“毛陆虹”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果156个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种采用标准CMOS工艺实现的太赫兹变压器-CN201711153029.3在审
发明人： 毛陆虹;陈天伟;谢生 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-11-19 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种采用标准CMOS工艺实现的太赫兹变压器，包括有由上至下依次设置且导通的上层金属单元、通孔块单元和下层金属单元，其中，所述的上层金属单元和下层金属单元结构相同方向相反设置，上层金属单元和下层金属单元均是由并排设置的2个以上的金属段和相对角的位于并排设置的2个以上的金属段两侧的两个金属块构成，所述通孔块单元是由6个以上的用于导通上层金属单元和下层金属单元的通孔块构成。本发明通过紧凑的结构，使得实现太赫兹频段的片上变压器所占用的版图面积更小，并且可以采用标准CMOS工艺实现，有集成度高、成本低、易于大规模生产的优点。能够达到的参数还可以和现有结构形成补充关系，在太赫兹电路的匹配中，提供了更宽广的参数选择范围。
一种采用标准 cmos 工艺实现赫兹变压器

[发明专利]延伸波长台面型雪崩光电二极管及其制备方法-CN201711065004.8在审
发明人：谢生;朱帅宇;毛陆虹 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明属于光电检测以及图像传感器领域，为在降低器件暗电流的同时保证器件具有较高的光电流，为产业应用提供参考依据。本发明，延伸波长台面型雪崩光电二极管，自下而上结构依次为N+‑InP衬底、N‑InP缓冲层、N‑铟铝砷In(1‑x)AlxAs渐变层、N‑In0.83Ga0.17As吸收层、N‑In0.66Ga0.34As/InAs超晶格、N‑In0.83Ga0.17As吸收层、N‑铟镓砷磷In(1‑x)GaxAsyP(1‑y)组分渐变层、N‑InP电荷层、i‑InP倍增层以及P+‑InP接触层；光生载流子在倍增层不断碰撞电离，引发雪崩倍增。本发明主要应用于光电检测、光电传感器设计制造场合。
延伸波长台面雪崩光电二极管及其制备方法

[发明专利]北斗地面接收机高增益宽频带CMOS低噪声放大器-CN201711086673.3在审
发明人：谢生;杨晶;毛陆虹;查万斌;李海鸥 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及射频低噪声放大器领域，为提出一款新型的、用于北斗地面接收机的宽带低噪声放大器，并实现良好的噪声性能和增益平坦度。为此，本发明采用的技术方案是，北斗地面接收机高增益宽频带CMOS低噪声放大器，由第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路组成；其中，第一级放大电路提供输入阻抗和噪声阻抗匹配，第二级放大电路提高增益和反向隔离度，第三级放大电路提供输出阻抗匹配，并进一步改善增益和噪声性能；第一级放大电路采用带电流复用技术的并联反馈放大器由自偏置反相器和与之并联的电阻组成。本发明主要应用于射频低噪声放大器的设计制造。
北斗地面接收机增益宽频 cmos 低噪声放大器

[发明专利]用于GaN功率器件的双频宽带功率放大器级间匹配电路-CN201711029281.3在审
发明人： 毛陆虹;蔡昊成;谢生;丛佳 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：一种用于GaN功率器件的双频宽带功率放大器级间匹配电路，包括依次相连的用于在两个频率下对二次谐波阻抗为纯电抗条件进行匹配的二次谐波阻抗匹配模块和在两个频率下完成驱动级输出基波阻抗及功率级输入基波阻抗的匹配的基波阻抗匹配模块，所述二次谐波阻抗匹配模块的输入端连接驱动级GaN晶体管的输出端，所述基波阻抗匹配模块的输出端连接功率级GaN晶体管的输入端。本发明结构简单，易于实现，可同时实现两个频率的阻抗匹配，从而实现同时工作在双频率的要求；可以在双频条件下实现驱动级类半正弦电压信号输出，从而降低功率级无效输出功率，提高功率放大器整体效率；并在两个频率下实现驱动级输出基波阻抗及功率级输入基波阻抗匹配。
用于 gan 功率器件双频宽带功率放大器匹配电路

[发明专利]基于调节型共射共基结构的全差分光接收机模拟前端电路-CN201610526243.8有效
发明人：谢生;吴思聪;毛陆虹;高谦 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H04B10/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于调节型共射共基结构的全差分光接收机模拟前端电路，包括两个结构完全对称的光电探测器、一组级联的差分限幅放大器、以及输出缓冲级，还包括差分结构调节型共射共基的跨阻放大器、以及一级共射级放大器；跨阻放大器包括共射共基结构的放大器，尾电流源采用电阻和电容并联方式；一级共射级放大器包括共射级放大器，以及提高电路反向隔离度的简并电阻和电容，并通过容性退化技术补偿低频极点；差分限幅放大器，将Cherry‑Hooper结构中的电阻反馈改为有源反馈，并增加一个输出负载电阻；输出缓冲级用于将输出阻抗转换为50Ω标准阻抗，增强驱动能力。本发明研制出了性能优异的光接收机模拟前端电路。
基于调节型共射共基结构分光接收机模拟前端电路

[发明专利]带有直流电平漂移消除电路的可见光通信接收机专用芯片-CN201711004517.8在审
发明人： 毛陆虹;韩东群 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：一种带有直流电平漂移消除电路的可见光通信接收机专用芯片，包括有依次串联连接的将经过光探测器得到的电流信号转化为电压信号并进行放大的低功耗跨阻抗放大器、用于改善光接收机的整体带宽性能的后均衡电路、用于将前级放大器输出的电压信号放大的三级限幅放大器、双端转单端电路以及用作信号判决的反向器，反向器的输出端构成可见光通信接收机专用芯片输出端，还设置有起到反馈调节作用以稳定电路直流工作点的直流电平偏移消除电路，直流电平偏移消除电路的输入端连接多级限幅放大器的输出端，直流电平偏移消除电路的输出端连接后均衡电路的输入端。本发明具有低功耗、高带宽、集成度高、成本低、易于大规模生产等优点。
带有直流电平漂移消除电路可见光通信接收机专用芯片

[发明专利]一种采用CMOS工艺实现的太赫兹发射机电路-CN201610112603.X有效
发明人： 毛陆虹;刘一波 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：一种采用CMOS工艺实现的太赫兹发射机电路，包括有用于将接收到的中频信号调制成射频信号的上变频单元，上变频单元的信号输入端还连接本振单元，上变频单元的信号输出端连接用于将所接收的信号分为两路相同信号的功率分离单元，功率分离单元的一路输出连接第一放大倍频单元，另一路输出连接由放大电路和倍频电路构成的第二放大倍频单元，第一放大倍频单元和第二放大倍频单元的输出端共同连接用于将所接收到的两路信号合为一路信号的功率合成单元的输入端，功率合成单元的输出端构成太赫兹发射机电路的输出端连接阻抗负载。本发明采用标准的CMOS工艺实现，有集成度高、成本低、易于大规模生产等优点，实现对太赫兹波频段的发射机功能。
一种采用 cmos 工艺实现赫兹发射机电路

[发明专利]用于GaN功率器件的双频窄带功率放大器级间匹配电路-CN201711029271.X在审
发明人： 毛陆虹;蔡昊成;谢生;丛佳 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：一种用于GaN功率器件的双频窄带功率放大器级间匹配电路，包括依次相连的用于在两个频带内对二次谐波开路，对三次谐波短路阻抗条件进行匹配的谐波阻抗匹配模块和在两个频带内完成驱动级输出基波阻抗及功率级输入基波阻抗的匹配的基波阻抗匹配模块，所述谐波阻抗匹配模块的输入端连接驱动级GaN晶体管的输出端，所述基波阻抗匹配模块的输出端连接功率级GaN晶体管的输入端。本发明可同时实现在两个频带下驱动级输出基波阻抗及功率级输入基波阻抗匹配，从而实现同时工作在双频带的要求；本发明可降低功率级无效输出功率，进一步提高整体功率放大器的效率；该匹配电路结构简单，易于实现，具有良好的应用前景。
用于 gan 功率器件双频窄带功率放大器匹配电路

[发明专利]一种用于光接收机的宽带跨阻放大电路-CN201710893405.6在审
发明人： 毛陆虹;蔡昊成;谢生 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：一种用于光接收机的宽带跨阻放大电路，第一晶体管的集电极构成输出端Vout，集电极还通过第一电阻连接电源VDD，第一晶体管的基极分别连接第二电阻的一端以及第二晶体管的集电极，第二电阻的另一端连接电源VDD，第二晶体管的基极分别连接第一晶体管的发射极、第四电阻的一端、前级输入信号和等效电容的一端，第二晶体管的发射极分别连接第三晶体管的发射极以及接地电阻和接地电容的一端，第四电阻、前级输入信号、等效电容、接地电阻和接地电容的另一端均接地，第三晶体管的集电极通过第三电阻连接电源VDD，基极连接外部偏置电压V。本发明在不影响跨阻放大器整体增益的情况下，优化了跨阻放大器的输出带宽，提高了系统对数据的传输速率。
一种用于接收机宽带放大电路

[发明专利]两级台面铟镓砷/铟磷雪崩光电二极管及其制备方法-CN201711064990.5在审
发明人：谢生;朱帅宇;毛陆虹 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明属于光电检测以及图像传感器领域，为实现在保证器件中心区域高电场的同时，抑制边缘电场，降低器件暗电流，为产业应用提供参考依据。本发明，两级台面铟镓砷/铟磷雪崩光电二极管及其制备方法，结构包括N+‑InP衬底、N‑InP缓冲层、N‑‑铟镓砷In0.53Ga0.47As吸收层、N‑铟镓砷磷In(1‑x)GaxAsyP(1‑y)组分渐变层、N‑InP电荷层、i‑InP倍增层、P‑InP电场缓冲层以及P+‑InP接触层；其中，P‑InP电场缓冲层经刻蚀形成了浅台面，N‑InP缓冲层经刻蚀形成了深台面，光生载流子在倍增层内不断碰撞电离，引发雪崩倍增。本发明主要应用于光电检测、光电传感器设计场合。
两级台面铟镓砷雪崩光电二极管及其制备方法

[发明专利]基于SiGeBiCMOS的有源反馈共射共基跨阻放大器-CN201710937100.0在审
发明人：谢生;武懿;毛陆虹 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于SiGe BiCMOS的有源反馈共射共基跨阻放大器，包括电流源和电容、辅助放大器及主放大器，其中，主放大器采用共射共基结构；电流源与电容并联提供光电流的输出，输出端与主放大器共射管的基级相连，另一端接地；辅助放大器采用带负载的共射放大器结构，其输入端接在主放大器共射管的集电极和共基管的发射级上，信号流入辅助放大器所在支路上，经由辅助放大器共射管的进一步放大后，流回主放大器的共基管的基级上，形成有源反馈，以提高主放大器共基管的发射级和基级间的电压。
基于 sigebicmos 有源反馈共射共基跨阻放大器

[发明专利]一种基于CMOS工艺的单端转差分跨阻放大器-CN201711029804.4在审
发明人： 毛陆虹;周高磊;谢生 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：一种基于CMOS工艺的单端转差分跨阻放大器，第一MOS管的栅极和第三MOS管的漏极通过第一电阻连接电源，第二MOS管的栅极和第四MOS管的漏极通过第四电阻连接电源，第一MOS管和第二MOS管的漏极对应通过第二电阻和第三电阻连接电源，第一MOS管的源极分别连接第二电容的一端、第五电阻的一端和单端电流信号输入端，第二MOS管的源极分别连接第一电容的一端和第六电阻的一端，第二电容的另一端连接第四MOS管的栅极，第五电阻和第六电阻的另一端接地，第一电容另一端连接第三MOS管的栅极，第三MOS管的源极和第四MOS管的源极均接地，第一MOS管和第二MOS管的漏极分别构成第一输出端和第二输出端。本发明提升跨阻放大器增益，降低噪声。
一种基于 cmos 工艺单端转差分跨阻放大器

[发明专利]一种基于CMOS工艺的新型宽带跨阻放大器-CN201710897087.0在审
发明人： 毛陆虹;蔡昊成;肖谧 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H03F1/48 文献下载
摘要：一种基于CMOS工艺的新型宽带跨阻放大器，包括有第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，所述第一晶体管的漏极构成输出端Vout，所述漏极还通过第一电阻连接电源VDD，所述第一晶体管的栅极分别连接第二电阻的一端以及第三晶体管的漏极，第二电阻的另一端连接电源VDD，第三晶体管的栅极连接外部偏置电压V3，第三晶体管的源极通过第二电感连接第二晶体管的漏极，第二晶体管的源极接地，栅极分别连接第一晶体管的源极、第一电感的一端以及第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端接地，所述第一电感的另一端分别连接前级输入信号和等效电容的一端，所述前级输入信号和等效电容的另一端接地。本发明具有集成度高、成本低、易于大规模生产等优点。
一种基于 cmos 工艺新型宽带放大器

[发明专利]用于全球定位导航系统的L波段宽带低噪声放大器-CN201710599125.4在审
发明人：谢生;杨晶;毛陆虹 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及射频低噪声放大器领域，为提出一款新型基于硅基CMOS工艺的、能够兼容全球定位导航系统多个频段的宽带低噪声放大器，并实现良好的噪声性能和增益平坦度。为此，本发明采用的技术方案是，用于全球定位导航系统的L波段宽带低噪声放大器，由第一级放大电路、第二级放大电路、级间匹配单元及偏置电路组成，其中，第一级放大电路采用并联电容的源电感反馈型共源共栅结构，提供输入阻抗和噪声阻抗匹配的设计自由度；第二级放大电路采用噪声消除技术；级间匹配单元实现两级放大电路的匹配，而偏置电路为整体电路提供偏置。本发明主要应用于射频低噪声放大器设计制造场合。
用于全球定位导航系统波段宽带低噪声放大器

[发明专利]一种具有新型材料结构的圆柱形透镜矩阵太赫兹波源-CN201510084617.0有效
发明人： 毛陆虹;赵帆;郭维廉;谢生;张世林;贺鹏鹏 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：一种具有新型材料结构的圆柱形透镜矩阵太赫兹波源，在圆柱形透镜的下表面设置有由多个RTO发射单元构成的RTO矩阵，RTO矩阵位于圆柱形透镜下表面的圆心处。RTO矩阵是由2×2～32×32个RTO发射单元构成的矩阵。本发明形成波导的宽度与振荡器的宽度不同，在振荡器与波导之间形成驻波。RTD位于通过热沉与振荡器的上电极相连，同时可以通过改变RTD在振荡器中的位置，来实现振荡器在不同频段的振荡。波导由于传输高频电磁波，并且损耗极小，太赫兹波经过波导后最终进过缝隙天线或矩形微带贴片天线发射出去，这样就实现了芯片之间的水平或垂直通信。在当前的工艺条件下，无需增加工艺难度，即可将RTO的功率提高十几倍至几十倍。
一种具有新型材料结构圆柱形透镜矩阵赫兹波源