切换，以提高电流监测模块的利用率，简化电路设计，降低测试设备成本；同时电流监测模块可根据测试需要随时接入或者切出电路，不需要测量时再将电流监测模块摘除，可以降低系统功耗。
电流监测模块动态电流测试测试电源待测芯片电源输入管脚辅助控制模块工作电源开关模块芯片组切换技术方案要点测试方式测试设备电路设计降低系统切换开关单块多块功耗切出受控摘除电路测量测试

[发明专利]集成式二极管链功率MOS防静电保护结构-CN201510008547.0有效
发明人：赵建明;徐开凯;廖智;黄平;赵国;钟思翰;徐彭飞;胡兴微;蒋澎湃 -专利权人：电子科技大学;四川蓝彩电子科技有限公司;四川绿然电子科技有限公司;上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成式二极管链功率MOS防静电保护结构，它包括由若干个MOS单元一起构成的功率MOS结构，和由两组反向并联的二极管链构成的ESD保护结构，所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率MOS结构的栅极和源极两端；所述二极管链的开启电压大于功率MOS结构最大栅源工作电压，且小于栅氧化层的最小击穿电压。本发明的集成式二极管链功率MOS防静电保护结构寄生电容小、防护效果更好、工作更可靠，且充当ESD防护的二极管单元设于n‑外延上并且与MOS单元相隔离，使得制造工艺简单、结构稳定并且与MOS器件工艺相兼容。本发明的集成式二极管链功率MOS防静电保护结构，适用于大功率、高电压条件下对器件进行保护工作。
集成二极管功率 mos 静电保护结构

[发明专利]一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构-CN201510008374.2有效
发明人：赵建明;徐开凯;廖智;黄平;赵国;钟思翰;徐彭飞;胡兴微;蒋澎湃;陈勇;夏建新 -专利权人：电子科技大学;四川蓝彩电子科技有限公司;四川绿然电子科技有限公司;上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构，它包括由若干个VDMOS单元一起构成的功率VDMOS器件，和由若干个齐纳二极管单元构成的ESD保护结构；所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率VDMOS器件的栅极和源极两端；所述齐纳二极管单元的反向击穿电压大于所述一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构的最大栅源工作电压，且小于栅氧化层的最小击穿电压。本发明的功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构寄生电容小、防护效果更好、工作更可靠，充当ESD防护的单元设于n‑外延上并且与VDMOS单元相隔离，使得制造工艺简单、结构稳定并且与VDMOS器件工艺相兼容。本发明适用于功率VDMOS器件的ESD防护。
一种功率 vdmos 器件二极管并联 esd 防护机构

[发明专利]宽范围大电流高维持电压的双端ESD集成保护器件及其制备方法-CN201510008849.8有效
发明人：廖智;赵建明;黄平;徐开凯;赵国;钟思翰;王威;胡兴微;徐彭飞;蒋澎湃;陈勇;夏建新 -专利权人：电子科技大学;四川蓝彩电子科技有限公司;四川绿然电子科技有限公司;上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽范围大电流高维持电压的双端ESD集成保护器件及其制备方法，其中宽范围大电流高维持电压的双端ESD集成保护器件由下至上依次设有金属层，N+衬底、N‑外延层、二氧化硅层，所述N‑外延层顶端设有两个对称的、贯通二氧化硅层的P+有源区，所述每个P+有源区的外围设有保护环，在所述保护环的外围还设有场限环，P+型有源区通过接触孔引出两个金属电极，并在接触孔四周的二氧化硅层上设有金属场板。本发明采用两个背靠背二极管结构的双端集成器件作为高压ESD保护器件，具有结构简单、成本低、耐压性高等优点。本发明适用于高电压下对器件的ESD/ESO的保护。
范围电流维持电压 esd 集成保护器件及其制备方法

[发明专利]一种低阻大电流DMOS器件芯片级CSP封装方法-CN201510008299.X有效
发明人：赵建明;冯春阳;廖智;夏建新;黄平;徐开凯;赵国;钟思翰;徐彭飞;胡兴微;蒋澎湃 -专利权人：电子科技大学;四川蓝彩电子科技有限公司;四川绿然电子科技有限公司;四川洪芯微科技有限公司
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种低阻大电流DMOS器件芯片级CSP封装方法，它包括以下步骤（一）大电流DMOS器件的表层绝缘层制作及电极引线制作（二）大电流DMOS器件的背部保护层制作；（三）大电流MOS器件的侧面保护层制作；（四）单个大电流功率DMOS器件分割。本发明采用表面钝化技术，研究适用于无引线裸芯片封装的电极布局和电极材料，开发无引线裸芯片封装工艺，提高器件的稳定性和可靠性。本发明芯片级CSP封装方法适用于所有管脚位于同一平面内的大电流功率MOS器件的封装。
一种低阻大电流 dmos 器件芯片级 csp 封装方法

[发明专利]高亮度光纤直接耦合LED冷光源-CN201410294645.0无效
发明人：赵建明;徐彭飞;杨萍;廖智;胡兴微;李建黎;周伟;蒋玉东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高亮度光纤直接耦合LED冷光源，包括用于发光的LED发光机构、涂有光转换物质的透光层，所述LED发光机构的光发射端通过无损耗传输的光纤线路连接透光层。本发明采用光纤耦合的方式把LED发光机构中LED晶片发出的光经光纤传导至另一端透过透光层后发出高亮度的冷光，实现了LED晶片与荧光粉的隔离，避免传统一体化的LED因高温导致LED光衰、发光效率低、寿命缩短的缺点，同时能够得到不同颜色、不同出射角度的高亮度LED冷光源。本发明使用寿命长、体积小、结构简单，能够根据不同需求出射不同形式、不同颜色的光，满足各个照明领域的需求。本发明适用于作医疗器械照明、汽车照明等照明领域以及投影机光源。
亮度光纤直接耦合 led 光源

[发明专利]光纤直接耦合RGB三基色LED冷光源-CN201410294632.3无效
发明人：赵建明;杨萍;徐彭飞;廖智;胡兴微;李建黎;周伟;蒋玉东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光纤直接耦合RGB三基色LED冷光源，它包括用于发光的LED发光机构、透光层，所述LED发光机构为具有红、绿、蓝三基色的LED晶片机构，LED发光机构的光发射端通过无损耗传输的光纤线路连接透光层。本发明使片寿命长、发光效率高、功率大，体积小、结构简单，且彩色色域更宽，色度均匀，便于调整复合光的色域和色度，满足投影机光源、图像显示光源以及各类照明光源的需求。本发明适用作投影机光源、图像显示光源以及各类照明光源等。
光纤直接耦合 rgb 基色 led 光源

[发明专利]放大器用超级电容器式电池供电系统-CN201410192237.4有效
发明人：赵建明;徐彭飞;廖智;胡兴微;李建黎;蒋玉东;梁和生;周伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种放大器用超级电容器式电池供电系统，包括供电模块，其包括交替充放电且结构相同的第一电源与第二电源，均包括两组串接的超级电容器组；充电模块，包括正、负电源充电器，它们的电源输入端分别连接外部交流电源，正、负电源充电器的电源输出端分别连接第一、第二电源的正、负电源输出端口和公共地端；智能充放电控制模块，输入端采集充电模块的充放电状态反馈信息，控制信号输出端分别控制连接供电模块和充电模块。本发明通过控制电路实现交流电源对第一、第二电源轮番充放电，实现对音频功率放大器的不间断供电，并完全杜绝市电交流对功放电路的干扰，改善音质效果实现HIFI功能。本发明适用于驱动音频功率放大器工作。
放大器用超级电容器电池供电系统

[实用新型]OTP寄存器的多次写入装置-CN201320665281.3有效
发明人： 胡兴微 -专利权人：上海宇芯科技有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及写入装置，公开了一种OTP寄存器的多次写入装置。本实用新型中，OTP寄存器的多次写入装置包含：写控制器、读控制器、OTP寄存器。写控制器将待写入数据写入到OTP寄存器中尚未被编程过的设定地址内；读控制器读取OTP寄存器中存储的数据；OTP寄存器包含写入分段控制区域和数据存储区域，用于存储写控制器写入的数据，其中，所述数据存储区域分为N段数据段，N为自然数，各数据段的写入相互独立并可以分多次写入。与现有技术相比，本实用新型使得该OTP寄存器的多次写入装置的不同数据段的设置相互独立且可以分多次写入，同时，一旦设置后不能再次改写，以保证装置中数据的安全。
otp 寄存器多次写入装置

[发明专利]一种利用冗余位的字典查询压缩方法及装置-CN201210593940.7有效
发明人：黄寅;胡兴微;蒋玉东 -专利权人：上海宇芯科技有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用冗余位的字典查询压缩方法，包括：将已编码的原文作为滑动窗口，并将即将要编码的原文作为前瞻窗口；对所述滑动窗口与所述前瞻窗口的内容分别进行冗余位判断；对进行所述冗余位判断后的所述滑动窗口与所述前瞻窗口的内容进行匹配比较，其中只对非冗余位的内容进行匹配比较，而对冗余位的内容一律视为匹配成功；根据匹配结果进行编码。本发明通过在匹配时引入冗余位判断，将原来的不匹配情形转化为匹配情形，提高压缩比，节省数据带宽，同时对解压缩端无任何影响。
一种利用冗余字典查询压缩方法装置

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