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[发明专利]二次电池充电方法-CN202280019042.2在审
发明人：种村和幸;三上真弓;长多刚;门马洋平;石谷哲二;片桐治树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M10/44 文献下载
摘要：提供一种能量密度高的蓄电系统。提供一种安全性高的蓄电系统。提供一种能量密度高的二次电池。提供一种安全性高的二次电池。本发明的充电器具有控制二次电池充电的开始及停止的功能以及控制二次电池的充电电流的功能。二次电池包括正极，正极包含正极活性物质粒子，正极活性物质粒子是添加有镁的钴酸锂。充电器具有如下功能：通过在时间t1开始以恒流对二次电池充电的第一步骤以及在时间t2停止充电的第二步骤，控制二次电池充电。在时间t2，通过X射线粉末衍射确定的钴酸锂的晶体结构由空间群R‑3m表示。
二次电池充电方法

[发明专利]隔离体及二次电池以及隔离体的制造方法-CN202180072598.3在审
发明人：荻田香;石谷哲二;吉富修平;田中文子;村椿将太郎;小国哲平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01M50/417 文献下载
摘要：提供一种劣化少的二次电池。提供一种安全性高的二次电池。提供一种具有优异特性的隔离体。提供一种实现安全性高的二次电池的隔离体。提供一种新颖的隔离体。在隔离体中，层叠有聚合物多孔膜和包含含有金属氧化物微粒的陶瓷类材料的层，包含陶瓷类材料的层的厚度为1μm以上且100μm以下，聚合物多孔膜的厚度为4μm以上且50μm以下。
隔离二次电池以及制造方法

[发明专利]二次电池、蓄电系统、车辆及正极的制造方法-CN202180077206.2在审
发明人：山崎舜平;挂端哲弥;石谷哲二;村椿将太郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01M4/02 文献下载
摘要：本发明的一个方式提供一种在高电位状态及/或高温状态下稳定的二次电池。二次电池包括正极及负极，正极和负极中的任一方或双方包含活性物质及具有结晶结构的复合化合物。复合化合物被用作粘合剂。此外，也可以将复合化合物用作电解质。具有结晶结构的复合化合物典型地包含分子结晶。此外，具有结晶结构的复合化合物可以在以第一化合物与第二化合物的混合物熔化的温度以上的温度加热的同时进行混合来得到。
二次电池系统车辆正极制造方法

[发明专利]二次电池的制造方法以及二次电池的制造装置-CN202180057750.0在审
发明人：吉富修平;石谷哲二;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：使二次电池的制造工序的至少一部分自动化。提供一种可靠性高的二次电池。一种二次电池的制造方法，包括如下步骤：在第一外包装体上配置第一电极；在第一电极上配置隔离体；在隔离体上配置第二电极；对第一电极、隔离体和第二电极中的至少一个滴加电解质；使第一电极、隔离体及第二电极中的至少一个浸渍有电解质之后，在第一外包装体上以覆盖第一电极、隔离体及第二电极的方式配置第二外包装体；以及，利用第一外包装体及第二外包装体密封第一电极、隔离体及第二电极。从距被滴加面的最短距离大于0mm且为1mm以下的位置滴加电解质。
二次电池制造方法以及装置

[发明专利]显示装置、显示模块及电子设备-CN202180064848.9在审
发明人：清野史康;石谷哲二 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：提供一种能够进行立体动作的操作的电子设备。提供一种能够通过简单的操作进行各种工作的电子设备。显示装置包括控制部、显示部及检测部。显示部包括显示图像的屏幕，检测部具有获取触摸屏幕或靠近屏幕上方的检测对象的位置信息并输出到控制部的功能。控制部具有根据第一操作执行第一处理的功能，当在第一操作后连续进行第二操作时执行第二处理的功能，当在第二操作后连续进行第三操作时执行第三处理的功能。第一操作是在屏幕上检测出两点的指示位置的操作，第二操作是两点的指示位置以缩小其间距的方式移动的操作，第三操作是两点的指示位置从与屏幕接触的状态在相对于屏幕的法线方向上移动的操作。
显示装置显示模块电子设备

[发明专利]二次电池的制造方法-CN202180061271.6在审
发明人：山崎舜平;挂端哲弥;石谷哲二;吉富修平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明的一个方式实现能够使二次电池的制造自动化的制造方法。此外，实现能够以短时间高效地制造二次电池的制造方法。另外，实现能够以高成品率制造二次电池的制造方法。或者，实现制造尺寸较大的大型二次电池时的制造方法。在正极、隔离体和负极中的任一个或多个上滴加电解质，正极、隔离体和负极中的任一个或多个浸渍有电解质之后进行减压，由外包薄膜使正极、隔离体及负极的叠层体密封。在外包薄膜上排列多个叠层体，在叠层体上滴加多滴电解质，在减压下进行密封之后，使外包薄膜分断，由此也可以使二次电池分离。
二次电池制造方法

[发明专利]二次电池的制造方法以及二次电池的制造装置-CN202180060119.6在审
发明人：吉富修平;石谷哲二 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01G11/36 文献下载
摘要：使二次电池的制造工序的至少一部分自动化。提供一种可靠性高的二次电池。在第一外包装体上配置第一电极，在第一电极上配置隔离体，在隔离体上配置第二电极，将电解质滴加到第一电极、隔离体和第二电极中的至少一个上，在第一外包装体上配置树脂层，在将电解质浸渍在第一电极、隔离体和第二电极中的至少一个中之后，在第一外包装体上以覆盖第一电极、隔离体以及第二电极的方式配置第二外包装体，在减压下对树脂层照射紫外光来使树脂层的至少一部分固化，并且在照射紫外光之后，在大气压下使用第一外包装体和第二外包装体密封第一电极、隔离体以及第二电极，由此制造二次电池。
二次电池制造方法以及装置

[发明专利]正极活性物质的制造方法-CN202180050208.2在审
发明人：山崎舜平;掛端哲弥;石谷哲二;门马洋平;吉谷友辅 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：提供一种高纯度化的正极活性物质的制造方法。另外，提供一种反复进行充放电结晶结构也不容易崩塌的正极活性物质的制造方法。本发明的一个方式是一种包含锂及过渡金属的正极活性物质的制造方法，包括：使用包含过渡金属的水溶液和碱性水溶液来制造包含过渡金属的氢氧化物的第一步骤；准备锂化合物的第二步骤；混合锂化合物及氢氧化物来形成混合物的第三步骤；以及加热混合物来形成包含锂及过渡金属的复合氧化物的第四步骤，其中，在第二步骤中，作为锂化合物准备纯度为99.99％以上的材料，并且，在露点为‑50℃以下的含氧气氛中进行第四步骤中的加热。
正极活性物质制造方法

[发明专利]显示装置、电子设备及头戴显示器-CN202180051209.9在审
发明人：中村太纪;青山智哉;清野史康;石谷哲二 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：提供一种显示装置的使用者能够看到明亮的图像的显示装置。本发明是从下层依次层叠第一衬底、发光元件、绝缘层、着色层、平坦化层、平凸透镜、树脂层及第二衬底而成的显示装置。平凸透镜是向显示装置的上方向凸出的形状。平凸透镜的凸部与树脂层接触，树脂层的折射率低于平凸透镜的折射率。发光元件发射的光通过平凸透镜在正面方向聚光。
显示装置电子设备显示器

[发明专利]正极活性物质的制造方法及二次电池的制造方法-CN202180050608.3在审
发明人：山崎舜平;挂端哲弥;石谷哲二;门马洋平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C01G51/00 文献下载
摘要：提供一种高纯度化的正极活性物质的制造方法。或者，提供一种即使反复进行充放电晶体结构也不容易崩塌的正极活性物质的制造方法。本发明是一种包含锂及过渡金属的正极活性物质的制造方法，包括如下步骤：准备锂源及过渡金属源的第一步骤；以及对锂源及过渡金属源进行研碎以及混合而形成复合材料的第二步骤，在第一步骤中，作为锂源准备99.99％以上的纯度的材料，作为过渡金属源准备99.9％以上的纯度的材料，在第二步骤中使用脱水丙酮进行研碎以及混合。
正极活性物质制造方法二次电池

[发明专利]电极的制造方法、二次电池、电子设备及车辆-CN202180051157.5在审
发明人：山崎舜平;石谷哲二;岩城裕司;吉富修平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01M4/1391 文献下载
摘要：提供一种劣化少的活性物质粒子。另外，提供一种劣化少的正极活性物质粒子。本发明是一种包括第一粒子群、第二粒子群以及第三粒子群的电极，其中第一粒子群的中值粒径大于第三粒子群，第二粒子群的中值粒径具有第一粒子群的中值粒径与第三粒子群的中值粒径之间的大小，该电极通过如下工序制造：制造第一混合物的第一工序，该第一混合物包括第一粒子群、第二粒子群、第三粒子群以及溶剂；将第一混合物涂敷在集流体上的第二工序；以及进行加热来使溶剂挥发的第三工序。
电极制造方法二次电池电子设备车辆

[发明专利]显示装置、显示装置的制造方法及电子设备-CN202110822972.9在审
发明人：山崎舜平;平形吉晴;浜田崇;横山浩平;神保安弘;石谷哲二;久保田大介 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种外围电路部的工作稳定性高的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置包括第一衬底以及第二衬底。在第一衬底的第一面上设置有第一绝缘层。在第二衬底的第一面上设置有第二绝缘层。第一衬底的第一面与第二衬底的第一面相对。在第一绝缘层与第二绝缘层之间设置有粘合层。在第一衬底及第二衬底的边缘部附近形成有与第一衬底、第一绝缘层、粘合层、第二绝缘层、第二衬底接触的保护膜。
显示装置制造方法电子设备

[发明专利]显示装置、显示装置的制造方法及电子设备-CN201580059162.5有效
发明人：山崎舜平;平形吉晴;浜田崇;横山浩平;神保安弘;石谷哲二;久保田大介 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：提供一种外围电路部的工作稳定性高的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置包括第一衬底以及第二衬底。在第一衬底的第一面上设置有第一绝缘层。在第二衬底的第一面上设置有第二绝缘层。第一衬底的第一面与第二衬底的第一面相对。在第一绝缘层与第二绝缘层之间设置有粘合层。在第一衬底及第二衬底的边缘部附近形成有与第一衬底、第一绝缘层、粘合层、第二绝缘层、第二衬底接触的保护膜。
显示装置制造方法电子设备

[发明专利]显示装置、数据处理装置-CN201980081410.4在审
发明人：山崎舜平;初见亮;石谷哲二;山下晃央 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：提供一种方便性、实用性或可靠性优异的显示装置。该显示装置包括导光板、显示面板及中间层，导光板包括第一面及第二面。第一面被照射光，第二面具有分配光的功能，第二面与中间层接触，第二面在接触于中间层的区域具有第一折射率N1。显示面板相对于第二面，显示面板与中间层接触，显示面板具有散射被分配的光的功能。中间层具有夹在第二面与显示面板间的区域，中间层在接触于第二面的区域具有第二折射率N2。第二折射率N2小于第一折射率N1。
显示装置数据处理装置

[发明专利]显示装置、显示模块及电子设备-CN201980072306.9在审
发明人：山崎舜平;楠纮慈;川岛进;久保田大介;石谷哲二;山下晃央 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：提供一种开口率高的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置，在像素中包括第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层、第二绝缘层、导电层、像素电极、包含液晶材料的层及公共电极。第一绝缘层位于第一晶体管的沟道形成区域上。导电层位于第一绝缘层上。第二绝缘层位于第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层及导电层上。像素电极位于第二绝缘层上，包含液晶材料的层位于像素电极上，公共电极位于包含液晶材料的层上。公共电极隔着包含液晶材料的层及像素电极重叠于导电层。像素包括导电层与第一晶体管电连接的第一连接部和像素电极与第二晶体管电连接的第二连接部。导电层、像素电极及公共电极都具有使可见光透过的功能。
显示装置显示模块电子设备

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