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- [实用新型]一种晶圆倒片装置-CN202320567696.0有效
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王程刚;陈家宽;胡志勇;兰德顺
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安徽格恩半导体有限公司
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2023-03-22
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2023-10-24
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H01L21/67
- 本实用新型公开了一种晶圆倒片装置，包括工作台和设置于工作台顶部面上的卡塞组合件，所述卡塞组合件由呈相对位置且结构相同的卡塞一和卡塞二构成；所述工作台的顶部外壁固定连接有固定板，固定板与卡塞二之间设置有卡塞定位部；所述工作台的顶部面设置有定向施力组件，定向施力组件包括设置于工作台顶部外壁的滑槽、通过滑动块滑动连接于滑槽内壁的推杆；所述卡塞定位部包括设置于固定板一侧面的限位口。本实用新型节省作业过程中寻找合适位置摆放卡塞组合件的时间，从而提高倒片效率，配合定向施力组件使用，可以有效避免倒片过程中卡塞组合件会对晶圆本体造成划伤，不会出现晶圆滑落的情况，避免成本浪费。
- 一种晶圆倒片装置
- [实用新型]乳腺疏通药物透皮贴式乳汁收集装置-CN202221594898.6有效
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倪俏;王程刚
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倪俏
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2022-06-23
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2023-03-31
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A61M1/06
- 本实用新型公开了乳腺疏通药物透皮贴式乳汁收集装置，包括硅胶吸盘，还包括固定组件和加热组件，所述硅胶吸盘上配合连接有空心管，所述空心管外侧表面上固定连接有活动连接丝杆的侧裙板，所述丝杆上贯穿有活动螺块，且所述活动螺块通过中央空挡与丝杆螺纹连接，所述活动螺块上固定连接有一侧端口插接进入空心管内的连接杆，且所述连接杆于空心管内的一端固定连接有外侧表面与空心管相嵌合的密封塞，通过转动丝杆使活动螺块经由连接杆带动密封塞向右移动，从而降低空心管内的气压，可以较为简单且牢固地将收集装置固定于乳房位置，方便对乳汁进行收集，能够满足使用需求。
- 乳腺疏通药物透皮贴式乳汁收集装置
- [发明专利]一种乳化沥青的制备方法-CN202210818617.9在审
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王程刚;范星宇;孙云
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南京华建高沥青有限公司
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2022-07-13
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2022-10-18
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C10C3/00
- 本发明公开了一种乳化沥青的制备方法，包括以下步骤：S1、使用软管将下接口和乳化剂溶液源连接，上接口和沥青源连接，然后将乳化剂溶液和沥青加热到所需温度；S2、控制下闸板将下接口打开，使乳化剂溶液进入机体内的研磨组件内时，启动研磨组件工作，研磨组件带动离心组件控制上闸板向下移动，使沥青和乳化剂溶液进入研磨组件内；S3、控制研磨组件对乳化剂溶液和沥青进行研磨；S4、启动搅拌组件对乳化沥青进行搅拌；S5、将研磨组件内的乳化沥青挤入容纳腔，并从出料口处排出；S6、对研磨组件和容纳腔冲洗；该乳化沥青的制备方法不仅操作简单，而且能够快速实现乳化沥青的制备。
- 一种乳化沥青制备方法
- [实用新型]紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及电子设备-CN202220382544.9有效
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王程刚
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安徽格恩半导体有限公司
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2022-02-24
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2022-09-27
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H01L33/12
- 本实用新型实施例提供一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及电子设备。该外延结构包括自下至上依次生长的衬底、第一AlN层、多周期复合式调控层、n型AlxGa1‑xN接触层、多量子阱发光层、p型AlyGa1‑yN阻挡层和p型GaN层，多周期复合式调控层包括多个自下至上依次生长的周期结构，每个周期结构均包括自下至上依次生长的第二AlN层、AlmGa1‑mN层、AlnGa1‑nN层和AlkGa1‑kN层。本实用新型通过在第一AlN层和n型AlxGa1‑xN接触层之间生长多周期复合式调控层，减少第一AlN层和n型AlxGa1‑xN接触层之间的晶格失配，调控紫外发光二极管外延片的翘曲，过滤第一AlN层向上延伸的位错，减小n型AlxGa1‑xN接触层的压应力，改善晶体质量，提升器件的发光效率。
- 紫外发光二极管外延结构电子设备
- [发明专利]一种GaN基的激光二极管结构及制造方法-CN202210167551.1在审
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王程刚
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安徽格恩半导体有限公司
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2022-02-23
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2022-05-27
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H01S5/028
- 本发明提供一种GaN基的激光二极管结构及制造方法，包括依次层叠设置的N电极、n型GaN衬底、N覆盖层、N波导层、发光活性层、P波导层、电子阻挡层和钝化层；P型电子阻挡层上表面设有脊条，脊条包括P覆盖层和依次叠设在P覆盖层上的P接触层、P接触电极层；钝化层包括层叠设置的第一钝化层和第二钝化层，第一钝化层设置在P型电子阻挡层的上表面，位于脊条的两侧，第二钝化层上开设有凹槽，在第二钝化层上表面和脊条上设有第一金属层，第一金属层具有与凹槽相对应的凸起部，在第一金属层上表面还设有P电极。其降低了电极结构的应力，提高了金属电极与钝化层的附着力，可以形成厚的金属电极，降低封装要求，提高散热性能，扩大应用。
- 一种gan激光二极管结构制造方法
- [发明专利]一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及电子设备-CN202210172823.7在审
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王程刚
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安徽格恩半导体有限公司
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2022-02-24
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2022-04-29
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H01L33/12
- 本发明实施例提供一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及电子设备。该外延结构包括自下至上依次生长的衬底、第一AlN层、多周期复合式调控层、n型AlxGa1‑xN接触层、多量子阱发光层、p型AlyGa1‑yN阻挡层和p型GaN层，所述多周期复合式调控层包括多个自下至上依次生长的周期结构，每个所述周期结构均包括自下至上依次生长的第二AlN层、AlmGa1‑mN层、AlnGa1‑nN层和AlkGa1‑kN层，其中，所述n型AlxGa1‑xN接触层、AlmGa1‑mN层、AlnGa1‑nN层和AlkGa1‑kN层中的Al组分不同。本发明通过在第一AlN层和n型AlxGa1‑xN接触层之间生长多周期复合式调控层，减少第一AlN层和n型AlxGa1‑xN接触层之间的晶格失配，调控紫外发光二极管外延片的翘曲，过滤第一AlN层向上延伸的位错，减小n型AlxGa1‑xN接触层的压应力，改善晶体质量，提升器件的发光效率。
- 一种紫外发光二极管外延结构电子设备
- [发明专利]一种半导体发光元件-CN202210071542.2在审
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王程刚
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安徽格恩半导体有限公司
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2022-01-21
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2022-04-29
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H01L33/14
- 本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种半导体发光元件，其从下至上依次包括衬底、第一导电型半导体，多量子阱，导电型空穴注入层和第二导电型半导体，所述导电型空穴注入层的H浓度为5E18～1E20cm‑3，O浓度为1E17～5E18cm‑3，通过设置导电型空穴注入层并控制其C/H/O含量比例，能够提升电子的势垒高度和降低空穴的势垒高度，有效地阻挡电子溢流，提升空穴注入多量子阱的效率提升空穴注入多量子阱的效率，从而提升半导体发光元件的辐射复合效率。
- 一种半导体发光元件
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