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- [发明专利]磁存储设备-CN202210847094.0在审
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浅尾吉昭;吉川将寿
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铠侠股份有限公司
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2022-07-07
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2023-03-10
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G11C11/15
- 实施例提供了一种可以减小存储单元的大小的磁存储设备。根据一个实施例，磁存储设备包括第一至第三导体层，以及被连接到第一至第三导体层的三端式存储单元。第一存储单元包括第四导体层、磁阻效应元件、两端式第一开关元件和两端式第二开关元件。第四导体层包括被连接到第一导体层的第一部分、被连接到第二导体层的第二部分以及被连接到第三导体层的第三部分。磁阻效应元件被连接在第三导体层与第四导体层之间。第一开关元件被连接在第二导体层与第四导体层之间。第二开关元件被连接在第一导体层与第三导体层之间。
- 存储设备
- [发明专利]电阻变化型存储装置-CN202110563973.6在审
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浅尾吉昭
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铠侠股份有限公司
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2021-05-24
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2022-08-26
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G11C7/12
- 实施方式提供一种能实现干扰抑制及高度集成的电阻变化型存储装置。一实施方式的电阻变化型存储装置具备存储单元、第1导电体、第2导电体及第3导电体。存储单元包含第1副存储单元及第2副存储单元。第1副存储单元包含第1可变电阻元件及第1双向切换元件。第2副存储单元包含第2可变电阻元件及第2双向切换元件。第1副存储单元位于第1导电体的上方。第2导电体位于第1副存储单元的上方。第2副存储单元位于第2导电体的上方。第3导电体位于第2副存储单元的上方。电阻变化型存储装置构成为，接收第1数据，当从存储单元读出的第2数据与第1数据不一致时，向存储单元写入第1数据。
- 电阻变化存储装置
- [发明专利]磁存储器-CN201610811789.8有效
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下村尚治;浅尾吉昭;石原贵光
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株式会社东芝
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2016-09-09
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2020-09-29
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G11C11/16
- 本实施方式的磁存储器具有至少一个存储器单元，所述存储器单元具有：导电层，具有第1端子和第2端子；一个磁阻元件，被配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层、并且具有第1磁性层、配置在所述导电层与所述第1磁性层之间的第2磁性层、及配置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层；二极管，对所述第1磁性层电连接有阳极以及阴极中的一方；以及晶体管，具有第3及第4端子和控制端子，所述第3端子与所述第1端子电连接。
- 磁存储器
- [发明专利]存储装置及其制造方法-CN201210068710.9有效
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山中贵哉;首藤晋;浅尾吉昭
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株式会社东芝
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2012-03-15
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2013-03-20
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H01L43/08
- 实施方式涉及存储装置及其制造方法。存储装置具备：第1信号线、第2信号线、晶体管、第1存储区域和第2存储区域。晶体管对在第1、第2信号线之间流动的第1方向及相反的第2方向的电流的导通进行控制。第1存储区域连接于第1信号线与晶体管的一端之间，具有若在第1方向流动第1平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行、若在第2方向流动第1反平行阈值以上的电流则成为反平行的第1磁性隧道接合元件。第2存储区域连接于第2信号线与晶体管的另一端之间，具有若在第2方向流动比第1平行阈值大的第2平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行、若在第1方向流动比第1反平行阈值大的第2反平行阈值以上的电流则成为反平行的第2磁性隧道接合元件。
- 存储装置及其制造方法
- [发明专利]电阻改变型存储器-CN201110085708.8无效
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下村尚治;浅尾吉昭
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株式会社东芝
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2009-01-09
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2011-08-17
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G11C11/00
- 一种电阻改变型存储器，包含：第一、第二和第三驱动线(L1、L2、L3)；电阻改变元件(MC)，其一端与第三驱动线(L3)相连接；第一二极管(D1)，具有与第一驱动线(L1)相连接的阳极和与第一电阻改变元件(MC)的另一端相连接的阴极；第二二极管(D2)，具有与第一电阻改变元件(MC)的另一端相连接的阳极和与第二驱动线(L2)相连接的阴极；以及驱动器/接收器(DS)，将写电流供给到电阻改变元件(MC)。写控制电路(CNT)被设置为使得当第一数据被写入时，使写电流按从第一驱动线(L1)到第三驱动线(L3)的方向流动，而当第二数据被写入时，使写电流按从第三驱动线(L3)到第二驱动线(L2)的方向流动。
- 电阻变型存储器
- [发明专利]电阻改变型存储器-CN200910001620.6无效
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下村尚治;浅尾吉昭
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株式会社东芝
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2009-01-09
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2009-07-15
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G11C11/00
- 一种电阻改变型存储器，包含：第一、第二和第三驱动线(L1、L2、L3)；电阻改变元件(MC)，其一端与第三驱动线(L3)相连接；第一二极管(D1)，具有与第一驱动线(L1)相连接的阳极和与第一电阻改变元件(MC)的另一端相连接的阴极；第二二极管(D2)，具有与第一电阻改变元件(MC)的另一端相连接的阳极和与第二驱动线(L2)相连接的阴极；以及驱动器/接收器(DS)，将写电流供给到电阻改变元件(MC)。写控制电路(CNT)被设置为使得当第一数据被写入时，使写电流按从第一驱动线(L1)到第三驱动线(L3)的方向流动，而当第二数据被写入时，使写电流按从第三驱动线(L3)到第二驱动线(L2)的方向流动。
- 电阻变型存储器
- [发明专利]半导体集成电路器件-CN03127772.1无效
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浅尾吉昭
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株式会社东芝
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2003-08-12
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2004-03-24
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G11C11/15
- 半导体集成电路器件包含：根据第一列选择信号(CSL0)把第一位线群(2－0)电连接在数据线群(1)上的第一列选通电路(CG0)、根据第二列选择信号(CSL1)把第二位线群(2－1)电连接在数据线群(1)上的第二列选通电路(CG1)、与位线(BL)交叉的字线(WWL)、电连接在位线(BL)上并且由字线(WWL)选择的包含磁阻元件(12)的存储单元(10)。磁阻元件(12)的自旋方向从平面观察垂直于位线(BL)。
- 半导体集成电路器件
- [发明专利]磁存储装置-CN02151651.0无效
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天野実;岸達也;与田博明;斉藤好昭;高桥茂树;上田知正;西山胜哉;浅尾吉昭;岩田佳久
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株式会社东芝
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2002-12-27
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2003-10-29
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G11C11/15
- 提供一种磁存储装置，即使提高存储密度，也能提高在存储单元中使用的磁效应元件存储层的存储维持状态稳定性，且可靠性高。存储单元在选择与第一写入布线对应的第二写入布线时分别被选择，且具有：磁阻效应元件，其具有通过在第一及第二写入布线上分别流过电流产生磁场而存储应写入的信息的存储层；第一结构部件，设置成包围第一写入布线，在记录层磁化容易轴方向上配置记录层和形成磁闭路的两端部；和第二结构部件，设置成包围第二写入布线，在记录层磁化困难的轴方向上配置使记录层磁化困难轴方向磁场强化的两端部。第一结构部件的两端部配置成比第二结构部件的两端部更接近记录层。
- 存储装置
- [发明专利]磁存储器-CN02151653.7无效
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齐藤好昭;與田博明;浅尾吉昭
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株式会社东芝
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2002-12-27
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2003-10-29
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G11C11/15
- 提供一种磁存储器，其中，在第一配线(BL)的上下层叠第一和第二磁阻效应元件(C1，C2)，在与第一配线垂直的方向上设置第二和第三配线(DL1，DL2)，通过使电流分别流过上述第二和第三配线，并使电流流过上述第一配线，在分别使上述第一和第二磁阻效应元件的记录层的磁化在规定的方向上的同时反转记录二值信息中的任何一个，通过检测通过上述第一配线使检测电流流过上述第一和第二磁阻效应元件而获得的来自这些磁阻效应元件的输出的差值，作为二值信息的任意一个读出。
- 磁存储器
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