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[发明专利]电介质陶瓷组合物及电子部件-CN200810175631.1有效
发明人：高桥哲弘;渡边康夫;兼子俊彦;细野雅和;石井辰也;武田早织;益子泰辅 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明涉及电介质陶瓷组合物及电子部件。本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其作为主成分具有BaTiO₃，相对于主成分100摩尔，作为副成分，以各氧化物或复合氧化物换算，含有：MgO：0.50～3.0摩尔、MnO：0.05～0.5摩尔、选自Sm、Eu、Gd中的元素的氧化物(RE¹₂O₃)、选自Tb、Dy中的元素的氧化物(RE²₂O₃)、选自Y、Ho、Er、Yb、Tm、Lu中的元素的氧化物(RE³₂O₃)、BaZrO₃：0.20～1.0摩尔、及选自V、Ta、Mo、Nb、W中的元素的氧化物：0.05～0.25摩尔，上述RE¹₂O₃、RE²₂O₃和RE³₂O₃的含量满足：RE¹₂O₃＜RE²₂O₃，及(RE¹₂O₃+RE²₂O₃)≤RE³₂O₃。
电介质陶瓷组合电子部件

[发明专利]电介质陶瓷组合物、电子部件及其制造方法-CN200710137992.2无效
发明人：小岛畅;M·柳田;细野雅和;渡边康夫;佐藤阳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种电介质陶瓷组合物的制造方法，该电介质陶瓷组合物具有：含有钛酸钡的主成分，所述钛酸钡组成式Ba_mTiO_2+m中的m为0.990＜m＜1.010；含有R氧化物(其中，R为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少1种)的第4副成分；至少含有BaO的其它副成分。该方法具有使主成分原料和第4副成分的原料的至少一部分预先反应，准备反应过的原料的工序，并且当相对于主成分100摩尔，其它副成分中的BaO为n摩尔时，组成式Ba_m+n/100TiO_2+m+n/100中的m和n满足0.994＜m+n/100＜1.014。根据本发明，可以提供在不使容量温度特性、IR、IR加速寿命等变差的条件下，能够提高相对介电常数的电介质陶瓷组合物及其制造方法。
电介质陶瓷组合电子部件及其制造方法

[发明专利]电介质陶瓷组合物、电子部件及其制造方法-CN200710100649.0无效
发明人：小岛畅;M·柳田;原治也;渡边康夫;佐藤阳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-02-28 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：一种电介质陶瓷组合物的制造方法，其中，该电介质陶瓷组合物包括含钛酸钡的主成分和含R氧化物的第四副成分，所述钛酸钡由组成式Ba_mTiO_2+m表示，所述组成式中的m满足以下关系：0.990＜m＜1.010，所述R是选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu之中的至少一种，其中包括所述主成分的原料与所述第四副成分的原料的至少一部分预先反应，获得已反应原料的工序。根据本发明，可以提供一种电介质陶瓷组合物及其制造方法，其能够提高相对介电常数，而其它电气特性(例如静电容量的温度特性、绝缘电阻、绝缘电阻的加速寿命、介电损耗)不发生恶化。
电介质陶瓷组合电子部件及其制造方法

[发明专利]陶瓷粉末及使用它的导电糊、层叠陶瓷电子部件、其制法-CN200710086020.5无效
发明人：原治也;渡边康夫;佐藤阳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-03-07 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种实现绝缘性或高温负荷时的耐久性的改善，且可靠性高的层叠陶瓷电子部件。为此，在电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件中，作为向用于形成内部电极层的导电糊中添加的陶瓷粉末，使用如下陶瓷粉末，即具有钙钛矿型晶体结构，四方相的含量Wt与立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc为2以上。四方相与立方相的重量比Wt/Wc是通过Rietveld法多相分析求得的。陶瓷粉末例如可以是钛酸钡。
陶瓷粉末使用导电层叠电子部件制法

[发明专利]陶瓷粉末、导电浆、层积陶瓷电子部件及其制造方法-CN200710086092.X无效
发明人：原治也;渡边康夫;佐藤阳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-03-09 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明的目的是对于层积陶瓷电子部件，抑制裂纹的发生，提高制造成品率。对于电介质陶瓷层和内部电极层交互层积而成的层积陶瓷电子部件，作为添加到用来形成内部电极层的导电浆中的陶瓷粉末，使用具有钙钛矿型晶体构造，并且正方晶相的含量Wt与立方晶相的含量Wc的重量比Wt/Wc小于2的陶瓷粉末。正方晶相和立方晶相的重量比Wt/Wc是由利用Rietveld法的多相解析求出的。陶瓷粉末例如是钛酸钡粉末。
陶瓷粉末导电层积电子部件及其制造方法

[发明专利]陶瓷粉末及使用它的电介质糊、层叠陶瓷电子部件、其制法-CN200710086019.2无效
发明人：原治也;渡边康夫;佐藤阳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-03-07 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种层叠陶瓷电子部件，实现绝缘不良的降低或耐电压特性的改善，抑制裂缝或分层的发生，提高制造成品率。为此，在电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件中，作为用于形成电介质陶瓷层的陶瓷粉末，使用如下陶瓷粉末，即具有钙钛矿型晶体结构，四方相的含量Wt与立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc为X时，X＜3。四方相与立方相的重量比Wt/Wc是通过Rietveld法多相分析求得的。陶瓷粉末例如可以是钛酸钡粉末。陶瓷粉末的比表面积为4～10m²/g。
陶瓷粉末使用电介质层叠电子部件制法

[发明专利]陶瓷粉末、电介质浆、层积陶瓷电子部件及其制造方法-CN200710086089.8无效
发明人：原治也;渡边康夫;佐藤阳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-03-09 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明的目的为对于层积陶瓷电子部件，实现比介电常数的提高和介电损耗的下降，并且在进行所构成电介质陶瓷层的薄层化时也能够维持充分的容量温度特性。本发明提供一种电介质陶瓷层和内部电极层交互层积的层积陶瓷电子部件，其中，作为用来形成所述电介质陶瓷层的陶瓷粉末，使用具有钙钛矿型晶体结构，并且将正方晶相的含量Wt与立方晶相的含量Wc的重量比Wt/Wc记为X时，X≥3的陶瓷粉末。这里，正方晶相与立方晶相的重量比Wt/Wc是由利用Rietveld法的多相解析来求出。陶瓷粉末是例如钛酸钡粉末。陶瓷粉末的比表面积为4～10m²/g。
陶瓷粉末电介质层积电子部件及其制造方法

[发明专利]电介质陶瓷组合物及其制造方法-CN200710092385.9无效
发明人： 渡边康夫 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-02-17 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种电介质陶瓷组合物，其包含含有电介质氧化物的主成分、和具有含Li氧化物的第一成分和含M1氧化物(其中，M1是从V族、VI族元素中选择的至少一种元素)的第二成分的烧结助剂，其中所述电介质陶瓷组合物具有多个电介质粒子，以及存在于相邻的所述电介质粒子之间的晶粒边界；多个所述电介质粒子从粒子表面向粒子内部M1元素的浓度降低，同时当设所述电介质粒子的粒径为D，所述晶粒边界处M1元素的含量为100％的情况下，在距离粒子表面的深度为所述粒径D的50％的深度T₅₀处，M1元素的含量为3－55％。
电介质陶瓷组合及其制造方法

[发明专利]电子部件、电介质陶瓷组合物及其制造方法-CN200510107398.X无效
发明人： M·柳田;原治也;渡边康夫;佐藤阳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2005-12-13 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种电介质陶瓷组合物的制造方法，其特征在于：使用如下原料，该原料为使包含钛酸钡的主成分原料和包含R的氧化物(其中，R为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)的第4副成分原料的至少一部分预先反应的已反应原料。根据本发明，可以提供一种不使其它电特性(例如，静电电容的温度特性、绝缘电阻、绝缘电阻的加速寿命、介电损耗)恶化，可以提高介电常数的电介质陶瓷组成物及其制造方法。
电子部件电介质陶瓷组合及其制造方法

[发明专利]介电陶瓷组合物、其制造方法以及电子部件-CN200410104752.9有效
发明人： 渡边康夫;远藤健太;高原弥 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2004-11-26 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明提供一种介电陶瓷组合物的制造方法，其中介电陶瓷组合物以特定的比例含有如下成分：含有特定组成的介电体氧化物的主成分，该主成分可以提供具有优异的低频率介电特性的、绝缘电阻的加速寿命进一步提高的耐还原性介电陶瓷组合物的制造方法，含有V氧化物的第1副成分，含有Al氧化物的第2副成分，含有Mn氧化物的第3副成分，以及含有特定的烧结助剂的第4副成分；该方法包含如下工序：将至少除去第3副成分的原料和第4副成分的原料的一种或两种的其它副成分原料的至少一部分，与为了得到主成分原料而准备的起始原料混合，准备反应前原料的工序；使准备的反应前原料反应而得到反应后原料的工序；以及在所得的反应后原料中，混合在准备反应前原料时除去的副成分原料，得到介电陶瓷组合物原料的工序。
陶瓷组合制造方法以及电子部件

[发明专利]电介质瓷器组合物及电子部件-CN200480010227.9有效
发明人： 渡边康夫;高原弥 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2004-02-17 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明提供一种耐还原性的电介质瓷器组合物和可信度高的多层陶瓷电容器，上述组合物相对于{(Ca/Sr/Mg/Ba)O}_m(Zr/Ti)O₂构成的主成分100摩尔、含有不足7摩尔的V氧化物和不足15摩尔的Al氧化物、更优选含有不足5摩尔的Mn氧化物和不足20摩尔的复合氧化物{(Ba/Ca)O}_vSiO₂作为副成分(其中，0.8≤m≤1.3，0.5≤v≤4.0)，由此获得优良的低频介质特性，而且进一步提高了绝缘电阻的加速寿命。
电介质瓷器组合电子部件

[发明专利]层积陶瓷电子部件的制造方法-CN200410100538.6无效
发明人： 渡边康夫;远藤健太;高原弥 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供结构缺陷少、并改善了高温负荷寿命的层积陶瓷电容器等层积陶瓷电子部件的制造方法，这种层积陶瓷电子部件的制造方法的特征在于：具有烧结交互配置多个介电质层用糊剂和含贱金属内部电极层用糊剂的层积体的烧结工序、把该烧结后的层积体在600～900℃的温度T1下进行退火处理的第1退火工序、和把该第1退火后的层积体在900～1200℃(不含900℃)的温度T2下进行退火处理的第2退火工序。
层积陶瓷电子部件制造方法

[发明专利]具有介电层的电子器件及其生产方法-CN200410086126.1有效
发明人：福井隆史;渡边康夫;高桥三喜夫;佐藤阳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2001-02-09 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有介电层的电子器件及其生产方法。所述介电层由如下的介电陶瓷组合物组成，其至少含有式{(Sr_1－xCa_x)O}_m·(Ti_1－yZr_y)O₂的介电氧化物组合物的主要组分和含有R选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种元素的氧化物的第四次要组分，在主要组分表达式中：0.94＜m＜1.02，0≤x≤1.00，和0≤y≤0.20，以及基于100摩尔的主要组分，以R计，第四次要组分的摩尔比为0.02摩尔≤第四次要组分＜2摩尔。这种介电陶瓷组合物，在烧结时可以获得优异的抗还原性、在烧结后可获得优异的电容－温度特性，并改善绝缘电阻的加速寿命。
具有介电层电子器件及其生产方法

[发明专利]包含介电层的电子器件的制备方法-CN200410001482.9无效
发明人：福井隆史;渡边康夫;高桥三喜夫;佐藤阳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2001-03-30 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种制备包含介电层的电子器件的方法，该介电层包括含有以组成通式（Sr_1－xCa_x）O}_m·（Ti_1－YZr_y）O₂表示的主成分的介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中X满足0≤x≤1.00，所述组成通式中Y满足0≤Y≤0.20，其特征为通过采用以组成通式（Sr_1－xCa_x）O}_m·（Ti_1－YZr_y）O₂表示的起始材料制备所述介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中的摩尔比值m’满足m’
包含介电层电子器件制备方法

[发明专利]陶瓷组合物的制备方法和电子器件的制备方法-CN01119630.0无效
发明人：佐藤阳;渡边康夫;福井隆史;高桥三喜夫 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2001-03-30 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：一种制备包含由介电陶瓷组合物组成的介电层的电子器件的方法，所述介电陶瓷组合物含有用组成通式{(Sr_1-xCa_x)O}_m·(Ti_1-yZr_y)O₂表示的主成分，其中摩尔比m满足0.94＜m＜1.08，x满足0≤x≤1.00，y满足0≤y≤0.20；和包括R的氧化物的第四副成分(R是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)；根据该方法能制备具有优异的抗还原性、优异的电容—温度特性的诸如片状电容器的电子器件。
陶瓷组合制备方法电子器件

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