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[发明专利]溅射靶材和其制造方法以及溅射靶-CN201680082262.4有效
发明人：寺村享祐;武内朋哉 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的溅射靶材包含选自In、Ga、Zn、Sn和Al中的至少一种的氧化物。该溅射靶材在表面不具有来自铁的面积为1000μm2以上的变色部，或者在具有来自铁的面积为1000μm2以上的变色部的情况下该变色部的比例为0.02个/1200cm2以下。该溅射靶材适合通过在其制造工序中包括至少一次磁选工序的方法来制造。
溅射制造方法以及

[发明专利]圆筒形陶瓷溅射靶及其制造装置与制造方法-CN201580020152.0有效
发明人：池东求;秋庭里美;武内朋哉 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种圆筒形陶瓷溅射靶及其制造装置和制造方法，所述圆筒形陶瓷溅射靶具备圆筒形基材、圆筒形陶瓷靶材、以及对所述圆筒形基材与圆筒形陶瓷靶材进行接合的焊锡，当将度盘式指示器抵接在所述圆筒形陶瓷靶材的外表面上的距离该圆筒形陶瓷靶材的两端为7mm的内侧的位置处，且以所述圆筒形基材的外周面上的距离所述圆筒形陶瓷靶材的两端分别为15mm的外侧的位置为支点而使所述圆筒形陶瓷溅射靶旋转一周并对所述度盘式指示器的读数进行测定时，所述度盘式指示器的读数的最大值与最小值之差在任意的测定部位处均为1.0mm以下。本发明的圆筒形陶瓷溅射靶直至寿命结束为止均能够通过溅射而形成均匀的薄膜。本发明的圆筒形陶瓷溅射靶的制造装置以及制造方法能够适当地制造出所述圆筒形陶瓷溅射靶。
圆筒陶瓷溅射及其制造装置方法

[发明专利]加工辅助具及溅镀靶材的制造方法-CN201580074869.3有效
发明人：寺村享祐;柴尾正则;武内朋哉 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明课题在于抑制圆筒形陶瓷的外周面损伤或破裂的产生。为了解决该课题，一种具体实施方式的加工辅助具具备旋转体。旋转体随着圆筒形陶瓷的旋转而旋转。旋转体的旋转轴方向的长度为15mm以上，并且旋转体的至少外周部的材质，为洛氏硬度80以上125以下的树脂、或是橡胶硬度80以上95以下的橡胶。
旋转体圆筒形陶瓷溅镀靶材洛氏硬度橡胶硬度外周部外周面旋转轴树脂加工破裂损伤橡胶制造

[发明专利]ITO溅射靶材及其制造方法-CN201710623904.3有效
发明人：寺村享祐;武内朋哉 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明涉及一种ITO烧结体以及由该ITO烧结体组成的ITO溅射靶材，其中，所述ITO烧结体为，Sn的含量以SnO2量换算为质量百分比2.5～10.0％，并具有In2O3母相与存在于该In2O3母相的晶粒边界处的In4Sn3O12相，并且相对密度为98.0％以上，所述In2O3母相的平均粒径为17μm以下，该ITO烧结体的截面上的所述In4Sn3O12相的面积率为0.4％以上。本发明的ITO烧结体在加工工序中不容易产生裂纹或变形等。本发明的ITO溅射靶材在与基材接合的接合工序中不容易产生裂纹或变形等。因此，本发明的ITO烧结体以及ITO溅射靶材能够提升制造成品率。
ito 溅射及其制造方法

[发明专利]溅射靶用靶材的制造方法以及爪部件-CN201580004891.0在审
发明人：柴尾正则;寺村享祐;武内朋哉 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及的溅射靶用靶材的制造方法包括：在全长为500mm以上的筒状陶瓷的中空部中，将三个以上的支承爪插入至该筒状陶瓷的全长的10％以上的深度的工序；使三个以上的支承爪分别与筒状陶瓷的内周面抵接，来支承筒状陶瓷的工序；以及使由三个以上的支承爪支承的筒状陶瓷沿筒状陶瓷的周向旋转，来加工筒状陶瓷的外周面的工序。三个以上的支承爪由硬质橡胶包覆。
溅射靶用靶材制造方法以及部件

[发明专利]ITO溅射靶材及其制造方法-CN201580000974.2在审
发明人：寺村享祐;武内朋哉 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种ITO烧结体以及由该ITO烧结体组成的ITO溅射靶材，其中，所述ITO烧结体为，Sn的含量以SnO₂量换算为质量百分比2.5～10.0％，并具有In₂O₃母相与存在于该In₂O₃母相的晶粒边界处的In₄Sn₃O₁₂相，并且相对密度为98.0％以上，所述In₂O₃母相的平均粒径为17μm以下，该ITO烧结体的截面上的所述In₄Sn₃O₁₂相的面积率为0.4％以上。本发明的ITO烧结体在加工工序中不容易产生裂纹或变形等。本发明的ITO溅射靶材在与基材接合的接合工序中不容易产生裂纹或变形等。因此，本发明的ITO烧结体以及ITO溅射靶材能够提升制造成品率。
ito 溅射及其制造方法

[发明专利]太阳电池用溅射靶-CN201280007612.2有效
发明人： 武内朋哉 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳电池用溅射靶，其特征在于，其是通过利用铟－锡或者铟－镓合金制的接合材料来对靶材和背板进行接合而被形成的，所述靶材是通过对铟制的铸块实施施加物理应力的加工，以使该铸块的厚度成为原来的厚度的70％以下而得到的。对于本发明的太阳电池用溅射靶，溅射初始的溅射速率较高，且溅射速率的经时性降低较小、而且能够形成均质的铟膜。也就是说，可以期待直到寿命结束为止能够以高速率形成均质的膜。
太阳电池溅射