专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种β-纳米碳化硅的制备方法-CN201110307547.2有效
  • 郭向云;郝建英;靳国强;王英勇;童希立 - 中国科学院山西煤炭化学研究所
  • 2011-10-08 - 2012-05-02 - C01B31/36
  • 一种β-纳米碳化硅的制备方法是将淀粉或蔗糖与水玻璃按质量比1∶1-5混合;或者先把淀粉或蔗糖与硝酸盐按质量比1∶0.01-0.5混合,再按淀粉与水玻璃质量比1∶1-5与水玻璃混合,混合均匀后静置5-30分钟,然后放入在60-120℃下干燥5-20小时,得到干燥物;将干燥物在氩气保护下,升温至1100-1400℃进行碳热还原反应3-20小时,反应后自然冷却至室温,得到初级反应产物;将初级反应产物在600-800℃下焙烧1-5小时,除去未反应的碳;用体积比为1∶1-5的盐酸与氢氟酸组成的混合酸浸泡12-48小时,去除产物中多余的二氧化硅,再经洗涤、过滤、烘干,最终得到β-纳米碳化硅。本发明具有成本低、工艺简单、能工业化大规模生产的优点。
  • 一种纳米碳化硅制备方法
  • [发明专利]一种在掺硼金刚石基底上生长直立三维网状贵金属纳米片的方法-CN200910049641.5无效
  • 赵国华;童希立;刘梅川 - 同济大学
  • 2009-04-21 - 2009-11-04 - C25D7/00
  • 一种在掺硼金刚石基底上生长直立三维网状贵金属纳米片的制备方法,首先在电化学技术中利用电沉积时在掺硼金刚石薄膜基底材料表面产生的氢气泡作为动力学模板,从而获得直立三维网络状纳米金属片;然后,在化学方法过程中利用直立三维网络状金属纳米片做模板,通过取代反应,利用将高价贵金属置换直立三维网络状金属纳米片从而获得掺硼金刚石薄膜上直立的三维网络状贵金属纳米片。依据本发明所获得的这种特殊结构不仅可以充分发挥掺硼金刚石的优点,而且网络纳米结构可以极大地提高贵金属的比表面积和有效的促进活性反应分子在孔管道内的扩散。这种特殊组合同时在材料种类和结构形貌上保证了工作电极获得高的电化学性能。
  • 一种金刚石基底生长直立三维网状贵金属纳米方法

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