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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]固体摄像装置及照相机系统-CN201880085554.2有效
发明人：宿利章二;柳泽一正;竹田敏文;奥山幸祐;谷口泰弘 -专利权人：株式会社芙洛提亚
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H04N25/772 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种不使用记录介质就能够记录静止图像的固体摄像装置及照相机系统。在图像传感器的像素P设置有光电二极管(35)、传输晶体管(36)、复位晶体管(37)和放大晶体管(38)，以及具有选择晶体管功能的存储元件(39)。存储元件(39)中，与漏极侧选择晶体管(DST)和源极侧选择晶体管(SST)一体地形成有存储晶体管(MT)。存储晶体管(MT)通过将写入电压作为栅极电压施加到存储栅电极(41)，从而将与光电二极管(35)的受光量对应的量的电荷蓄积在电荷蓄积层(42)中。
固体摄像装置照相机系统

[发明专利]半导体器件及制造方法-CN02823476.6无效
发明人：石塚典男;熊谷幸博;三浦英生;池田修二;竹田敏文;太田裕之 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-11-21 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供半导体器件及制造方法，半导体器件具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管，漏极电流特性优良、可靠性高。用于实现该目的的本发明的核心在于，在形成了n沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上设置氮化硅膜，而且在p沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上仅在与沟道方向垂直的方向上设置氮化硅膜。根据本发明，可以提供电流特性优良的具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管的半导体器件。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件-CN01820204.7有效
发明人：熊谷幸博;太田裕之;三浦英生;大塚文雄;一濑胜彦;池田修二;竹田敏文;尾内亨裕 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2001-12-06 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件，具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管，其中该两个晶体管都具有优异的漏电流特性。具有n沟道型场效应晶体管(10)和p沟道型场效应晶体管(30)的半导体器件包括用作涂敷n沟道型场效应晶体管(10)的栅电极(15)的应力控制膜(19)的膜，其膜应力偏移到拉应力。该器件还包括用作涂敷p沟道型场效应晶体管(30)的栅电极(35)的应力控制膜(39)的膜，其膜应力更多的是压应力而不是n沟道型场效应晶体管(10)的膜(19)那样的应力。这样，期望n沟道型和p沟道型晶体管来改善漏电流。因此，整体的特性得到改善。
半导体器件

[发明专利]半导体集成电路装置的制造方法-CN97117377.X无效
发明人：桥本直孝;竹田敏文;佐佐木恭;松井俊一;三浦弥一郎 -专利权人：株式会社日立制作所;株式会社日立微计算机系统
申请日： 1997-08-12 - 公布日： 1998-02-25 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：为防止存储单元MISFET栅极上导电膜图形化时因过刻蚀而引起外围电路栅极氧化膜的削减,在半导体衬底1主面的存储单元上形成闪速存储器的浮置栅极导电层图形50a之后,在半导体衬底1主面的存储单元和外围电路上形成膜厚(b)比导电层图形50a与栅极氧化膜42之间的台阶高度(a)还大的多晶硅膜52。之后,用CMP法使多晶硅膜52平坦化以消除导电层图形50a上部的多晶硅膜52与栅极氧化膜31,42的上部的多晶硅膜52之间的台阶。
半导体集成电路装置制造方法

[发明专利]制造半导体集成电路器件的方法-CN95106069.4无效
发明人：铃木尔;奥山幸祐;竹田敏文;久保田胜彦 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1995-05-12 - 公布日： 1996-06-05 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：当对具有耐熔件的FPGA(现场可编程门阵列)进行编程时，每个耐熔件都由依在半导体基片的主表面上的次序顺序构成的TiW下电极、非晶硅构成的绝缘薄膜以及TiW上电极构成，将DC电压加在用于编程的耐熔件上，然后将AC电压加在耐熔件上，以便AC电流通过耐熔件，使得耐熔件的导通部分的机械强度提高。
制造半导体集成电路器件方法

[其他]半导体器件及其制造方法-CN86103174无效
发明人：小池淳义;目黑怜;池田修二;竹田敏文 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1986-05-07 - 公布日： 1986-11-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明的多层布线半导体器件，是在下层金属布线层的侧面形成绝缘材料构成的侧墙，利用该侧墙表面的斜坡形状得以使下层金属布线层侧面的台阶突变趋于缓和，由此结构可以防止上层金属布线层的断裂及蚀刻不干净，防止下层金属布线层出现异常析出小丘，从而获得高可靠性的多层布线构造。
半导体器件及其制造方法

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