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[发明专利]硼酸盐系结晶的制造方法和激光振荡器-CN200480004188.1有效
发明人：佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;西冈志行;福本悟;松井知代;佐治隆司 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2004-02-13 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及硼酸盐系结晶的制造方法和激光振荡器。所述方法如下，通过将水溶性的原料溶解于水成为水溶液，使该水溶液的水分蒸发，然后通过烧结或不烧结成为培养原料，熔解得到的培养原料培养硼酸盐系结晶，可在短时间内、低成本且简便地、并且作为更均匀性、可靠性好地制造作为波长变换光学器件使用的硼酸盐系结晶。另外，通过使用这些的结晶作为波长变换光学器件，可实现可靠性高的激光振荡器。
硼酸盐结晶制造方法激光振荡器

[发明专利]加工氮化物半导体晶体表面的方法和由该方法得到的氮化物半导体晶体-CN200480001850.8在审
发明人：中畑成二;弘田龙;石桥惠二;佐佐木孝友;森勇介 -专利权人：住友电气工业株式会社;森勇介
申请日： 2004-06-03 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种加工氮化物半导体晶体表面的方法的特征在于，使至少包含Na、Li或Ca的加工溶液(15)与氮化物半导体晶体(11)的表面接触。加工溶液(15)可以是至少包含Na的液体，其Na含量为5－95摩尔％。加工溶液(15)可以是至少包含Li的液体，其中Li含量为5至100摩尔％。还公开了通过该方法得到的氮化物半导体晶体，其最大表面刮擦深度为0.01μm或以下，且破坏层的平均厚度为2μm或以下。即，加工氮化物半导体晶体表面的方法可以提供减小表面刮擦深度和破坏层厚度，和由该方法得到的氮化物半导体晶体具有浅的表面刮擦深度和薄的破坏层厚度。
加工氮化物半导体晶体表面方法得到

[发明专利]结晶核的制造方法及结晶条件的筛选方法-CN03820509.2无效
发明人：佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;安达宏昭;增原宏;细川阳一郎;高野和文 -专利权人：财团法人大阪产业振兴机构
申请日： 2003-08-25 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： C30B29/58 文献下载
摘要：本发明提供一种高质量、有效、简单地制造蛋白质结晶和有机物的结晶的方法。配制蛋白质及有机物的溶液，通过将其慢慢地冷却，达到低度的过饱和。对该过饱和溶液照射飞秒激光(10)。在激光的焦点处产生局部的爆炸现象生成结晶核。以该结晶核为基础，在一定时间内使结晶生长，可以得到高质量的结晶。作为飞秒钛激光可以使用波长800nm、时间间隔120fs、频率1kHz、输出400mW的钛蓝宝石激光。
结晶制造方法条件筛选

[发明专利]Ⅲ族元素氮化物单晶的制造方法及由此制得的Ⅲ族元素氮化物透明单晶-CN03818328.5无效
发明人：佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;川村史朗;大前邦途;岩桥友也;森下昌纪 -专利权人：财团法人大阪产业振兴机构
申请日： 2003-06-30 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够高收率制造透明、位错密度少、高品质、且大块状的III族元素氮化物的单晶的制造方法。该方法是在钠(Na)和选自碱金属(Na除外)和碱土金属之中的至少一种的混合助熔剂(Flux)中，使选自由镓(Ga)、铝(Al)及铟(In)组成的组中的至少一种III族元素与氮(N)反应，藉此使III族元素氮化物单晶得以生长。本发明的氮化镓单晶为高品质的、透明的大块状单晶，具有极高的实用价值。
元素氮化物制造方法由此透明

[发明专利]生产III族氮化物晶体的方法-CN200510004041.9有效
发明人：佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;川村史郎;弘田龙 -专利权人：住友电气工业株式会社;森勇介
申请日： 2005-01-10 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：提供一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中使氮等离子体(8a)与含有III族元素和碱金属的熔体(7)接触以生长III族氮化物晶体。此外，也提供另一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中III族氮化物晶体在放置在含有III族元素和碱金属的熔体(7)中的基质(10)上生长，而且所述熔体(7)表面与所述基质(10)表面之间的最小距离设置为至多50mm。
生产 iii 氮化物晶体方法

[发明专利]非线性光学晶体-CN99810211.3无效
发明人：佐佐木孝友;森勇介;吉村政志 -专利权人：科学技术振兴事业团
申请日： 1999-08-04 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：一种可以用通式：K₂Al₂B₂O₇表示的非线性光学晶体，一种应用该非线性光学晶体的波长变换方法，和用来实现上述方法的波长变换器件和波长变换装置。该非线性光学晶体是一种易于生长且实用性优良的真空紫外线产生用晶体。
非线性光学晶体

[发明专利]氧化物结晶表面的超平坦化方法-CN02806711.8无效
发明人：鲤沼秀臣;松本祐司;佐佐木孝友;森勇介;吉村政志 -专利权人：科学技术振兴事业团
申请日： 2002-03-15 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供了超平坦化既不溶于酸也不溶于碱的氧化物结晶的方法，用该超平坦化方法制备ReCa₄O(BO₃)₃系氧化物单晶薄膜的方法，具有SHG性质的ReCa₄O(BO₃)₃系氧化物单晶薄膜，光入射/发射表面的超平坦化方法，和氧化物结晶的缺陷评价方法。用还原剂还原既不溶于酸也不溶于碱的氧化物结晶的表面，用酸或碱的水溶液溶解经还原的氧化物结晶表面，在大气中对表面溶解的氧化物结晶进行热处理，从而将既不溶于酸也不溶于碱的氧化物结晶表面超平坦化至原子水平。根据该方法，由于其组成和结构的复杂而化学稳定的氧化物既不溶于酸也不溶于碱，甚至不溶于氟酸，它可通过还原而转化成常规溶于盐酸、硝酸或硫酸的更简单的氧化物；因此其结晶表面能够溶解。接着，在大气中于适宜温度下将溶解的表面热处理适宜的时间，使得表面原子重排，表面被超平坦化至原子水平。本发明可应用于需要紫外激光的技术领域，尤其是作为用于光学信息处理、光通信等的光学设备的核心技术。
氧化物结晶表面平坦方法

[发明专利]波长变换方法、波长变换装置和激光加工机-CN01806644.5有效
发明人：小岛哲夫;今野进;藤川周一;安井公治;佐佐木孝友;森勇介;吉村政志 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2001-12-12 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： G02F1/37 文献下载
摘要：本发明公开了可以长期间稳定地产生用非线性光学晶体进行了波长变换的光的波长变换方法和波长变换装置以及使用它们的激光加工机。本发明的波长变换方法使与非线性光学晶体的波长变换后的光出射的面接连的气氛变成氮元素的含量比空气还小的气体后进行波长变换。此外，本发明的波长变换装置，具有使与非线性光学晶体的波长变换后的光出射的面接连的气氛变成氮元素的含量比空气还小的气体的单元。本发明的激光加工机，具有上述波长变换装置。
波长变换方法装置激光加工

[发明专利]高质量单晶的制成方法及其装置-CN00807930.7有效
发明人：佐佐木孝友;森勇介;吉村政志 -专利权人：科学技术振兴事业团
申请日： 2000-05-22 - 公布日： 2002-05-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：在使籽晶(4)与坩埚(1)内加热熔解的原料溶液(2)相接触生长成单晶的方法中,采用在坩埚(1)内的原料溶液(2)中配置叶片体(5)或挡板体,边使坩埚(1)旋转边提升制成的方法,作为高质量、高性能的结晶,由高粘性的原料溶液(2)制成以CLBO为主的各种单晶。
质量制成方法及其装置

[发明专利]波长变换晶体和激光发生方法以及激光发生装置-CN99804562.4无效
发明人：佐佐木孝友;森勇介;吉村政志 -专利权人：科学技术振兴事业团
申请日： 1999-03-29 - 公布日： 2001-05-16 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：作为一种可控制双折射率的波长变换晶体,采用由下式(Ⅰ)M1xM21－xCa4O(BO3)3表示,且其中M1及M2分别表示不同的稀土类元素中的一种或一种以上的元素,并且0
波长变换晶体激光发生方法以及装置

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