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- [发明专利]一种非制冷硒化铅近红外探测器制备方法-CN202210254532.2在审
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姚钟祥;毕岗
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浙江大学
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2022-03-15
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2022-06-14
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G01J5/10
- 本发明涉及一种非制冷硒化铅近红外探测器制备方法，包括步骤：制备PbSe纳米材料；准备基底。本发明的有益效果是：以球形PbSe纳米晶颗粒作为原料，通过在氮气氛围中低温加热的方式，得到厚度均一、保持量子特性的红外薄膜；采用叉指电极的方式将光信号转为电信号，制备得到近红外探测器；本发明的制备方法方便，成本较低，方便大规模生产，制备的红外探测器性能较好；移取含PbSe纳米材料的正己烷溶液至石英片表面、低温加热后放置于1，2‑乙二硫醇溶液中；采用低温加热的方式能够保证纳米材料保持量子特性的同时能够均匀分布在石英片表面；还在PbSe纳米材料上设置叉指电极，叉指电极能一定程度上增加PbSe近红外探测器的信噪比，提高信号的探测率。
- 一种制冷硒化铅近红外探测器制备方法
- [发明专利]一种宽调谐的带间级联激光器的制作方法-CN202210263907.1在审
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杜超超;毕岗
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浙江大学
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2022-03-15
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2022-06-14
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H01S5/34
- 本发明涉及一种宽调谐的带间级联激光器的制作方法，包括步骤：将衬底进行高温脱氧，然后将衬底升至设定温度，在Sb保护下除气设定时长；待衬底温度降至设定温度后，将衬底放入MBE设备中，通过分子束外延技术在衬底上自下往上依次制作底部外限制层、超晶格下限制层、下波导层、设定周期数量的超晶格级联区、上波导层、超晶格上限制层、顶部外限制层和上接触层。本发明的有益效果是：以n+型InGaSb材料为外限制层，InAs/AlSb超晶格为中间限制层；采用新的有源区结构能更好地错开GaInSb/InAs/GaSb有源区厚度，进而能更好地错开各有源区的光学增益范畴，增加总增益的增益宽度，提高激光器在高温下运行的能力。
- 一种调谐级联激光器制作方法
- [发明专利]一种高增益的带间级联激光器及制备方法-CN202210197116.3在审
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毕岗;杜超超
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浙大城市学院
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2022-03-01
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2022-05-31
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H01S5/343
- 本发明涉及一种高增益的带间级联激光器的制备方法，包括步骤：结晶生长衬底，将衬底在设定温度进行高温脱氧，进一步升高衬底温度，将衬底在保护气体下除气设定时长；降低衬底温度至目标值，将衬底放入MBE设备中，采用分子束外延生长的方式从上往下依次生长超晶格下限制层、第一波导层、级联区、第二波导层、超晶格上限制层和上接触层。本发明的有益效果是：提供一种新的有源区结构的带间级联激光器，该激光器以GaSb材料为衬底，InAs/AlSb超晶格为限制层，在级联区引入GaAsSb/InAs/InGaAsⅡ型W型异质结构(有源区)，这种结构能大幅度提升波函数重叠，降低俄歇复合，带来极大的激光器光学增益，同时也能降低激光器的阈值电流和功耗，提高高温下运行的能力。
- 一种增益级联激光器制备方法
- [发明专利]一种铅催化的PbSe纳米线的制备方法-CN202110324883.1有效
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张伯轩;毕岗
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浙江大学
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2021-03-26
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2022-03-29
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C01B19/04
- 本发明涉及一种铅催化的PbSe纳米线的制备方法，包括步骤：步骤1、在清洁的衬底表面镀上铅层：将衬底切割，用洗剂清洗衬底后烘干；将烘干后的衬底放入真空镀膜机内，在衬底表面加入铅，控制蒸发电流的大小和蒸发时长，蒸发铅丸，在衬底表面得到厚度符合要求的铅层；步骤2、在铅的催化作用下制备PbSe纳米线。本发明的有益效果是：本发明更换相应的生长源就可以生长PbSe纳米线；简化制备工艺和对设备的需求；气相环境相比液相环境更加可控，制备工艺稳定性高，有利于制备大面积均一样品；本发明可为纳米线的生长提供另一种思路；本发明通过控制镀铅的时间、电流，也可以改变铅层厚度，从而控制纳米线的规格。
- 一种催化pbse纳米制备方法
- [发明专利]一种缓冲气体边带抑制的单峰原子滤光器-CN202110265908.5在审
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毕岗;刘海霞
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浙大城市学院
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2021-03-11
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2021-06-29
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H01S5/00
- 本发明涉及一种缓冲气体边带抑制的单峰原子滤光器，包括：外腔半导体激光器、Glan‑Tylar棱镜A、Glan‑Tylar棱镜B、铷原子蒸气室、温度控制器、第一永磁体、第二永磁体和光电探测器；外腔半导体激光器的光路上放置Glan‑Tylar棱镜A，Glan‑Tylar棱镜A后设有磁屏蔽盒，磁屏蔽盒内部放置第一永磁体、第二永磁体和铷原子蒸气室，铷原子蒸气室上包裹有热敏电阻。本发明的有益效果是：本发明的原子气室内充有缓冲气体，在入射信号光强达到一定值后，则得到了单峰透射谱线，缓冲气压越高，边带抑制效果越好，缓冲气压过高时由于中心透射峰的频率位置的吸收率略微增加导致其透射率略微降低。
- 一种缓冲气体边带抑制单峰原子滤光
- [发明专利]一种新型的法拉第反常色散Rb原子滤光器及方法-CN202010249054.7有效
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刘海霞;毕岗
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浙江大学
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2020-04-01
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2021-02-19
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H01S5/40
- 本发明涉及一种新型的法拉第反常色散Rb原子滤光器，包括：780nm波长的半导体激光器A、420nm波长的半导体激光器B、420nm波长的平面反射镜A、半波片、780nm高透420nm高反镜A、参考系统、实验系统和探测系统。本发明的有益效果是：本发明主要就该新型的法拉第反常色散Rb原子滤光器透射率的影响因素(温度、磁场、有无Xenon以及不同泵浦光波长)，根据实验测试，现有的实验条件下，随着温度升高，该原子滤光器透射率也提高，磁场增大时，透射率增大，通带也随之变宽，有5Torr的Xenon也比同样规格的无Xenon的自然铷泡的透射率高，经过该实验条件(即120℃，80Gs，充有Xenon的自然铷泡)下改良得到的滤光器结构简单，温度、磁场以及充入Xenon也易于满足，便于小型化生产实现和使用。
- 一种新型法拉第反常色散rb原子滤光方法
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