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[实用新型]一种源极嵌入型MOSFET-CN202223451661.5有效
发明人：吴志伟;储茂明 -专利权人： 江苏奈飞微半导体有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种源极嵌入型MOSFET，属于半导体制造技术领域。包括衬底以及衬底上方的、漂移区、基区、第一源区、顶层氧化层（5），以及第一沟槽，在第一沟槽内壁表面设置有薄栅氧化层（8），并在薄栅氧化层（8）内部填充第一多晶硅并形成MOS结构，其特征在于：在所述第一沟槽下方设置有第二沟槽，第二沟槽的半导体导电类型与漂移区相反，在第二沟槽内设置有作为第二源区的第二多晶硅（9）。在本源极嵌入型MOSFET中，通过设置与漂移区半导体类型相反的柱型区，即结型嵌入式槽源结构，在反偏时利用柱型区与漂移区之间形成的PN结，极大的提高了对反偏电压的承受能力，可以承受极高的反偏电压，克服了硅能垂直MOS器件MOS型垂直槽栅源结构不耐高压、可靠性差的问题。
一种嵌入 mosfet

[实用新型]一种高散热性的光伏模块-CN202223451710.5有效
发明人：吴志伟;储茂明 -专利权人： 江苏奈飞微半导体有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种高散热性的光伏模块，属于导体制造技术领域。包括左基岛（2）和右基岛（8），左基岛（2）和右基岛（8）在框架的两端分别形成左基岛散热区和右基岛散热区，在其中一个基岛上固定有芯片（7），其特征在于：自固定芯片（7）的基岛的至少一侧引出散热延伸部，散热延伸部位于与左基岛散热区和右基岛散热区连线的垂直方向上。在在本高散热性的光伏模块中，芯片在正向导通后产生的热量，除了经过镂空孔两侧的区域传导至左基岛散热区和右基岛散热区实现散热之外，还传导至散热延伸部进行散热，因此在本高散热性的光伏模块中，实现了多端散热。相比较传统光伏模块的散热方式，大大提高了光伏模块热量传递效率，增加了光伏模块的散热效果。
一种散热模块