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[发明专利]一种碳化硅外延生长的控制方法及碳化硅外延片-CN202011344467.X有效
发明人：黄海林;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅外延生长的控制方法及碳化硅外延片，所述控制方法包括：将碳化硅衬底放入充满氢气的反应室，进行刻蚀；对反应室加热通入生长源，进行第一外延生长；停止通入氢气，将反应室内的剩余气体排出反应室，只向反应室通入惰性气体以置换剩余气体，同时降低反应室的压力为第一压力，在惰性气体通入过程中对外延生长控制参数进行调整；参数调整完毕后将反应室内的惰性气体置换为氢气，并升高反应室的压力至第二压力进行第二外延生长；降低温度并恢复到初始压力，获得碳化硅外延片。采用上述方法可以获得不同掺杂类型、不同掺杂浓度的连续P型外延层或N型外延层，同时可以减少了外延片表面凹坑的产生，提高外延片的质量。
一种碳化硅外延生长控制方法

[发明专利]一种提高碳化硅外延薄膜生长质量的方法-CN202011420249.X有效
发明人：刘杰;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高碳化硅外延薄膜生长质量的方法，包括清洗衬底置于反应室内的小盘上；将反应室抽至真空，随后通入氢气，进行恒温刻蚀；采用线性缓变的方式在20～100s内改变反应室压力、温度，同时通入碳源、硅源，其中C/Si摩尔比由0渐变至0.80～1.10；采用线性缓变的方式在20～100s内改变碳源流量和硅源流量，保持C/Si摩尔比不变；采用线性缓变的方式20～100s内改变温度、压力、碳源流量以及硅源流量至目标条件进行外延薄膜生长直至目标厚度等。采用本发明所述提高碳化硅外延薄膜生长质量的方法，可以显著降低外延薄膜的外延薄膜的晶体缺陷，其工艺控制简洁，可操作性强，具有较好的运用前景。
一种提高碳化硅外延薄膜生长质量方法

[实用新型]一种外延薄膜生长承载盘-CN202022770695.5有效
发明人：刘杰;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种外延薄膜生长承载盘，包括圆盘，所述圆盘上表面设置环形凹槽，所述凹槽内设置至少一个内环，所述内环与所述圆盘可拆卸地连接；所述圆盘的外周设置环形凸起，所述凸起的外沿套接外环，所述外环的外沿与所述圆盘的外沿平齐。所述外延薄膜生长承载盘可以通过增加或者去除内环，使得承载盘厚度发生改变，从而达到调整晶片表面温场分布的效果，控制方法简便，普通操作者皆可以掌握，便于推广运用，尤其适用于碳化硅外沿薄膜的制备。
一种外延薄膜生长承载

[实用新型]一种分离式外延生长承载盘-CN202023025764.6有效
发明人：黄海林 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种分离式外延生长承载盘，包括圆盘，所述圆盘一侧表面设有与其圆心相同的圆形凸台；圆环组件，所述圆环组件包括圆弧段和限位块，所述圆弧段的高度大于所述圆形凸台的高度，所述圆弧段外表面为碳化钽涂层，所述限位块与所述圆弧段的缺口相匹配，从而在所述圆环组件套接所述圆形凸台状态下，所述限位块与所述圆弧段构成封闭的与所述圆形凸台同心的圆环；所述圆环组件外侧套接限位圆环。所述分离式外延生长承载盘可以避免碳化硅外延生长时衬底粘连承载盘，圆弧段和限位块可以分离，分离时便于碳化硅衬底的放入或取出；二者配合形成与圆形凸台同心的圆环，以更好地托起碳化硅衬底。
一种分离外延生长承载

[发明专利]一种晶片清洗装置-CN202110430344.6在审
发明人：李奕洋;张泽康;孙永强;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶片清洗装置，包括清洗腔、定位板、给水管路、干燥气体管路及盛有酸液的酸缸；酸缸内设有用于产生亚沸状态酸的加热板，酸缸与清洗腔导通；定位板设置于清洗腔内，且定位板上开有用于定位晶片的定位槽；给水管路与清洗腔导通，干燥气体管路也与清洗腔导通，清洗腔内还设有排气孔及排液孔。本装置用亚沸蒸馏的酸蒸汽进行晶片清洗，避免酸液与清洗槽体的直接接触，有效降低清洗酸液的金属含量，进而达到更好的表面金属去除效果，同时还可节约酸液的用量。装置还设置了清洗及干燥管路，可对实现晶片的酸液冲洗，并快速干燥晶片，无残留，效率高。
一种晶片清洗装置

[实用新型]一种碳化硅外延反应室侧壁部件-CN202022031451.5有效
发明人：李凯希;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碳化硅外延反应室侧壁部件，包括分别安装于碳化硅外延反应室相对两侧壁上且镜像设置的两侧壁挡板，其特征在于：所述侧壁挡板由至少两拼接件沿前后方向拼接而成，每一拼接件的前端和/或后端上具有与相邻拼接件进行拼接的拼接部，且每一侧壁挡板的所有拼接件相互拼接后形成沿前后方向延伸、且连续的内壁面，已解决现有侧壁部件更换成本高的问题。
一种碳化硅外延反应侧壁部件

[实用新型]一种碳化硅外延反应室源气进气过渡部件-CN202022046710.1有效
发明人：李凯希;张泽康;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅外延反应室源气进气过渡部件，由于第一本体和第二本体相嵌合配合，由于淀积生长过程中会产生大量高温的附属物粉尘和颗粒吸附在源气进气过渡部件内，因此，当位于后端的第二本体淀积的粉尘和颗粒较厚时，可仅更换第二本体，使用更加方便且降低了成本；且，由于第一隔板和第二隔板可分别在第一本体和第二本体内活动，可根据实际需要随时调整第一隔板和第二隔板的位置进而调整第一通道和第二通道的流量以使工艺气体在进入反应室时可混合的更加均匀。同时，第一定位组件可定位第一隔板与第一本体，第二定位组件可定位第二隔板和第二本体，稳定性更好，第一隔板和第二隔板不会由于气流的大小进行晃动或移位。
一种碳化硅外延反应室源气进气过渡部件

[实用新型]一种源气进气过渡部件的拆取装置-CN202022095273.2有效
发明人：陈飞翔;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种源气进气过渡部件的拆取装置，可将倒钩部的一端从过渡本体的一侧开口伸入并从过渡本体的另一侧开口伸出，通过手持板向上提起该拆取装置直至插板顶面靠抵在过渡本体内腔顶面，此时倒钩部和限位部可对过渡本体内腔顶部进行前后限位，避免过渡本体从拆取装置上脱出；接着，向外拉出该拆取装置，在倒钩部的带动下过渡本体一并被拉出。通过该拆取装置使得源气进气过渡部件的拆卸更加简单、快速且方便，避免由于淀积了附属物导致过渡本体内腔变小时人手指无法伸入进而无法快速拆取过渡本体的情况发生，且源气进气过渡部件在倒钩部和限位部的共同作用下不会从拆取装置上脱出，可避免源气进气过渡部件掉落至底面而损坏。
一种源气进气过渡部件装置

[实用新型]一种碳化硅晶片检视载台-CN202022194570.2有效
发明人：陈能珠;陈夏丽;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碳化硅晶片检视载台，包括一黑色灯箱、固定载台和灯具，所述黑色灯箱的顶面中部上开设有一观察窗口，所述固定载台安装于黑色灯箱的观察窗口内，所述灯具安装于观察窗口的斜上方，且朝向所述观察窗口照射；所述固定载台可转动的安装在观察窗口内，该固定载台上具有用于固定真空吸笔的固定槽以及驱动该固定载台转动的手把，真空吸笔水平的固定于该固定槽内，且该固定载台以真空吸笔的笔杆为轴进行转动，保证了检视过程中的检视角度、距离、背景都是固定的，避免了人为操作的误差。
一种碳化硅晶片检视

[发明专利]一种调压清洗设备-CN201911405142.5在审
发明人：黄海林;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： B08B3/10 文献下载
摘要：本发明旨在提供一种设计合理、清洗速度快、安全性高并且能有效去除晶片表面微小的颗粒沾污的调压清洗设备。本发明包括控制系统、筒体、载台、清洗液循环装置以及气压控制装置，所述载台、所述清洗液循环装置和所述气压控制装置均所述控制系统电信号连接，所述载台位于所述筒体内，所述筒体的进水口和排水口与所述清洗液循环装置相连通，所述气压控制装置与所述筒体的内腔相连通，所述载台上设有若干个与产品相适配的放置槽、设于所述放置槽底端的真空吸口、设于所述放置槽下方的加热芯片以及设于所述载台内壁上的温度传感器。本发明应用于碳化硅半导体清洗设备的技术领域。
一种调压清洗设备

[发明专利]一种碳化硅外延粉尘收集装置-CN201911400042.3在审
发明人：罗金云;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明旨在提供一种碳化硅外延粉尘收集装置，其能防止产生的单晶炉粉尘对后续真空泵等生产设备的破坏，节省了大量设备维护成本。碳化硅外延粉尘收集装置安装在单晶炉真空管道与真空泵之间，其包括筒体、若干个设于所述筒体内的过滤网层以及设于靠近真空泵的所述过滤网层底端上的滤布，所述过滤网层呈倒碗状结构，所述过滤网层上开设有若干个过滤孔，若干个所述过滤网层上的所述过滤孔沿由上至下方向呈渐小结构，所述过滤网层周边上设有若干个排出口，所述筒体上设有储尘桶，所述排出口与所述储尘桶相连通，空气由真空泵通过进气道抽入，依次通过所有所述过滤网层和所述滤布后从出气道排出。本发明应用于粉尘收集结构的技术领域。
一种碳化硅外延粉尘收集装置

[发明专利]碳化硅外延生长反应室的顶盖结构-CN201911400025.X在审
发明人：冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅外延生长反应室的顶盖结构，涉及外延生长设备技术领域，包括顶盖本体和内顶盖，其特征在于，所述内顶盖包括外圈和内圈，所述外圈固定在所述顶盖本体上表面，所述内圈悬空设于所述顶盖本体上方，所述外圈和内圈之间通过支撑部连接。本发明主要是通过对顶盖结构进行设计改良，在顶盖上表面形成向上凸起的内圈，这样，使得顶盖内部具有优异的抗压及支撑能力，也明显减少了顶盖的破损现象，增强了抗压力，同时，其结构设计巧妙合理，易于成型制作，适用于推广使用。
碳化硅外延生长反应顶盖结构

[发明专利]一种T型外延炉结构-CN201911400028.3在审
发明人：黄海林;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明旨在提供一种反应效果好、产品一致性高并且能有效防止掺杂浓度不均匀现象的T型外延炉结构。本发明包括反应炉、设于所述反应炉内部的腔体、设于所述腔体内的转盘、若干个设于所述反应炉顶部中间位置的进气孔以及若干个均设于所述反应炉底部的出气孔，所述进气孔呈均匀排布并与所述腔体相连通，一所述进气孔对应一反应气体并且若干个所述进气孔上均设有调节阀，所述进气孔靠近进气的一端上设有第一RF线圈加热器，所述转盘上设有第二RF线圈加热器，若干个所述出气孔沿所述转盘呈对称结构，所述出气孔的一端与所述腔体相连通，所述出气孔的另一端与抽气泵相连通。本发明应用于反应炉结构的技术领域。
一种外延结构

[发明专利]一种透明材料的缺陷分析方法-CN201610351566.8有效
发明人：吕立平 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明材料的缺陷分析方法，是对透明材料进行微观缺陷检测得到与透明材料实物相匹配的缺陷分布图，将透明材料通过对位重合的附于缺陷分布图上，采用扫描仪通过图像扫描得到实物‑结果对比图，并通过该实物‑结果对比图分析缺陷与透明材料外观之间的相关性。本发明的方法借由扫描仪的图像复制功能得到透明材料的真实图像及与缺陷分布图之间的直观比对，进而找出微观缺陷与透明材料破损等问题之间的相关性，抗光干扰性强，操作简单，可靠性强，具有实际应用价值。
一种透明材料缺陷分析方法

[实用新型]一种晶片载离子浓度测试载台-CN201721375888.2有效
发明人：陈志霞;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶片载离子浓度测试载台，所述载台用于放置晶片的操作面具有若干同心设置的环形槽，该些环形槽分别设有与圆缺形晶片的主参考边匹配的定位段；所述载台设有用于抽真空的真空吸附孔，位于相对内侧的至少一环形槽与所述真空吸附孔连通。将圆缺形晶片放置于相应的环形槽内并使主参考边对应定位段，并通过抽真空实现吸附，可以确保每次测量，相同尺寸的待测晶片在测试载台上的放置位置都是唯一固定的，从而保证每次测量所测的点都为相同坐标位置，这样就可以确保同一晶片前后测试结果的一致性，及准确对比不同晶片相同位置浓度之间的差异性，从而促进晶片外延生长工艺的持续改进。
晶片环形槽真空吸附孔浓度测试参考边抽真空定位段圆缺形种晶离子测量外延生长工艺放置晶片放置位置晶片放置同心设置坐标位置操作面差异性固定的吸附载台连通匹配测试改进保证