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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种高质量碳化硅外延生长工艺-CN201711000158.9在审
发明人：钱卫宁;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量碳化硅外延生长工艺，通过化学气相沉积工艺于碳化硅衬底上依次同质生长若干个碳化硅缓冲层，于最上一缓冲层上生长碳化硅外延层；其中由下至上各缓冲层的生长速度阶梯式递增，且最上一缓冲层的生长速度不高于所述外延层的生长速度。通过对生长速度的阶梯式控制生长形成多层的缓冲层，多层缓冲层之间的短暂生长中断所形成的多个界面依次降低缺陷的传播，从而阻断了衬底的缺陷向外延层的延伸传播，降低了外延层中的缺陷数量，提高了外延质量，基于所述外延晶片制造的功能器件其特性及成品率提高。
一种质量碳化硅外延生长工艺

[发明专利]一种用于密闭反应室的自净化系统-CN201510018754.4有效
发明人：吕立平;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本发明公开一种用于密闭反应室的自净化系统，密闭反应室包括一个主箱体，主箱体内开设上腔体和下腔体，上腔体与下腔体通过一隔板隔开，隔板上开设一通风孔；主箱体外侧开设送风口和抽风口；自净化系统包括控制箱、过滤箱、风机、送风法兰、抽风法兰和电控风阀；风机安装在隔板下沿并与通风孔对接，主箱体的上腔体顶部与下腔体底部均安装过滤箱；送风法兰安装在主箱体的送风口，抽风法兰内置一电控风阀，抽风法兰安装在主箱体的抽风口；控制箱安装在主箱体外部；风机和电控风阀均与变频控制器电连接；本发明应用于碳化硅外延生长的密闭反应室，能够快速有效的清理反应室腔体内的细小颗粒，提高生产效率。
一种用于密闭反应净化系统

[实用新型]一种外延炉的偏心盖环-CN201620388213.0有效
发明人：罗金云;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2016-05-03 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延炉的偏心盖环，所述偏心盖环设置于外延炉的小盘上并具有环状结构，其环状结构的内圆和外圆偏心设置且分别具有一缺口，两缺口叠合形成一开口，小尺寸外延晶片置于内圆区域内可有效模拟大尺寸晶片生长，并在缺口所在方向上实现大尺寸晶片全半径范围的结构及性能展现，从而实现用小尺寸晶片进行大尺寸晶片工艺的调试，同时该偏心盖环可以重复利用，节约了原材的消耗，节省生产成本。
一种外延偏心

[发明专利]一种碳化硅外延炉的配件处理方法-CN201610377959.6在审
发明人：吕立平 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅外延炉的配件处理方法，用于处理碳化硅化学沉积外延炉内配件上沉积的硅，是在高温下向碳化硅外延炉中通入氯化氢气体，氯化氢气体与炉内配件上沉积的硅反应从而去除沉积的硅，减少了配件上硅污染物给工艺带来的不良影响，节省了配件的消耗费用，使得平均一台设备每炉节省300元的成本。
一种碳化硅外延配件处理方法

[实用新型]一种外延炉小盘基座-CN201620364915.5有效
发明人：孙永强;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延炉小盘基座，所述小盘基座中部凸起形成用于生长外延晶片的可旋转圆盘平台，圆盘平台上表面的周缘设置有至少三个限位块，所述限位块是沿圆盘平台周向延伸的条状凸起且近圆盘平台中心一侧形成与外延晶片匹配的圆弧段。通过限位块将衬底固定于圆盘平台上，去除了外限位环，固定效果好，可有效防止生长过程中晶片衬底飞离圆盘平台。
一种外延小盘基座

[实用新型]一种外延炉反应室的可拆卸顶盖-CN201620365709.6有效
发明人：李奕洋;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延炉反应室的可拆卸顶盖，包括上顶盖及下顶盖，下顶盖包括一中心圆插件及至少两个扇形环插件，所述中心圆插件通过连接件与上顶盖中部连接，所述扇形环插件紧密配合的环绕于中心圆插件外侧并分别与上顶盖连接；其中中心圆插件与扇形环插件的相接处及扇形环插件相互之间的相接处均形成台阶状配合。相对于传统的整片式下顶盖，本实用新型设计成多部件拼接易于拆卸清洁维护及更换，同时多点受力可以有效减少形变防止抱死。
一种外延反应可拆卸顶盖

[实用新型]一种分段加热式外延炉-CN201620406259.0有效
发明人：钱卫宁;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分段加热式外延炉，该外延炉的反应室内设置有大盘，大盘中心上方设置有用于向反应室内输入源气的注入器，大盘上围绕中心设置若干用于放置晶片的小盘基座，大盘底部设置有用于给大盘加热的加热线圈。加热线圈呈平面螺旋型绕设于大盘底部且具有至少一断开点，以形成至少两个分段，各分段独立工作分别控制加热程度，其中中心区域的加热程度较高以补偿常温源气进入的温差，从而使大盘径向温度均一，避免了径向的温度梯度，节约了源气，提高了外延工艺的稳定性。
一种分段加热外延

[实用新型]一种外延炉的盖片-CN201620388943.0有效
发明人：罗金云;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2016-05-03 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延炉的盖片，设置于外延炉大盘上相邻小盘基座之间的间隙区域，该盖片包括上盖片及下盖片，所述上盖片由所述大盘边缘延伸至与相邻两小盘基座的圆心连接线平齐，所述下盖片由所述圆心连接线延伸至所述大盘的中部，所述上盖片与下盖片相互配合并覆盖所述间隙区域。本实用新型通过上下盖片的分段设计可有效避免因加热沉积作用导致的变形，从而提高其使用寿命，避免对晶片生长过程产生不良影响，降低了生产成本。
一种外延

[实用新型]一种预加热式外延炉-CN201620405996.9有效
发明人：钱卫宁;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种预加热式外延炉，该外延炉的反应室内设置大盘及位于大盘中心上方的注入器，大盘上设置若干用于放置晶片的小盘基座，大盘底部设置有加热线圈，至少一进气管路与注入器相通并通过注入器向反应室内输入源气，其中进气管路上设置有预加热装置，该预加热装置包括串联于进气管路上的至少两个管体，各管体分别设置有加热元件，管体内形成加热腔以对通过的源气进行逐级加热，从而提高了注入器进入反应室的源气的温度，避免了径向的温度梯度，使大盘内温度均匀，节约了源气，同时提高了外延工艺的稳定性。
一种加热外延

[实用新型]一种碳化硅外延炉尾气管道-CN201520024815.3有效
发明人：罗金云;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本实用新型公开一种碳化硅外延炉尾气管道，包括复数个主管道、支管道和水管；主管道由管道主体和连接端组成，主管道的两端和中间均设置连接端，支管道也形成连接端，主管道中间的连接端与支管道连接端对接，支管道的连接端设置一水管；本实用新型实现管道的快速冷却，防止尾气管道漏气，降低生产成本。
一种碳化硅外延尾气管道

[实用新型]一种碳化硅外延炉-CN201520024787.5有效
发明人：李奕洋;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种碳化硅外延炉，包括顶盖和反应室；顶盖包括外盖，上顶盖、下顶盖、锁扣和第一测温系统，上顶盖和下顶盖通过锁扣固定在外盖上，反应室包括第二测温系统、一个大盘基座、若干个小盘基座、盖片和支架，盖片通过支架安装在大盘基座中间，小盘基座设于大盘基座上并分布在盖片周围，第二测温系统的测温点设于大盘基座底部，第一测温系统的测温点设在小盘基座上；顶盖上设有测温孔，测温孔设在小盘基座上方，测温孔贯穿外盖、上顶盖和下顶盖；本实用新型实现碳硅化合物的有效去除，便于碳化硅外延炉的维护，提升碳化硅外延生长工艺的稳定性。
一种碳化硅外延

[实用新型]碳化硅外延炉的进气装置-CN201520024695.7有效
发明人：钱卫宁;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本实用新型公开一种碳化硅外延炉的进气装置；包括进气管和主腔体；主腔体呈圆柱形，主腔体侧边开设多个圆形出气孔，进气管上开设进气口，进气管插置在主腔体上；本实用新型有效防止出气孔堵塞，提高碳化硅外延生长反应的稳定性。
碳化硅外延装置

[实用新型]一种碳化硅外延炉的进气装置-CN201520024722.0有效
发明人：钱卫宁;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本实用新型公开一种碳化硅外延炉的进气装置，包括进气管和主腔体；主腔体呈圆柱形，主腔体下端开设多个出气孔，主腔体上端封闭；进气管一端开设进气口，进气管另一端伸入到主腔体内；本实用新型对反应气体进行预加热，有效防止出气孔堵塞，减小进气口装置与碳化硅反应室的温度差，延长反应室内配件的使用寿命及提高外延晶片的质量。
一种碳化硅外延装置

[实用新型]一种用于密闭反应室的自净化系统-CN201520024736.2有效
发明人：吕立平;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于密闭反应室的自净化系统，密闭反应室包括一个主箱体，主箱体内开设上腔体和下腔体，上腔体与下腔体通过一隔板隔开，隔板上开设一通风孔；主箱体外侧开设送风口和抽风口；自净化系统包括控制箱、过滤箱、风机、送风法兰、抽风法兰和电控风阀；风机安装在隔板下沿并与通风孔对接，主箱体的上腔体顶部与下腔体底部均安装过滤箱；送风法兰安装在主箱体的送风口，抽风法兰内置一电控风阀，抽风法兰安装在主箱体的抽风口；控制箱安装在主箱体外部；风机和电控风阀均与变频控制器电连接；本实用新型应用于碳化硅外延生长的密闭反应室，能够快速有效的清理反应室腔体内的细小颗粒，提高生产效率。
一种用于密闭反应净化系统

[发明专利]一种碳化硅外延炉的半圆形盖片-CN201510018209.5在审
发明人：孙永强;冯淦;赵建辉 -专利权人： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅外延炉的半圆形盖片，包括大盖片和小盖片；大盖片和小盖片均为圆环形状，大盖片由两个半圆环盖片拼接而成，大盖片中间形成一个圆环形凹槽，小盖片由复数个扇形圆环盖片拼接而成，小盖片安装在大盖片的圆环形凹槽内；本发明能够提高碳化硅外延炉的半圆形盖片的利用率和碳化硅外延晶片的生产效率，降低生产成本。
一种碳化硅外延半圆形

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