“水田博”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]气体判断装置、气体判断方法和气体判断系统-CN202080061185.0在审
发明人： M·穆鲁加纳坦;G·阿邦拉霍;水田博;下舞贤一;服部将志;恩田阳介 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明的气体判断方法使用具有场效应晶体管结构的传感器，该场效应晶体管结构包括：栅极电极；形成于栅极电极上的绝缘膜；形成于上述绝缘膜上的源极电极和漏极电极；以及形成于上述绝缘膜上且连接在上述源极电极与上述漏极电极之间的石墨烯层，该气体判断方法中，对石墨烯层供给气体，对栅极电极施加规定时间的第一电压，测量对栅极电极施加电压在第一电压与不同于第一电压的第二电压的范围内变化的扫描电压时，在源极电极与漏极电极之间流动的第一电流的变化，对栅极电极施加规定时间的第二电压，测量对栅极电极施加电压在第一电压与第二电压的范围内变化的扫描电压时，在源极电极与漏极电极之间流动的第二电流的变化，基于第一电流相对于扫描电压的变化的测量结果和第二电流相对于扫描电压的变化的测量结果，判断气体的种类或者浓度。
气体判断装置方法系统

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN98124682.6无效
发明人：角南英夫;伊藤清男;田寿一;中里和郎;水田博 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1998-10-07 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：高速/大容量DRAM(动态随机存取存储器)通常每0.1秒刷新一次，这是因为漏电流使其丢失存储的信息。DRAM在切断电源时也丢失存储的信息。同时，非易失ROM(只读存储器)不能构成为高速/大容量存储器。本发明的半导体存储器件，通过利用隧道绝缘体使起存储节点作用的漏与漏电流隔绝，实现了非易失特性，而且通过使存储单元增加读出用晶体管实现了稳定高速运行。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]存储器-CN97120849.2无效
发明人：中里和郎;伊藤清男;水田博;佐藤俊彦;田寿一;哈鲁恩·阿迈德 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1997-11-14 - 公布日： 1998-10-14 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：改善了写入、读出、消去时间的具有隧道阻挡层的存储器。具有从控制电极穿越隧道阻挡层写入电荷的存储节点。该电荷影响源/漏路径的导电性并由此读出数据。电荷阻挡层由多隧道阻挡层构成,包裹形成存储节点的硅的多晶层,以3nm的多晶硅层和1nm的Si3N4叠积构成。还披露了两种肖特基阻挡层结构,和在电绝缘掩模内分散的、具有存储节点功能的包括导电性纳米级导电岛的其它阻挡层结构。
存储器