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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]有机电子装置的光刻法图案化-CN201910660014.9有效
发明人：约翰·安德鲁·德弗兰科;特伦斯·罗伯特·欧图尔;弗兰克·沙维尔·伯恩;黛安娜·卡罗尔·弗里曼 -专利权人： 正交公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本申请涉及有机电子装置的光刻法图案化，特别是一种制造OLED装置的方法，包括在具有底部电极的第一阵列的装置基底上提供第一底切剥离结构。接着，在第一底切剥离结构上和在底部电极的第一阵列上沉积包括至少第一发光层的一个或更多个有机EL介质层。通过用包含氟化溶剂的第一剥离剂处理来移除第一底切剥离结构和上覆的第一有机EL介质层以形成第一中间结构。使用第二底切剥离结构重复该过程以在底部电极的第二阵列上沉积一个或更多个第二有机EL介质层。在移除第二底切剥离结构之后，提供与第一有机EL介质层和第二有机EL介质层电接触的共用顶部电极。
有机电子装置光刻图案

[发明专利]有机电子装置的光刻法图案化-CN201580053516.5有效
发明人：约翰·安德鲁·德弗兰科;特伦斯·罗伯特·欧图尔 -专利权人： 正交公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：一种将有机装置图案化的方法，包括：在装置基底上沉积第一有机功能层以形成第一中间结构，所述第一有机功能层具有第一功能如空穴传输或电子传输。所述第一中间结构经含氟聚合物涂覆并在包含氟化溶剂的处理剂中经受处理以形成经处理的中间结构，在所述氟化溶剂中所述含氟聚合物是可溶的。在所述第一有机功能层的至少一部分上沉积第二有机功能层，所述第二有机功能层也具有所述第一功能。
有机电子装置光刻图案

[发明专利]电子装置的光刻图案化-CN201580076711.X有效
发明人：道格拉斯·罗伯特·罗贝洛;特伦斯·罗伯特·欧图尔;弗兰克·沙维尔·伯恩;黛安娜·卡罗尔·弗里曼 -专利权人： 正交公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种将装置图案化的方法，包括在装置基底上形成氟化光聚合物层。所述光聚合物层具有邻近所述装置基底的下部和远离所述装置基底的上部。所述氟化光聚合物层包含辐射吸收染料和具有改变溶解度的反应性基团的氟化光聚合物。使所述光聚合物层暴露于图案化辐射以根据所述图案化辐射形成曝光区域和未曝光区域，并通过使用包含第一氟化溶剂的显影剂去除未曝光区域来形成显影结构。所述光聚合物层的曝光区域的下部在所述显影剂中的溶解速率是上部的溶解速率的至少5倍。
电子装置光刻图案

[发明专利]有机电子装置的光刻法图案化-CN201580053506.1有效
发明人：约翰·安德鲁·德弗兰科;特伦斯·罗伯特·欧图尔;弗兰克·沙维尔·伯恩;黛安娜·卡罗尔·弗里曼 -专利权人： 正交公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：一种制造OLED装置的方法包括在具有底部电极的第一阵列的装置基底上提供第一底切剥离结构。接着，在第一底切剥离结构上和在底部电极的第一阵列上沉积包括至少第一发光层的一个或更多个有机EL介质层。通过用包含氟化溶剂的第一剥离剂处理来移除第一底切剥离结构和上覆的第一有机EL介质层以形成第一中间结构。使用第二底切剥离结构重复该过程以在底部电极的第二阵列上沉积一个或更多个第二有机EL介质层。在移除第二底切剥离结构之后，提供与第一有机EL介质层和第二有机EL介质层电接触的共用顶部电极。
有机电子装置光刻图案

[发明专利]装置的光刻图案化-CN201580053607.9有效
发明人：特伦斯·罗伯特·欧图尔;约翰·安德鲁·德弗兰科;弗兰克·沙维尔·伯恩 -专利权人： 正交公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：公开了使装置图案化的方法，其使用具有至少两个含氟聚合物层的抗蚀剂前体结构。第一含氟聚合物层包含第一含氟聚合物材料，其氟含量为至少50％重量并且基本可溶于第一氢氟醚溶剂或第一全氟化溶剂，但相对于第一氢氟醚溶剂和第一全氟化溶剂二者在第二氢氟醚溶剂中溶解度基本较低。第二含氟聚合物层包含第二含氟聚合物材料，其氟含量低于第一含氟聚合物材料并且基本可溶于第一或第二氢氟醚溶剂，但相对于第一和第二氢氟醚溶剂二者在第一全氟化溶剂中溶解度基本较低。
装置光刻图案

[发明专利]支化的氟化光聚合物-CN201480072880.1有效
发明人：道格拉斯·罗伯特·罗贝洛;查尔斯·瓦伦·赖特;黛安娜·卡罗尔·弗里曼;弗兰克·沙维尔·伯恩;约翰·安德鲁·德弗兰科;尚德拉·吕布扎姆;特伦斯·罗伯特·欧图尔 -专利权人： 正交公司
申请日： 2014-11-12 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： C08L33/16 文献下载
摘要：公开了一种氟化光聚合物组合物，其具有提供在氟化溶剂中的支化共聚物。所述共聚物包含支化单元、具有含氟基团的第一重复单元和具有改变溶解度的反应性基团的第二重复单元。支化的氟化光聚合物组合物特别适用于制造具有敏感性活性有机材料的有机电子装置和生物电子装置或者其他装置。
氟化聚合物

[发明专利]装置的光刻图案化-CN201580053600.7在审
发明人：约翰·安德鲁·德弗兰科;查尔斯·沃伦·赖特;道格拉斯·罗贝特·罗贝洛;弗兰克·沙维尔·伯恩;黛安娜·卡罗尔·弗里曼;特伦斯·罗伯特·欧图尔 -专利权人： 正交公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：制造装置的方法包括在具有用于图案化的一个或更多个目标区域的装置基底上提供氟化材料层。通过与包含氟化溶剂的显影剂接触，至少部分地通过使与所述一个或更多个目标区域对准的所述氟化材料层中的一个或更多个开口区域的第一图案显影，形成一个或更多个剥离结构，其中所述显影剂以第一速率溶解所述氟化材料。在图案化后，通过与包含氟化溶剂的剥离剂接触来移除所述一个或更多个剥离结构，其中所述剥离剂以至少为150nm/秒且高于所述第一速率的第二速率溶解所述氟化材料。
装置光刻图案

[发明专利]可交联的氟化光聚合物-CN201580017117.3在审
发明人：查尔斯·瓦伦·赖特;道格拉斯·罗伯特·罗贝洛;约翰·安德鲁·德弗兰科;黛安娜·卡罗尔·弗里曼;弗兰克·沙维尔·伯恩 -专利权人： 正交公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：公开了一种光敏性组合物，其包含提供在氟化溶剂如氢氟醚中的氟化的可光交联聚合物。所述可光交联聚合物包含具有含氟基团但不具有肉桂酸酯基团的第一重复单元和具有含氟肉桂酸酯基团的第二重复单元。所述聚合物的总氟含量为30重量％至60重量％。所述组合物可以用于在基底和装置如有机电子装置上形成图案化屏障或介电结构。
交联氟化聚合物

[发明专利]薄膜器件的材料图案化工艺-CN201280008219.5无效
发明人：约翰·德弗兰科;迈克·米勒;福克斯·霍尔特 -专利权人： 正交公司
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：一种形成器件的方法包括提供一个基板；在基板上沉积单个的氟化可光图案化层；在基板上形成第一、第二有源层；应用可光图案化层以便在第一有源层以内形成第一图案，在第二有源层以内形成第二个不同的图案。可以利用本发明公开的具体例子形成薄膜电子器件，包括减少光刻步骤的OLED器件和TFT。
薄膜器件材料图案化工

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