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[发明专利]光学薄膜的制造方法和光学薄膜制造装置-CN202111093101.4在审
发明人：泽田成敏;村上尚史;宫本幸大;伊藤帆奈美;梨木智刚 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供适合于在卷对卷方式的工艺中确保配置于比等离子体处理室靠下游的位置的成膜室的稳定的低压状态的光学薄膜的制造方法和光学薄膜制造装置。本发明的制造方法是一边以卷对卷方式输送工件薄膜一边制造光学薄膜的方法，包含等离子体处理室中的工序和成膜室(第2成膜室)中的工序。等离子体处理室具有在输送方向上配置于比室内的等离子体源靠上游的位置的第1排气口。在等离子体处理工序中，经由第1排气口对等离子体处理室进行排气，并对工件薄膜进行等离子体处理。在成膜工序中，在经由成膜室的第2排气口对成膜室进行排气从而将成膜室内维持在比等离子体处理室内的压力低的压力的同时，利用干式覆膜法在工件薄膜上进行成膜。
光学薄膜制造方法装置

[发明专利]透光性导电薄膜、其制造方法、调光薄膜、及调光构件-CN201880084006.8有效
发明人：藤野望;梨木智刚;米泽秀行 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：透光性导电薄膜沿第1方向、和与第1方向正交的第2方向延伸，其具备基材薄膜和透光性导电层。在对透光性导电薄膜实施从20℃升温至160℃之后降温至20℃的热机械分析工序时，下述式所示的面内尺寸变化率R为0.55％以下。式中，ΔL1表示前述第1方向的前述分析工序前后的尺寸变化率(％)，ΔL2表示前述第2方向的前述分析工序前后的尺寸变化率(％)。R＝(ΔL12+ΔL22)1/2。
透光导电薄膜制造方法调光构件

[发明专利]触摸传感器-CN201780033500.7有效
发明人：矢野孝伸;拝师基希;别府浩史;木曽宪俊;梨木智刚 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-05-30 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种与以往相比实现了全光线透过率和雾度的改善、由构件减少带来的薄型化以及低成本化的触摸传感器。触摸传感器(10)具有压电传感器(11)和静电电容传感器(12)。压电传感器(11)具有由第1基材膜(14)和具有压电性的涂层(15)构成的第1层叠体即压电膜(16)、形成于压电膜(16)的一面的第1透明电极(17)以及形成于压电膜(16)的另一面的第2透明电极(18)。静电电容传感器(12)具有在第2基材膜(19)的一面形成了第3透明电极(20)而成的第2层叠体(21)、在第3基材膜(22)的一面形成了第4透明电极(23)而成的第3层叠体(24)以及将第2层叠体(21)和第3层叠体(24)粘接的透明填充层(25)。
触摸传感器

[发明专利]透光性导电薄膜、其制造方法、调光薄膜及其制造方法-CN202111300892.3在审
发明人：藤野望;梨木智刚 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：提供透光性导电薄膜、其制造方法、调光薄膜及其制造方法。透光性导电薄膜依次具备透光性基材、透光性导电层和无机层。前述无机层的厚度为20nm以下。前述无机层的水接触角为50度以下。
透光导电薄膜制造方法调光及其

[发明专利]液晶调光构件、透光性导电薄膜、及液晶调光元件-CN201780022668.8有效
发明人：藤野望;梨木智刚;竹本光伸 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：液晶调光构件依次具备：透明基材、透光性导电层、和液晶调光层，透光性导电层依次具备：第1无机氧化物层、金属层、和第2无机氧化物层。
液晶调光构件透光导电薄膜元件

[发明专利]透明导电性薄膜-CN202080052489.0在审
发明人：西森才将;梨木智刚;松本贵文 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：透明导电性薄膜(1)依次具备：玻璃基材(2)和透明导电层(3)。透明导电层(3)具有87％以上的总透光率、具有10Ω/□以下的表面电阻值。
透明导电性薄膜

[发明专利]透明导电性薄膜-CN202080052490.3在审
发明人：西森才将;梨木智刚;松本贵文 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：透明导电性薄膜(1)依次具备：玻璃基材(2)和透明导电层(3)。透明导电层(3)的550nm下的反射率为12％以下。透明导电层(3)的厚度为规定的范围。
透明导电性薄膜

[发明专利]防反射薄膜及其制造方法、以及带防反射层的偏光板-CN201880062537.7有效
发明人：宫本幸大;山崎由佳;金谷实;梨木智刚 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本发明的防反射薄膜(100)是在透明薄膜基材(1)的一个主表面具备包含折射率不同的多个薄膜的防反射层(5)。防反射层包含与透明薄膜基材接触的底漆层(50)。底漆层的氩的含量为0.5原子％以下。底漆层(50)例如为硅氧化物层。防反射薄膜的透湿度优选为1g/m2·24h以下。带防反射层的偏光板(101)于偏光件(8)上具备上述防反射薄膜(100)。
反射薄膜及其制造方法以及反射层偏光

[发明专利]透明导电性薄膜-CN201680030771.2有效
发明人：藤野望;加藤大贵;梨木智刚 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种透明导电性薄膜，其在厚度方向依次具备透明基材、含有树脂及无机颗粒的折射率调整层、含有无机原子的密合层、以及透明导电层，密合层与折射率调整层接触，折射率调整层的与密合层接触侧的界面附近区域中，无机原子数相对于碳原子数的比不足0.05。
透明导电性薄膜

[发明专利]光学层叠体-CN201780008635.8有效
发明人：宫本幸大;梨木智刚 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-01-27 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明提供作为阻隔薄膜及偏光板发挥功能、且抑制了裂纹的产生的光学层叠体。本发明的光学层叠体依次具有：偏光件；基材；包含ZnO、Al及SiO2的第1氧化物层；和由SiO2构成的第2氧化物层，基材的第1氧化物层侧的表面的表面粗糙度Ra为0.30nm～50nm。在一个实施方式中，光学层叠体的透湿度为3.0×10‑2g/m2/24hr以下。
光学层叠

[发明专利]导电薄膜、导电薄膜卷绕体及其制造方法、以及温度传感器薄膜-CN202080012783.9在审
发明人：中岛一裕;宫本幸大;梨木智刚 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-01-24 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G01K7/18 文献下载
摘要：导电薄膜(101)在树脂薄膜基材(50)的一个主表面上具备金属薄膜(10)。金属薄膜表面的根据长度1μm的粗糙度曲线求出的算术平均粗糙度Ra1优选2nm以下。金属薄膜表面的根据长度0.7mm的粗糙度曲线求出的最大高度Rz2优选150nm以上。树脂薄膜基材(50)可以在树脂薄膜(5)的表面具备硬涂层(6)。通过将导电薄膜的金属薄膜图案化，能够制作温度传感器薄膜。
导电薄膜卷绕及其制造方法以及温度传感器

[发明专利]防反射薄膜及图像显示装置-CN202110261906.9在审
发明人：宫本幸大;高见佳史;梨木智刚 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：本发明涉及防反射薄膜及图像显示装置。防反射薄膜(100)在薄膜基材(1)上具备包含多个薄膜的防反射层(5)。防反射层是包含低折射率层及高折射率层各自至少1层作为薄膜的多层薄膜。对于防反射薄膜，从防反射层侧照射的D65光源的正反射光优选满足：(A)2°入射光的正反射光的视感反射率Y2与θ°入射光的正反射光的视感反射率Yθ在5～50°的范围的任意角度θ中满足Yθ/Y2≤6.0；及(B)2°入射光的正反射光的色度指数a*2及b*2与θ°入射光的正反射光的色度指数a*θ及b*θ在5～50°的范围的任意角度θ中满足{(a*2‑a*θ)2+(b*2‑b*θ)2}1/2≤6.0。
反射薄膜图像显示装置

[发明专利]透明导电膜的制造方法-CN201910038774.6有效
发明人：拝师基希;山本佑辅;梨木智刚;佐佐和明 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开一种光透射性优异且电阻率较小的透明导电膜的制造方法。本发明是具备膜基材、和形成于上述膜基材上的结晶化的氧化铟锡层的透明导电膜的制造方法。本发明具有：在使用氧化铟锡作为靶材的溅射装置内放入所述膜基材，通过所述靶材上的水平方向磁场为50mT以上的磁控溅射法，使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积在所述膜基材上的工序；以及，在所述将包含所述非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序之后，对所述包含非晶质部分的氧化铟锡进行加热处理，由此使包含所述非晶质部分的所述氧化铟锡结晶化，形成所述结晶化的氧化铟锡层的工序。
透明导电制造方法

[发明专利]带透光性导电层的薄膜、调光薄膜和调光装置-CN201880030426.8有效
发明人：藤野望;梨木智刚 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：带透光性导电层的薄膜具备薄膜基材和透光性导电层。透光性导电层、及将透光性导电层在80℃下加热500小时后的被加热透光性导电层均为非晶质。将透光性导电层的载流子密度设定为Xa×1019(/cm3)、霍尔迁移率设定为Ya(cm2/V·s)，将被加热透光性导电层的载流子密度设定为Xc×1019(/cm3)、霍尔迁移率设定为Yc(cm2/V·s)时，满足下述式(1)和式(2)这两者。0.5≤(Xc/Xa)×(Yc/Ya)≤1.5(1)YcYa(2)。
透光导电薄膜调光装置

[发明专利]透明导电性压电膜的制造方法和制造装置-CN201980048292.7在审
发明人：矢野孝伸;米泽秀行;梨木智刚 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L41/257 文献下载
摘要：透明导电性压电膜(2)的制造方法具有：第1工序，在该工序中，准备朝向厚度方向一侧依次具有透明导电层(3)和压电层(5)的透明导电性压电膜(2)；以及第2工序，在该工序中，使压电层(5)极化。在第2工序中，利用卷对卷方式输送透明导电性压电膜(2)，使第1极化辊(15)从压电层(5)的厚度方向一侧与该压电层(5)接触。
透明导电性压电制造方法装置