“王农华”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种内凹结构的图形化衬底、制备方法及LED外延片-CN202310395421.8在审
发明人：张鹏辉;康凯;张剑桥;王子荣;王农华 -专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种内凹结构的图形化衬底、制备方法及LED外延片，该内凹结构的图形化衬底的制备方法包括：提供基底，在基底的表面上形成光刻胶层，并通过图形转移技术使光刻胶层形成光刻胶胶柱掩膜，其中，光刻胶胶柱掩膜远离基底的表面凹陷；根据光刻胶胶柱掩膜，对基底进行图形化，形成多个凸起微结构，其中，多个凸起微结构均位于基底一侧表面上，多个凸起微结构远离基底的表面凹陷，形成凹陷区域。利用上述方法，能够制备出周期性的内凹结构的图形化衬底，其中的多个凸起微结构远离基底的表面凹陷，在该内凹结构的图形化衬底中可以有效改善光线的传播路径，增加了光线的折射和反射次数，提高了LED芯片的光出射效率，提升了LED芯片的亮度。
一种结构图形衬底制备方法 led 外延

[发明专利]一种外延片、制备方法及发光二极管-CN202310352331.0在审
发明人：向炯;王子荣;卢建航;张锦宏;王农华 -专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延片、制备方法及发光二极管。外延片包括：衬底，衬底一侧设置有多个凸起结构，凸起结构呈周期排布，相邻凸起结构之间形成凹坑结构，相邻凹坑结构相连；第一缓冲层，位于靠近凹坑结构一侧；无掺杂GaN层，位于第一缓冲层远离衬底一侧；无掺杂GaN层内存在至少一种凹形微结构，同一种凹形微结构呈周期排布；沿垂直于衬底的方向，至少部分凹形微结构与凸起结构至少部分交叠；位于无掺杂GaN层远离衬底一侧依次设置的N型GaN层、多量子阱有源层、第二缓冲层和P型GaN层。通过在无掺杂GaN层中引入凹形微结构，降低后续生长GaN层中的位错密度和应力释放，改善晶体质量，提高出光效率。
一种外延制备方法发光二极管

[实用新型]晶片装载装置-CN202223366551.9有效
发明人：陆前军;全明;张剑桥;王农华;黄杰煌;杨霖 -专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体晶圆加工技术领域，公开一种晶片装载装置。其中晶片装载装置的装载固定系统包括装载执行件和固定执行件，装载执行件能将晶片装载于载具组件，固定执行件能固定装载后的载具组件；转换工作台上设置有与装载执行件对应的装载工位和与固定执行件对应的固定工位，转换工作台转动设置，以将置于装载工位和固定工位的载具组件转换位置；传送系统设置于转换工作台的一侧，包括承载架和传送执行件，传送执行件能将承载架上空载的载具组件放置于固定工位，并将固定工位装载后且固定后的载具组件放置于承载架；晶片定位能定位晶片，以为装载执行件提供定位后的晶片。本实用新型工作效率更高，装载和固定的精度更好，结构更加紧凑。
晶片装载装置

[发明专利]晶片装载装置及装载方法-CN202211613951.7在审
发明人：陆前军;全明;张剑桥;王农华;黄杰煌;杨霖 -专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶圆加工技术领域，公开一种晶片装载装置及装载方法。其中晶片装载装置的装载固定系统包括装载执行件和固定执行件，装载执行件能将晶片装载于载具组件，固定执行件能固定装载后的载具组件；转换工作台上设置有与装载执行件对应的装载工位和与固定执行件对应的固定工位，转换工作台转动设置，以将置于装载工位和固定工位的载具组件转换位置；传送系统设置于转换工作台的一侧，包括承载架和传送执行件，传送执行件能将承载架上空载的载具组件放置于固定工位，并将固定工位装载后且固定后的载具组件放置于承载架；晶片定位能定位晶片，以为装载执行件提供定位后的晶片。本发明工作效率更高，装载和固定的精度更好，结构更加紧凑。
晶片装载装置方法

[发明专利]一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片-CN202211658887.4在审
发明人：王子荣;赵伍林;王农华 -专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片，该图形化复合衬底的制备方法包括：提供图形化衬底，并在所述图形化衬底的表面形成光刻胶层；采用平面软膜对所述光刻胶层进行压印，以使所述第一光刻胶部的厚度小于所述第二光刻胶部的厚度；去除部分所述第一光刻胶部；在裸露出的所述图形结构的至少顶部区域形成至少一层第一异质层；去除剩余所述光刻胶层，并保留所述图形结构上的所述第一异质层，形成复合图形结构。本发明实施例采用平面软膜压印技术制备图形化复合衬底，实现了图形化复合衬底简单、高效且稳定地制备，利用该图形化复合衬底制备LED，能够有效提高图形化复合衬底对LED的光提取率，以及有效提高芯片的亮度。
一种图形复合衬底制备方法 led 外延

[实用新型]一种图形化复合基底及LED外延片-CN201920953268.5有效
发明人：康凯;杨志伟;陆前军;曾广艺;向炯;王农华;吴先燕;陈志勤;张剑桥;王子荣 -专利权人：东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种图形化复合基底及LED外延片。该图形化复合基底包括：图形化蓝宝石基板，所述图形化蓝宝石基板表面形成有多个蓝宝石台状微结构；位于所述蓝宝石台状微结构上的异质微结构，所述异质微结构覆盖所述蓝宝石台状微结构的至少部分顶面。本实用新型实施例通过异质微结构覆盖蓝宝石台状微结构的至少部分顶面，一方面避免了外延材料在蓝宝石台状微结构的上表面的生长，抑制外延材料在图形化蓝宝石基底上产生双面竞争生长，另一方面保证了在台状微结构上生长外延材料时，可以释放生长应力，降低了外延生长时产生的缺陷，保证了外延层的质量，有利于改善出光率和增加LED的亮度。
一种图形复合基底 led 外延

[发明专利]一种图形化复合基底、制备方法及LED外延片-CN201910548880.9在审
发明人：康凯;杨志伟;陆前军;曾广艺;向炯;王农华;吴先燕;陈志勤;张剑桥;王子荣 -专利权人：东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种图形化复合基底、制备方法及LED外延片。该图形化复合基底包括：图形化蓝宝石基板，所述图形化蓝宝石基板表面形成有多个蓝宝石台状微结构；位于所述蓝宝石台状微结构上的异质微结构，所述异质微结构覆盖所述蓝宝石台状微结构的至少部分顶面。本发明实施例通过异质微结构覆盖蓝宝石台状微结构的至少部分顶面，一方面避免了外延材料在蓝宝石台状微结构的上表面的生长，抑制外延材料在图形化蓝宝石基底上产生双面竞争生长，另一方面保证了在台状微结构上生长外延材料时，可以释放生长应力，降低了外延生长时产生的缺陷，保证了外延层的质量，有利于改善出光率和增加LED的亮度。
微结构台状蓝宝石图形化蓝宝石外延材料复合基图形化异质生长顶面制备基板表面外延生长出光率上表面外延层覆盖基板基底保证释放

[发明专利]一种制备GaN生长用图形化蓝宝石衬底的方法-CN201210119613.8有效
发明人：代锦红;王农华;孙永健;张国义 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备GaN生长用图形化蓝宝石衬底的方法。首先，在蓝宝石衬底上制备一层SiO2薄膜，以图形化光刻胶为掩膜，利用BOE溶液蚀刻SiO2，形成到二氧化硅掩膜图形；然后再湿蚀刻蓝宝石衬底，得到图形化蓝宝石衬底，其特征在于，在用BOE溶液蚀刻SiO2前，将衬底放入特定的缓冲液中浸泡进行预处理，从而有效解决了BOE溶液蚀刻裸露的SiO2时出现的不均匀现象，避免SiO2掩膜局部脱落，形成均匀、规则的SiO2掩膜，使得后续工艺制备的蓝宝石图形也很均匀，为外延生长提供一个外观完美、均匀的图形化蓝宝石衬底，有效提高外延生长质量，大大减少位错密度。
一种制备 gan 生长图形蓝宝石衬底方法

1
共 8 条