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[发明专利]一种电荷收集方法及系统-CN202310160765.0在审
发明人：魏佳男;张培健;傅婧;罗婷;仵韵辰;石艳斌;陆科 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：本申请提供一种电荷收集方法及系统，该方法包括：获取待测半导体器件，利用重离子微束对待测半导体器件进行逐点扫描，并根据逐点扫描结果绘制单粒子效应敏感区域平面图；基于单粒子效应敏感区域平面图构建多灵敏体积结构模型，并对多灵敏体积结构模型进行辐射粒子入射模拟，以及计算辐射粒子在每个子灵敏体积内的第一电荷收集量；对每个子灵敏体积内的第一电荷收集量进行求和，得到辐射粒子入射待测半导体器件的电荷收集量。本申请可以构建重离子、α粒子等直接电离诱发单粒子效应的电荷收集模型，也可以构建质子、中子等次级粒子诱发单粒子效应的电荷收集模型，再通过电荷收集模型得到单粒子效应电荷收集量，增加了电荷收集模型的适用范围。
一种电荷收集方法系统

[发明专利]一种存储器件的制备方法及存储器件-CN202310178238.2在审
发明人：仵韵辰;谭开洲;张培健;石艳斌;洪敏;魏佳男;易孝辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所;中电科芯片技术（集团）有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器件的制备方法及存储器件，通过电输运层刻蚀成写入线与读取线，且写入线与读取线呈十字交叉结构，在交叉区域上使用磁性金属薄膜和反铁磁金属薄膜性形成磁性耦合结构，与下层的电输运层和上层的金属保护层之间形成异质结结构的存储器；在写入线中通入大电流时，可以通过SOT作用固定磁性耦合结构中磁性金属薄膜的磁矩方向；其后在写入线中通入小电流时，会在读取线两端产生电势差，从而可以读取电阻状态。相当于写入线通过金属导线与一个MOS晶体管的源极电极电连接，通过控制MOS管栅极电压状态和漏极电压状态，即可进行存储器的写入和读取操作。所以，本发明的工艺复杂度和制造成本较低，具有明显的优势和广泛的应用前景。
一种存储器件制备方法

[发明专利]两步法硫酸处理对于PEDOT：PSS薄膜光电性能的改善与长期稳定性的研究-CN202110494559.4在审
发明人： 石艳斌;周玉荣;周玉琴;刘丰珍 -专利权人：中国科学院大学
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C08J7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种有效提高PEDOT：PSS（Clevios PH1000）薄膜光电性能以及稳定性的一种方法，属于有机导电聚合物薄膜领域。该PEDOT：PSS（Clevios PH1000）薄膜的制备包含以下步骤：用0.22um孔径的滤头过滤PEDOT：PSS（Clevios PH1000）溶液，以去掉大颗粒成分，而后使用匀胶机将过滤好的溶液旋涂在玻璃衬底上，之后退火处理并分别浸泡在63%和98%浓度的硫酸中，而后将样品浸泡在水中以去掉残余的硫酸，再次退火得到最终薄膜，薄膜的整个制备过程操作简单方便，可有效的得到具有高电导率以及良好稳定性的薄膜。
步法硫酸处理对于 pedot pss 薄膜光电性能改善长期稳定性研究