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[发明专利]半导体装置-CN202180045113.1在审
发明人： 梅木真也 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：半导体装置包括：第一导电型的半导体层，其具有主面；第二导电型的阱区域，其在上述主面划分出有源区域以及外侧区域，而且形成于上述主面的表层部，在上述有源区域侧包含杂质浓度高的高浓度部，在上述外侧区域侧包含杂质浓度比上述高浓度部低的低浓度部；以及第二导电型的杂质区域，其在上述有源区域中形成于上述主面的表层部。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202080067470.3在审
发明人： 梅木真也 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含：第一导电型的半导体基板，其具有一侧的第一主面以及另一侧的第二主面；第二导电型的阱区，其形成在所述第一主面的表层部，将所述半导体基板划分为有源区以及外侧区；IGBT，其包含在所述第二主面的表层部中形成于所述有源区的第二导电型的集电极区、以及在所述第一主面中形成于所述有源区的FET结构；二极管，其包含在所述第二主面的表层部中仅形成于所述外侧区的第一导电型的阴极区，所述二极管具有所述阱区作为阳极区。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201980067998.8在审
发明人： 梅木真也 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：半导体装置包括具有一侧的第一主面以及另一侧的第二主面且包括有源区域的半导体层、形成于上述有源区域的多个IGBT区域、以与多个上述IGBT区域邻接的方式形成于上述有源区域的多个二极管区域，在以L表示多个上述IGBT区域以及多个上述二极管区域之间的边界线的总长、以SD表示多个上述二极管区域的总面积、以Loge(L2/SD)的式子定义多个上述二极管区域相对于上述有源区域的分散度时，上述分散度为2以上且15以下。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201980036750.5在审
发明人： 梅木真也 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：半导体装置包括：第一导电型的半导体层，其包括一侧的第一主面及另一侧的第二主面；IGBT区域，其包括FET构造和第二导电型的集电极区域，该FET构造包括形成于上述第一主面的表层部的第二导电型的主体区域、形成于上述主体区域的表层部的第一导电型的发射极区域、经由栅极绝缘层而与上述主体区域及上述发射极区域对置的栅极电极，该第二导电型的集电极区域形成于上述第二主面的表层部；二极管区域，其包括形成于上述第一主面的表层部的第二导电型的第一杂质区域和形成于上述第二主面的表层部的第一导电型的第二杂质区域；边界区域，其包括在上述IGBT区域以及上述二极管区域之间的区域形成于上述第一主面的表层部的第二导电型的阱区域；以及第一主面电极，其在上述第一主面上与上述发射极区域、上述第一杂质区域及上述阱区域电连接。
半导体装置