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[发明专利]一种中子散射实验用超导磁体结构-CN202111516324.7有效
发明人： 罗万居;林权;胡海韬;袁宝;白波;黄志强;程辉;童欣 -专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：一种中子散射实验用超导磁体结构，包括至少两条中子入射通道、中子散射扇形区域和样品腔。中子入射通道与中子散射扇形区域共面设置，样品腔设于中子散射扇形区域的顶点处。由于超导磁体上设有多条中子入射通道，在实验时只需要选用不同的中子入射通道就能适用于不同探测器布局的谱仪，使得超导磁体的兼容性与利用率提高，减少浪费，降低成本。
一种中子散射实验超导磁体结构

[发明专利]一种中子散射用变温恒温器-CN202211348486.9在审
发明人：白波;胡海韬;袁宝;童欣;程辉;叶凡;罗万居;黄志强;林权 -专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：一种中子散射用变温恒温器，包括样品杆组件、样品管组件和样品管壁加热器。本申请中的中子散射用变温恒温器，优化了传热结构，对样品管管壁和样品座温度进行双路控温，实现恒温器4～300K范围内样品处于匀温区，保证样品温度的准确性。
一种中子散射用变温恒温器

[发明专利]一种氦三气体净化系统-CN202210624120.3在审
发明人：白波;童欣;胡海韬;袁宝;叶凡;罗万居;黄志强;林权 -专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： B01D53/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种氦三气体净化系统。该系统包括非蒸散吸附系统和超流氦低温系统；非蒸散吸附系统包括样品管和插件，插件包括冷凝除杂区，冷凝除杂区设于样品管内，用于净化氦三气体；超流氦低温系统包括第一进气口、制冷机、进气管道和设置于进气管道上的针阀。进气管道与样品管连通，用于向样品管输入工质气体，工质气体用于冷却插件内的氦三气体；样品管设有第一出气口，用于排出工质气体；制冷机包括制冷组件，为氦三气体的冷却提供冷源，针阀用于对工质气体减压降温，进一步冷却工质气体。本申请采用超流氦低温系统对工质气体进行降温，通过降温后的工质气体对冷凝除杂区中的氦三气体中的杂质冷凝固定，进而达到对氦三气体净化的目的。
一种气体净化系统

[发明专利]一种用于闭循环低温恒温器的变温高压气体插件-CN202210315616.2在审
发明人：袁宝;白波;胡海韬;童欣;康乐;罗万居;程辉;林权 -专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：一种用于闭循环低温恒温器的变温高压气体插件，包括：控制机构，包括：控制阀；输气机构，包括：输气管，输气加热组件，插件，以及密封连接组件；插件设有贯穿通道，输气管穿设于贯穿通道，输气管与控制阀连通；输气加热组件对输气管加热；密封连接组件设置在插件上，插件用于插入至闭循环低温恒温器的插孔；储样机构，包括：承压体，封堵组件，以及样品加热组件；承压体的内部具有用于储存样品的储样空间。通过输气管向储样空间输送高压气体，对样品进行加压，通过样品加热组件对储样空间加热，从而耦合高低温、高压的中子散射实验条件，并利用高压气体不会产生压力梯度的特性，使得样品能够获得均匀的压力，进而提高实验结果的准确性。
一种用于循环低温恒温器高压气体插件

[发明专利]一种磁性器件的设计方法及其应用-CN201911023364.0有效
发明人： 罗万居;胡海韬;白波;黄志强;袁宝;童欣 -专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： B01L9/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种磁性器件的设计方法及其应用。本申请磁性器件的设计方法，包括以下步骤：(1)将磁性器件分为至少两部分；(2)分别对各部分进行磁化，各部分磁化的方向以拼接后相邻两部分能够形成闭合磁路为准；(3)将磁化后的各部分组装成一个完整的磁性器件。本申请的磁性器件的设计方法，通过将磁性器件分为至少两部分，并对各部分分别进行磁化，然后再组装成具有闭合磁路的磁性器件，使得磁性器件对周围磁场反应不敏感，对周围磁性物体的磁作用力非常微弱，从而减小对外部磁场设备的相互影响，提高磁性设备的安全性。
一种磁性器件设计方法及其应用

[发明专利]硅掺杂铁基聚阴离子化合物及其制备方法和应用-CN202011434760.5有效
发明人：简宏希;杨华;夏元华;孙光爱;胡启威;童剑飞;傅世年;简宏良;黄宝琴;王滔;宋健锐;黃允然;梅龙伟;鲁琪;李常峰;刘新智;罗万居 -专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明公布了一种具有三维离子及电子扩散路径晶体结构的硅掺杂铁基聚阴离子化合物Fe3(P1‑xSixO4)4(P1‑xSixO3)及其制备方法和应用，其中0＜x≤0.2，该化合物由水热法和固体掺杂法分步制备而得，具有更高的振实密度和能量密度，库伦效率和循环性能更优，能够应用为锂离子电池的阴极材料，具有极好的工业前景。
掺杂聚阴离子化合物及其制备方法应用

[发明专利]一种检测磁体安全磁环境的方法及其应用-CN201911012494.4在审
发明人： 罗万居;童欣;黄志强;白波;胡海韬;袁宝 -专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种检测磁体安全磁环境的方法及其应用。本申请检测磁体安全磁环境的方法包括，采用压力传感器将待测磁体支撑起来；在没有施加磁场时，读取压力传感器的数值，标记为N1；给待测磁体施加磁场，读取施加磁场后压力传感器的数值，标记为N2；计算待测磁体对施加磁场的受力△N＝N2‑N1；逐渐增加磁场，当△N达到待测磁体的受力阈值时，相对应的施加磁场即待测磁体的耐受安全磁环境。本申请的检测方法能够有效的对磁体的最高耐受磁场进行检测，从而避免磁体在超过其最高耐受磁场下使用，避免由此造成灾难性后果。本申请的检测方法简单、易操作，且结果明了、实用可靠，为磁体的使用安全性评估提供了一种科学可行的方案。
一种检测磁体安全环境方法及其应用

[发明专利]一种用于低温环境设备的换样方法、系统及应用-CN201911031895.4在审
发明人： 罗万居;白波;胡海韬;黄志强;袁宝;童欣 -专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： G01N1/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于低温环境设备的换样方法、系统及应用。本申请的换样方法包括，(1)将样品从样品室移动到过渡舱，关闭样品室与过渡舱的门阀；(2)向过渡舱中充氦气，使其保持正压；(3)打开过渡舱的外部密封法兰，进行样品更换，然后关闭外部密封法兰，对过渡舱抽真空；(4)完成步骤(3)后，对过渡舱进行至少一个循环的：充氦气、抽真空；(5)在过渡舱为真空状态或过渡舱内充满氦气状态下，开启样品室与过渡舱的门阀，将待测样品移动到样品室内。本申请的换样方法，通过向过渡舱中通入氦气，能有效避免换样时空气混入样品室内，从而保障了样品室内氦气纯度，减少了因空气混入导致的制冷循环气路堵塞，提高了检测效率。
一种用于低温环境设备换样方法系统应用

[实用新型]一种中子垃圾桶及防中子辐射的复合材料-CN201620345438.8有效
发明人： 罗万居;梁天骄;沈飞;梁泰然;于全芝;殷雯 -专利权人：东莞中子科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G21K1/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种中子垃圾桶及防中子辐射的复合材料。本申请的中子垃圾桶，包括一端开口的具有桶形空腔结构的重核材料桶，重核材料桶的底端依序铺设有中子吸收层、钢材层和轻元素层；重核材料桶采用铅、钨或贫铀制备；中子吸收层采用硼、锂或钆，或者硼、锂或钆的化合物制备；轻元素层采用聚乙烯、水或石蜡中的指示一种制备。本申请的中子垃圾桶及复合材料，能够有效的截断中子束流，并且在重核材料桶中设计轻元素层、钢材层和中子吸收层，利用各层的相互作用，提高了中子吸收效果，在相同的吸收效果下，有效的减小了中子垃圾桶的体积，以方便其在各种空间条件下安装使用。
一种中子垃圾桶辐射复合材料

[发明专利]一种多铁性材料的强磁场制备方法-CN200810112290.3无效
发明人： 罗万居;王军红;王栋樑;刘敏;马衍伟 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2008-05-22 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明公开了多铁性BiFeO₃在强磁场环境下制备与处理方法。其特征是利用强磁场来制备和处理BiFeO₃样品，以改善BiFeO₃的磁电耦合性能。利用化学方法或物理方法制备好Bi－Fe－O前驱体以及薄膜或者直接制备得到BiFeO₃样品(包括多晶、单晶、纳米材料或薄膜)，然后置于具有空气或其它气体(如氧气)氛围的强磁场加热炉中烧结或退火，在磁场强度0－20特斯拉、温度400～880℃下保温1～6小时后，采用快速淬火或以1℃/分钟降温至室温。本发明可有效同时提高BiFeO₃的宏观磁矩和饱和极化强度，增强磁电耦合效应。
一种多铁性材料磁场制备方法

[发明专利]一种BiFeO₃纳米颗粒和微粒的制备方法-CN200810106040.9无效
发明人： 罗万居;王栋梁;马衍伟 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2008-05-07 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：一种BiFeO₃纳米颗粒和微粒的制备方法，按化学计量比1∶1的Fe(NO₃)₃.9H₂O和Bi(NO₃)₃.5H₂O或Fe₂O₃和Bi₂O₃配制硝酸盐混合溶液，加入甘氨酸作为燃料，加入5～10毫升的乙二酸脱水，将所得溶液放进微波炉中用800瓦功率加热，蒸干水分后继续加热10～20秒钟，混合物发生迅速的燃烧反应，得到疏松的纳米颗粒粉末产物。将所得的颗粒粉末用压片机压制成小片，得到块状样品；然后将块状样品置于微波炉中烧结，快速淬火至室温，得到大小均匀的块状微粒产物。本方法制备的BiFeO₃纯度高、颗粒大小均匀，颗粒度可调。
一种 bifeo sub 纳米颗粒微粒制备方法

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