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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳分析方法-CN201680045442.5有效
发明人： 田口裕务 -专利权人：东亚合成株式会社
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G01N31/00 文献下载
摘要：本发明的碳分析方法的特征在于，使含有具有水解性的卤化金属化合物和有机成分的原料与纯水混合，使卤化金属化合物水解，形成水解物后，回收得到的水解物和上述有机成分的混合物，通过对该混合物进行碳分析，得到碳量。另一本发明的碳分析方法的特征在于，用纯水使具有水解性、含有卤原子和碳原子的金属化合物水解，形成含有碳原子的水解物后，对得到的水解物进行碳分析，得到碳量。
分析方法

[发明专利]氯代聚硅烷的制造方法及流化床反应装置-CN201280051270.4有效
发明人：守田雅俊;蟹江达矢;田口裕务;高岛兼正 -专利权人：东亚合成株式会社
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供一种氯代聚硅烷的制造方法，其在通过流动反应得到氯代聚硅烷时，可在提高成品率的同时，抑制可能副产的高次氯化硅的附着造成的堵塞。在使氯气与流动的硅粒子或硅合金粒子反应而得到氯代聚硅烷时，在反应槽(12)内部，在比硅粒子或硅合金粒子流动的范围更靠上侧，在使馏出成分馏出的馏出口(20)的正前设置抑制因流动而飞扬的微粒子从馏出口(20)流出的出口过滤器(22)，同时将出口过滤器(22)的温度设定在210～350℃的范围内。
氯代聚硅烷制造方法流化床反应装置

[发明专利]高纯度氯代聚硅烷的制造方法-CN201280062266.8有效
发明人：石川幸二;高岛兼正;田口裕务 -专利权人：东亚合成株式会社
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：为了用于半导体用途而寻求得到金属杂质浓度低的氯代聚硅烷，但通过蒸馏难以除去蒸汽压与氯代聚硅烷接近的钛化合物或发生升华现象的铝化合物等杂质。另一方面，在使以作为原料的金属硅中的铝或钛为代表的金属杂质减少的情况下，存在如果不提高反应温度，则难以引起氯化反应的趋势，因此，有装置上的制约。发现，通过将粒状的金属硅与金属铜或铜化合物的混合物在惰性气氛中加热，即使是不含铝或钛的高纯度的金属硅，也能够以较低温度实施氯化反应，且发现通过在开始氯化反应后根据需要追加金属硅，可以得到高纯度的氯代聚硅烷。
纯度氯代聚硅烷制造方法

[发明专利]导电性高分子蚀刻用墨液及导电性高分子的图案化方法-CN201180018325.7有效
发明人：西村康雄;井原孝;田口裕务 -专利权人：鹤见曹达株式会社;东亚合成株式会社
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供对导电性高分子具有优异的蚀刻能力、所得到的图案的精度高的导电性高分子蚀刻用墨液、以及使用前述导电性高分子蚀刻用墨液的导电性高分子的图案化方法。本发明的导电性高分子蚀刻用墨液，其特征在于，其包含导电性高分子用蚀刻剂、增稠剂、及水系介质。另外，本发明的导电性高分子的图案化方法是使用前述导电性高分子蚀刻用墨液的图案化方法。
导电性高分子蚀刻用墨图案方法

[发明专利]含导电性高分子的基材上的光致抗蚀剂用显影液、以及图形形成方法-CN201180005211.9有效
发明人：井原孝;田口裕务 -专利权人：东亚合成株式会社
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够对设置于含导电性高分子的基材上的光致抗蚀剂进行显影的显影液、以及使用该显影液形成抗蚀图形的方法。通过使显影液含有选自无机酸、等电点小于7的氨基酸、具有两个以上羧基的羧酸中的一种以上的酸和/或其盐，能够抑制由于显影液的原因导致的含导电性高分子的基材的表面电阻增大，得到微细的抗蚀图形。
导电性高分子基材光致抗蚀剂用显影液以及图形形成方法

[发明专利]导电性高分子的图案形成方法-CN200980112820.7无效
发明人： 田口裕务 -专利权人：东亚合成株式会社;鹤见曹达株式会社
申请日： 2009-07-23 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明为形成导电层的方法，该导电层为通过在基体表面图案化而配置成的包含导电性高分子的导电层，该方法特征在于，使用包含重氮萘醌及酚醛清漆树脂的正型光致抗蚀剂组合物，并且，用钾离子浓度为0.08～0.20mol/L、共存的钠离子浓度小于0.1mol/L的显影液将使用该光致抗蚀剂组合物得到的抗蚀剂膜显影。
导电性高分子图案形成方法

[发明专利]抗蚀剂剥离剂组合物-CN200880013980.1无效
发明人： 田口裕务;住田正直 -专利权人：东亚合成株式会社
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供：在使用温度下为液体、较难使铜等金属腐蚀、并且容易过滤而易于再次利用的抗蚀剂剥离剂组合物。本发明的抗蚀剂剥离剂组合物的特征在于，含有具有3～6元环的环状酯(碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯等)、具有低级烷基的酮类(丙酮、甲基乙基酮等)、及特定的亚烷基二醇单烷基醚类(乙二醇单乙基醚、二乙二醇单丁基醚等)中的一种、与特定的环状酰胺类(N-甲基-2-吡咯烷酮等)或特定的直链状酰胺类(N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二乙基乙酰胺等)的混合物。
抗蚀剂剥离组合

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