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[发明专利]一种黑磷薄膜及其制备方法和应用-CN202310900925.0在审
发明人：牟从普;向建勇;张家祥;柳忠元;温福昇;王博翀;翟昆;薛天宇 -专利权人：燕山大学
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C25D9/08 文献下载
摘要：一种黑磷薄膜及其制备方法和应用，属于半导体生长制备技术领域。本发明黑磷薄膜的制备方法，包括：(1)制备黑磷/丙酮混合液，在冰浴条件下超声粉碎，获得黑磷纳米片/丙酮分散液；(2)进行离心，获得黑磷纳米片/丙酮分散液；(3)将导电基底作为正极，导电金属板作为负极，插入上述步骤(2)获得的黑磷纳米片/丙酮分散液中，施加直流沉积电压，在导电基底上沉积获得黑磷薄膜。本发明黑磷薄膜的简易制备技术，为其在场效应晶体管、光电探测技术、生物医学等领域的应用提供了技术支撑。
一种黑磷薄膜及其制备方法应用

[发明专利]芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合气凝胶及其制备方法和应用-CN202310668288.9在审
发明人：牟从普;张乐怡;温福昇;王博翀;向建勇;翟昆;薛天宇;柳忠元 -专利权人：燕山大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C08J9/28 文献下载
摘要：本发明提供一种芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合材料的制备方法和应用。该制备方法包括：将芳纶纳米纤维与羰基铁粉按照质量比1：3‑7分散于乙醇溶液中，进行超声液相剥离0.5‑2h，真空抽滤后，得到芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合水凝胶；将所述芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合水凝胶在真空条件下进行冷冻干燥，得到芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合气凝胶。由该方法制备得到的芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合气凝胶，在厚度仅为1.6mm时，对电磁波的有效吸收达到11.2GHz，在厚度为2.4mm时有最大反射损耗为‑42.6dB。由此说明其具有很好的电磁吸收性能，应用前景广阔。
纳米纤维羰基铁粉复合凝胶及其制备方法应用

[发明专利]一种基于CEA检测的二维材料生物传感器及其制备方法和应用-CN202310599732.6在审
发明人：薛天宇;刘子谦;孔晶;向建勇;聂安民;温福昇;牟从普;王博翀;翟昆;柳忠元 -专利权人：燕山大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明一种基于CEA检测的二维材料生物传感器及其制备方法和应用，属于二维材料生物传感技术领域。本发明基于CEA检测的二维材料生物传感器，利用化学气相沉积法将单层WS2晶体生长至Si/SiO2基底上，利用湿法转移的方法转移到ITO基底上，再利用双(三氟甲烷)磺酰亚胺处理单层WS2晶体，通过表界面化学修饰，固定Anti‑CEA探针蛋白，获得生物传感器。本发明制备的单层WS2晶体易于生长，荧光均匀，而且性能较好，此生物传感器检测癌胚抗原具有过程简单，高灵敏度，检测极限低，生物分子免标记等特点。
一种基于 cea 检测二维材料生物传感器及其制备方法应用

[发明专利]一步法制备MoS2-CN202210495206.0在审
发明人：聂安民;康梦克;向建勇;翟昆;牟从普;薛天宇;温福昇;王博翀;柳忠元;田永君 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法，属于无机纳米半导体材料领域，将装有硫粉的刚玉舟放于多温区管式炉上游低温区；将氧化钨与氯化钠混合粉、铬粉、氧化钼粉依次分开放于管式炉下游高温区的长刚玉舟上游；通入惰性保护气体，将多温区管式炉各个温区升温至目标温度使前驱体蒸发，在载气的带动下在多温区管式炉下游位置反应并沉积于放置在长刚玉舟下游的基底上，形成小晶粒多晶MoS2/WS2水平异质结薄膜。本发明仅需一步便能够在两个小时左右的时间内制备得到晶粒尺寸微小、结晶度好、多晶样品尺寸大的单层MoS2/WS2水平异质结连续多晶薄膜，反应所用的原料来源广泛、成本低廉，且操作安全、简单。
一步法制备 mos base sub

[发明专利]一步法制备单层MoS2-CN202210473606.1在审
发明人：聂安民;康梦克;向建勇;翟昆;牟从普;薛天宇;温福昇;王博翀;柳忠元;田永君 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一步法制备单层MoS2/WS2双组份梯度材料的方法，属于无机纳米半导体材料领域，将硫粉用药匙在刚玉舟的一侧压实，并将盛放硫粉的刚玉舟用铝箔纸密封包裹，用细钢针在盛放硫粉的一侧扎小孔，然后将盛放硫粉的刚玉舟置于多温区管式炉上游低温区；将氧化钨粉与NaCl混合物、氧化钼粉依次分开置于长刚玉舟上游，将基底置于长刚玉舟下游，然后将长刚玉舟置于多温区管式炉下游高温区；随着多温区管式炉下游高温区温度的调节及NaCl用量的调整，制备出不同尺寸的单层MoS2/WS2双组份梯度材料。本发明能够制备尺寸可控的单层MoS2/WS2双组份梯度材料，所制备的样品结晶性好、化学及热力学性能稳定，应用前景好。
一步法制备单层 mos base sub

[发明专利]一种生物传感器及其制备方法和应用-CN202210410920.5在审
发明人：薛天宇;刘阳;王铮;向建勇;聂安民;温福昇;牟从普;王博翀;翟昆;柳忠元 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本申请属于生物检测技术领域，特别是涉及一种生物传感器及其制备方法和应用。现有的生物传感器操作复杂，灵敏度低且性能不稳定。本申请提供了一种生物传感器，包括在第一方向上依次层叠的载体薄膜、修饰薄膜和待观测DNA层，所述第一方向为载体薄膜指向待观测DNA层；所述载体薄膜包括在所述第一方向上依次层叠的金膜基底层和硫化钨层。有单层硫化钨晶体这种电荷敏感材料的的加入，使得在原有单纯的金膜表面等离激元共振角成像的基础上，通过加入不同电位振幅频率的调制，达到更清晰敏感地观察λDNA的效果。操作简单，灵敏度高，性能稳定。
一种生物传感器及其制备方法应用

[发明专利]二维磁性Fe3-CN202110348967.9有效
发明人：牟从普;季颖;温福昇;王博翀;向建勇;柳忠元 -专利权人：燕山大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种二维磁性Fe3GeTe2纳米片与石墨烯纳米片复合材料及其制备方法和应用。该制备方法包括：将Fe3GeTe2粉体与丙酮混合，在冰浴环境下超声液相剥离8～20小时，真空抽滤、洗涤后，得到Fe3GeTe2纳米片；将Fe3GeTe2纳米片与石墨、1‑甲基‑2‑吡咯烷酮混合，在冰浴环境下超声液相解离1～5小时，得到二维磁性Fe3GeTe2纳米片和石墨烯纳米片复合材料。由该方法制备得到的Fe3GeTe2纳米片和石墨烯纳米片复合材料，在厚度仅为1.45mm时，对频率为9.9GHz的微波的最大反射损耗为44.43dB。由此说明其具有很好的微波吸收性能，应用前景广阔。
二维磁性 fe base sub

[发明专利]表面等离激元共振传感器芯片及其制备方法和应用-CN202011527996.3在审
发明人：薛天宇;柳忠元;聂安民;柳丽轩;叶坤;向建勇;牟从普;王博翀;温福昇;翟昆 -专利权人：燕山大学
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G01N21/552 文献下载
摘要：本发明涉及一种表面等离激元共振传感器芯片及其制备方法和应用。具体地，本发明公开了一种基于多晶二硫化钨二维材料的表面等离激元共振传感器及其制备方法和应用，利用多晶二硫化钨二维材料晶界处的硫原子与汞离子较强的相互作用，应用表面等离激元共振技术，可以检测不同浓度的汞离子，通过SPR光谱曲线共振角的线性变化，实现对汞离子的超灵敏度检测。本发明通过使用多晶二硫化钨材料，增大汞离子的灵敏度和降低检测极限。
表面离激元共振传感器芯片及其制备方法应用

[发明专利]一种层状金属磷化物GePx-CN202010969119.5在审
发明人：柳忠元;常玉凯;丁浩;周厚健;温福昇;牟从普;聂安民;向建勇;薛天宇;翟昆;王博翀 -专利权人：燕山大学
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种层状金属磷化物GePx(x＝1,3,5)单晶的制备方法，仅以红磷和锗粉为原料，无需任何其他添加剂或助熔剂，利用高温高压定向生长技术，通过调控压力与温度等关键条件来控制Ge与P之间的化合成键方式，从而制备出三种不同结构的层状金属磷化物GeP、GeP3、GeP5。该制备方法不仅简单、快速，而且合成的单晶样品纯度高、质量好、尺寸大，这为进一步深入研究GePx的晶体结构、物理化学性质打下了很好的基础。同时也为类黑磷新型磷基二维材料的开发开辟了新的途径，对二维材料的研究具有重要意义。
一种层状金属磷化 gep base sub

[实用新型]一种电源插座防护盖-CN200820132941.0无效
发明人： 王博翀 -专利权人： 王博翀
申请日： 2008-07-29 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01R13/447 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电源插座防护盖，包括绝缘外壳和与插座上的插孔相适配的插舌，所述绝缘外壳的周边设有隆起的凸沿，所述插舌固定在绝缘外壳的内表面上。作为改进，本实用新型还包括与绝缘外壳上的凸沿表面相适配的密封垫，所述密封垫粘接在绝缘外壳的凸沿上，绝缘外壳为矩形、正方形、圆形或椭圆形。本实用新型可直接插在电源插座上，通过覆盖、粘贴或吸附等保护措施，避免了因为环境或其他因素所导致的电源进水、受潮，解决了由此而引起的漏电或短路等问题，而且使用方便。
一种电源插座防护

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