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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]实现自旋转矩振荡器擦除预防的方法、装置和系统-CN201610393199.8有效
发明人：青山淳;椎本正人 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G11B5/024 文献下载
摘要：用于实现微波辅助磁记录(MAMR)硬盘驱动器(HDD)的自旋转矩振荡器(STO)擦除预防的方法、装置和系统。在写入操作的时间，将第一电压施加到微波辅助磁记录磁头中的STO元件。在读取操作或非写入操作的时间，将第二电压施加到STO元件，以防止在读取操作的时间由STO的剩余磁化造成的STO擦除。
实现自旋转矩振荡器擦除预防方法装置系统

[发明专利]具有高自旋扭矩效率和可靠性的自旋扭矩振荡器-CN201610371493.9有效
发明人：冈村进;椎本正人;渡边克朗;佐藤雅重;长坂惠一;佐藤阳;五十岚万寿和 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：一种在微波辅助磁记录(MAMR)中使用的磁振荡器。磁振荡器可以是自旋扭矩振荡器，并且包括磁自旋极化层、磁场产生层、以及夹在磁自旋极化层和磁场产生层之间的非磁性中间层。非磁性中间层由提供改进的性能、增加的寿命和热稳健性的材料来构造。磁性中间层由银(Ag)和元素X的合金来构造。更优选地，元素X可以为锡(Sn)或锌(Zn)。
具有自旋扭矩效率可靠性振荡器

[发明专利]负极化自旋转矩振荡器-CN201510746548.5在审
发明人：长坂惠一;佐藤阳;椎本正人;佐藤雅重;五十岚万寿和;冈村进 -专利权人： HGST荷兰有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明涉及一种负极化自旋转矩振荡器。公开的实施例一般涉及MAMR头。该MAMR头包括STO。该STO包括第一磁层、第二磁层和布置在第一磁层和第二磁层之间的中间层。该第一和第二磁层之一由负极化材料制成，而其它磁层由正极化材料制成。因此，当振荡时第一和第二磁层中的磁化处于相同方向，这会抑制第一和第二磁层中磁化的部分抵消并增强AC磁场。
极化自旋转矩振荡器

[发明专利]用于自旋转矩振荡器(STO)的稳定层-CN201610048344.9在审
发明人：五十岚万寿和;长坂惠一;冈村进;佐藤阳;佐藤雅重;椎本正人 -专利权人： HGST荷兰有限公司
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明涉及用于自旋转矩振荡器(STO)的稳定层。在一个实施例中，一种自旋转矩振荡器(STO)包括：基准层，其具有能够自由面内旋转的磁化强度；场产生层(FGL)，其包括具有实质上在膜平面中的易磁化平面的至少一个磁膜，其中FGL的磁化强度能够面内旋转；和稳定层(STL)，其位于FGL的与基准层相对的一侧上，STL包括在膜平面中具有实际上易磁化平面的磁膜，其中STL的磁化强度能够面内旋转，其中STL的饱和磁化强度与STL的厚度的乘积小于FGL的磁化强度与FGL的厚度的乘积的一半。
用于自旋转矩振荡器 sto 稳定

[发明专利]用于自旋转矩振荡器的低Bs自旋极化器-CN201510845633.7在审
发明人：佐藤阳;椎本正人;五十岚万寿和;长坂惠一;冈村进;佐藤雅重 -专利权人： HGST荷兰有限公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明涉及用于自旋转矩振荡器的低Bs自旋极化器。在一个实施例中，磁头包括：主磁极，其被定位配置成当电流被施加到写线圈时产生写磁场；和自旋转矩振荡器(STO)，其定位成与主磁极相邻，该STO被配置成当将电流施加到其时产生高频磁场，其中高频磁场与写磁场同时产生以辅助磁记录介质的反向磁化。STO包括：自旋极化层(SPL)、定位成与SPL相邻的场产生层(FGL)、和定位在SPL与FGL之间的一个或多个中间层，并且SPL的易磁化轴被定位在面内方向上，使得SPL不存在垂直的磁各向异性。
用于自旋转矩振荡器 bs 极化

[发明专利]具有低磁矩和高垂直磁各向异性材料的自旋力矩振荡器-CN201510812217.7在审
发明人：长坂惠一;佐藤阳;佐藤雅重;冈村进;椎本正人;五十岚万寿和 -专利权人： HGST荷兰有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明涉及具有低磁矩和高垂直磁各向异性材料的自旋力矩振荡器。本文中公开的实施例大体上涉及采用MAMR头的磁盘设备。MAMR头包括STO。STO包括底层、SPL、中间层、FGL和覆盖层。SPL由高垂直磁各向异性材料构成。SPL具有大的有效的垂直磁各向异性场，且SPL具有比FGL低的磁矩。施加的电流适于在从FGL至SPL的方向上流动，从而由于从SPL指向FGL的第一自旋力矩与从FGL指向SPL的第二自旋力矩之间的关系而导致SPL的磁化方向几乎垂直于FGL且反平行于头-隙磁场。
具有低磁矩垂直各向异性材料自旋力矩振荡器

[发明专利]具有镜像不对称磁写入元件的磁数据记录系统-CN201310683623.9在审
发明人： 椎本正人;田河育也;西田靖孝;片田裕之 -专利权人： HGST荷兰有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： G11B5/29 文献下载
摘要：被配置为用于数据磁道被以重叠方式记录在磁介质上的叠瓦式磁数据记录的磁盘驱动器系统。盘片驱动器系统包括不对称的磁写入头，使得在写入头的一侧上具有提高的写入。该磁盘驱动器系统包括彼此镜像的磁写入头，使得位于磁介质的相对表面上的写入头（例如一个头面向上并且一个面向下）在相对于磁介质的内直径和外直径的位置中具有优先的写入。
具有不对称写入元件数据记录系统

[发明专利]磁记录头和磁记录装置-CN201210353278.8有效
发明人：五十岚万寿和;松原正人;长坂惠一;椎本正人 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：用于微波辅助记录的自旋力矩振荡器包括在垂直于膜表面的方向上具有磁各向异性轴线的垂直自由层，以及由在膜表面上有效地具有易磁化面的磁膜组成的面内自由层。当电流从面内自由层侧向垂直自由层侧流动时，两个自由层交换自旋信息，并且从而几乎反平行于彼此并且沿着边界面以高速旋转它们各自的磁化。优选地，垂直自由层比面内自由层更薄。还优选地，归因于材料的垂直自由层的磁各向异性场应当在相反的方向上与在垂直方向上的有效退磁场平衡。此外，垂直自由侧优选地放置在主磁极侧。
记录装置

[发明专利]磁记录再现头以及磁记录再现装置-CN200910005841.0无效
发明人： 椎本正人;中川健;片田裕之;伊藤直人;目黑贤一 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2009-02-05 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明提供一种磁记录再现头以及磁记录再现装置，即使线记录密度提高，也得到高的再现输出、分辨率以及SNR，得到充分的位误码率。磁记录再现头(10)具有差动型再现头(20)和记录头(25)。差动型再现头(20)具有层叠了具有第一自由层(210)的第一磁阻效应元件(200)、差动间隙层(100)、具有第二自由层(310)的第二磁阻效应元件(300)的层叠结构(400)，在层叠结构(400)的外侧具有一对电极(50、51)和一对磁屏蔽(30、31)。此处，将第一自由层(210)与第二自由层(310)的内侧的距离(G1)与位长度(b1)之比(G1/B1)设定成0.6以上1.6以下。
记录再现以及装置

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