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[发明专利]接合结构体和接合材料-CN202010319568.5有效
发明人：古泽彰男;石谷伸治;日根清裕 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B22F1/05 文献下载
摘要：提供一种形成耐热性高的接合部的接合材料和接合结构体。在2个对象物之间形成接合部的接合材料包含以下物质而成：(1)包含第一金属而成、且中值粒径为20nm～1μm的第一金属粒子；以及(2)包含选自Bi、In及Zn中的至少1种与Sn的合金的至少1种作为第二金属而成、且具有200℃以下的熔点的第二金属粒子，在构成第一金属的金属元素与源自第二金属粒子的Sn之间形成金属间化合物，该金属间化合物的熔点比第二金属粒子的熔点高并且比第一金属粒子的熔点低，第一金属粒子的量相对于第一金属粒子及第二金属粒子的总量的比例以质量基准计为36％～70％。
接合结构材料

[发明专利]金属微粒的制作方法及金属微粒的制作装置-CN201910929706.9有效
发明人：古泽彰男;日根清裕;石谷伸治;高桥美里 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本发明课题是提供用于效率良好地制造粒径1～10μm的金属微粒的方法及其制作装置。本发明的解决手段为使用具有如下工序的金属微粒的制作方法：粒子产生工序，对第一槽的溶剂内的金属块照射超声波，使之产生一次粒子；和粒子分裂工序，在第二槽的溶剂内对上述一次粒子照射超声波，使上述一次粒子分裂，制作二次粒子。另外，本发明的解决手段为使用具有如下部件的金属微粒的制作装置：第一槽，具有溶剂和金属块；第一加热部，对上述第一槽的溶剂进行加热；第一超声波振动器，配置于上述第一槽，且对上述金属块照射超声波，使之产生一次粒子；第二槽，具有上述溶剂和上述一次粒子；和第二超声波振动器，对上述一次粒子照射超声波，使上述一次粒子分裂。
金属微粒制作方法制作装置

[发明专利]电解电容器-CN201910131230.4有效
发明人： 石谷伸治;笹冈达雄;山崎莲姬 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01G9/012 文献下载
摘要：提供一种电子部件，通过使从电子部件的内部引出的引线部和连接于印刷基板的端子不直接连接，而通过在电子部件的端面形成的集电体进行连接，从而实现电子部件的小型化以及大容量化并且实现高可靠性。电子部件具有：电子元件(20)，其具备引线部(1a)；密封体(8)，其在引线部(1a)的端部露出的状态下对电子元件(20)进行密封；第一集电体(11a)，其形成于密封体(8)，与端部连接；以及第一端子(13)，其具有被密封体密封的第一部分，第一部分与第一集电体(11a)连接。
电解电容器

[发明专利]接合材料以及使用其的安装结构体-CN202111251324.9在审
发明人：日根清裕;古泽彰男;石谷伸治 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C22C13/02 文献下载
摘要：接合材料包含：熔点为200℃以下的第1金属粒子、包含能够与第1金属粒子中所包含的第1金属元素生成金属间化合物的第2金属元素的第2金属粒子、TiO2纳米粒子、和助焊剂。第1金属粒子是如下的任意一个：仅为与第2金属元素生成金属间化合物的第1金属元素；或者是包含与第2金属元素生成金属间化合物的第1金属元素、和不与第2金属元素生成金属间化合物且金属元素单质的熔点为250℃以上的第3金属元素的复合体。第1金属粒子与第2金属粒子的比率是在第1金属元素与第2金属元素的平衡相图中第1金属粒子中所包含的第1金属元素与第2金属粒子中所包含的第2金属元素全部成为金属间化合物的比率。
接合材料以及使用安装结构

[发明专利]焊料材料-CN201710268911.6有效
发明人： 石谷伸治;五闲学;笹冈达雄 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： B23K20/06 文献下载
摘要：本发明提供一种焊料材料，在焊接后的焊料内部不会残留焊料金属以外的材料而能够实现高可靠性的焊接。使用混合相对于焊料膏剂的重量为0.5～1.5重量％的线圈状碳(11)的焊料材料，通过电磁波使线圈状碳发热，从而对焊料材料自身进行加热来进行焊接。
焊料材料

[发明专利]封装的电子元件-CN200810169256.X无效
发明人：东和司;石谷伸治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-12-02 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：通过用粘接剂(3、103)或金属层(103、251)接合装配有电子元件(71、171、261)的第1容器部件(9、109、212)和第2容器部件(2、102、202)，而形成内部空间(90、190、211)，能够在低温下将所述电子元件密闭在所述内部空间内。在使用粘接剂的情况下，用金属膜(4)覆盖粘接剂的露出面，实现所述内部空间的密闭性。进一步，在所述第2容器部件中也能装配电子元件(261、272)，能够实现电子元件封装的高密度化。
封装电子元件

[发明专利]半导体发光元件以及半导体发光元件安装完成基板-CN200680010655.0有效
发明人：东和司;石谷伸治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-07-12 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件，排列有形成在n电极层上的1个n凸起、以及形成在p电极层上的多个p凸起，通过将n凸起在设置安装后最难发生应力的凸起排列的中心，能够抑制与p凸起相比个数较少的n凸起中的安装后接合不良的发生。通过采用这种凸起排列构成，能够在大型化的半导体发光元件中，提高发光强度的均匀性，并提高其安装中的可靠性。
半导体发光元件以及安装完成

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法和安装方法、发光器件-CN200580032696.5有效
发明人：东和司;石谷伸治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-09-22 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的LED芯片(1)具有如下结构：n型半导体层(12)和p型半导体层(13)相继形成在元件衬底(11)的下表面上，p型半导体层(13)形成在除用于n电极的区域(12a)之外的区域上。第一n电极(14)形成在用于n电极的区域(12a)上，第一p电极(15)形成在p型半导体层(13)上。具有开口(16a)和(16b)的第一绝缘层(16)形成在第一n电极(14)和第一p电极(15)上，具有实质上相同尺寸的第二n电极(17)和第二p电极(18)形成在第一绝缘层(16)上。采用这种配置，可以使n型半导体层(12)上的电极大，从而可以通过使用焊料(31)以低成本执行将LED芯片(1)安装到电路板(40)上的安装工艺。
半导体发光元件及其制造方法安装器件

[发明专利]封装的电子元件、及电子元件封装的制造方法-CN200480036090.4无效
发明人：东和司;石谷伸治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-12-02 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：通过用粘接剂(3、103)或金属层(103、251)接合装配有电子元件(71、171、261)的第1容器部件(9、109、212)和第2容器部件(2、102、202)，而形成内部空间(90、190、211)，能够在低温下将所述电子元件密闭在所述内部空间内。在使用粘接剂的情况下，用金属膜(4)覆盖粘接剂的露出面，实现所述内部空间的密闭性。进一步，在所述第2容器部件中也能装配电子元件(261、272)，能够实现电子元件封装的高密度化。
封装电子元件制造方法

[发明专利]接合装置及接合方法-CN200510073982.8有效
发明人：东和司;笹冈达雄;石谷伸治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-05-27 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： H05K3/26 文献下载
摘要：本发明提供一种接合装置及接合方法。该接合装置具备保持电子部件的吸附管嘴、将电路基板与所述电子部件相面对地保持的基板台架、以及可以配置在定位状态的所述电子部件和所述电路基板之间的照射位置的准分子紫外线灯。在此种接合装置中，在利用所述准分子紫外线灯同时向所述电子部件的金突起及所述电路基板的基板电极照射紫外线而进行了两金属部分的清洗处理后，在使两金属部分相互接触的状态下赋予超声波振动，进行两金属部分的金属接合。
接合装置方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200410104787.2无效
发明人：东和司;吉田浩一;石谷伸治;光明寺大道 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：在本发明的半导体装置中，以能完全防止薄膜基板上形成的电极与半导体元件端部安装时等接触的方式，在具有电极的薄膜基板至少一面安装的半导体元件中，在与电极相对的面的所需位置处形成绝缘保护部，把半导体元件和薄膜基板间的距离设定为至少10微米以上。
半导体装置及其制造方法

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