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[发明专利]一种喷嘴、半导体基板的处理方法及基板处理设备-CN202210618308.7有效
发明人： 梅晓波 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B05B1/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种喷嘴、半导体基板的处理方法及基板处理设备。其中，喷嘴，用于向置于承载台上的基板排放处理液，承载台带动基板沿承载台的中轴线进行旋转；包括：支撑主体，支撑主体呈倒圆台状；支撑主体具有第一端面和第二端面；第一端面的中轴线、第二端面的中轴线均与承载台的中轴线重合，第一端面直径大于第二端面直径，且第一端面与承载台的距离大于第二端面与承载台的距离；细管喷嘴组，细管喷嘴组包括多个细管喷嘴；细管喷嘴的进液端在第一端面上，细管喷嘴的出液端在第二端面上，且出液端排放处理液时的出液方向具有与目标旋转方向一致的方向矢量；目标旋转方向是基板的旋转方向。该喷嘴可以提高基板的生产效率和良率。
一种喷嘴半导体处理方法设备

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202211312862.9在审
发明人： 梅晓波;邓放心;李春晓;李正 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：提供基底，基底包括衬底和覆盖衬底的第一介质层，衬底包括源区、漏区和沟道区，源区和漏区位于沟道区的相对两侧，第一介质层具有亲水性表面；对源区和漏区上的第一介质层进行表面改性处理，以使源区和漏区的第一介质层的亲水性表面转变为疏水性表面；形成第二介质层，第二介质层仅覆盖沟道区上的第一介质层的表面，第二介质层的介电常数大于第一介质层的介电常数。该制造方法可以简化半导体结构的制造工艺，提高半导体结构的制造效率。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202310090758.8在审
发明人： 梅晓波;时旭 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构的制造方法，应用于集成电路技术领域，包括：提供衬底；在所述衬底中形成平行的多个第一槽；清洗并干燥所述多个第一槽，使用绝缘材料对所述第一槽进行第一填充；在所述衬底中形成与所述第一槽平行的多个第二槽，至少一个所述第二槽位于相邻两个所述第一槽之间；清洗并干燥所述多个第二槽，使用所述绝缘材料对所述第二槽进行第二填充。本公开实施例可以避免凹槽在湿法清洁过程中出现凹槽侧壁形变。
半导体结构制造方法

[发明专利]半导体器件、其制备方法及半导体存储装置-CN202110934967.7在审
发明人： 梅晓波 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了半导体器件、其制备方法及半导体存储装置，包括：半导体衬底，多个字线沟槽，字线结构；字线沟槽包括第一字线沟槽和第二字线沟槽；第一字线沟槽在半导体衬底的正投影位于浅沟道隔离区位于半导体衬底的正投影内；第二字线沟槽在半导体衬底的正投影位于有源区在半导体衬底的正投影内；字线结构包括相互连接的第一字线结构部和第二字线结构部；第一字线结构部形成于第一字线沟槽中，第二字线结构部形成于第二字线沟槽中；其中，一字线结构部具有避让区域，避让区域的顶面与第二字线结构部的顶面齐平，并且避让区域中具有绝缘物质。
半导体器件制备方法半导体存储装置

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202211486292.5在审
发明人： 梅晓波;邓放心;周震;吕嘉伟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包括：提供基底，基底包括多个分立的有源区以及位于相邻有源区之间的隔离结构，基底包括沿第一方向延伸的字线区；形成缓冲块以及填充层，其中，缓冲块位于字线区的相邻的有源区之间的部分隔离结构上，且缓冲块与相邻的有源区相间隔，填充层位于基底上，且填充相邻缓冲块之间的区域；采用干法刻蚀工艺，刻蚀字线区的填充层、缓冲块、隔离结构以及有源区，以形成字线凹槽，其中，字线区中，与填充层正对的隔离结构表面先于与缓冲层正对的隔离结构表面暴露在干法刻蚀工艺的环境中；形成填充字线凹槽的字线结构。至少可以提高字线对有源区内沟道的控制能力。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构的清洗装置及清洗方法-CN202111028542.6在审
发明人： 梅晓波;崔振东 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构的清洗装置及清洗方法，其中，清洗装置包括清洗槽，清洗槽内部构造有清洗空间，沿第一方向，清洗空间包括顺序连通的清洗区和紊流区，清洗区内设有至少一个用于通入清洗液的进液单元，紊流区内设有至少一个清洗液流出的清洗出口，紊流区用于改变并引导清洗液的流动方向，以对放置于清洗区内的至少一个半导体结构进行清洗；清洗装置还包括控制器，控制器与进液单元电连接。本公开通过在清洗槽中设置顺序连通的清洗区和紊流区，利用紊流区打乱清洗液的流动方向，从而有效清除半导体结构表面的微粒，提高半导体结构的清洗效果，有利于后续制程的稳定，提高产品良率。
半导体结构清洗装置方法

[发明专利]一种商用车空气悬架控制系统及其控制方法-CN202110981083.7在审
发明人：范养强;鲍伟东;袁文强;赵华杰;申伶;梅晓波 -专利权人：陕西重型汽车有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B60G17/019 文献下载
摘要：本发明提供一种商用车空气悬架控制系统及其控制方法，其中控制系统包括：悬架高度测量模块、悬架气压测量模块、数据处理单元和电磁阀，悬架高度测量模块用于对悬架高度的实时测量，悬架气压测量模块用于对悬架空气弹簧气压的实时测量，悬架高度测量模块以及悬架气压测量模块分别与数据处理单元连接，用于采集所述悬架高度测量模块的悬架高度信号以及悬架气压测量模块的悬架气压信号，进行计算后输出控制信号至所述电磁阀，以此来控制悬架高度和悬架气压。控制方法包含悬架高度PID控制法、气压PID控制法、开关控制法、高度容差自适应调节控制法以及Smith预估补偿控制法等。该控制系统及其控制方法具有控制精度高，响应速度快、成本低、可靠性高等特点。
一种商用空气悬架控制系统及其控制方法

[发明专利]半导体结构的制备方法、半导体结构以及半导体存储器-CN202110880780.3在审
发明人： 梅晓波 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体结构的制备方法、半导体结构以及半导体存储器，该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；在衬底中形成具有第一深度的隔离结构；在衬底中形成具有第二深度的字线结构，字线结构部分形成在隔离结构中，且第二深度小于第一深度；沿垂直于衬底的方向对隔离结构进行刻蚀，在隔离结构中形成具有第三深度的第一沟槽；在衬底上形成覆盖字线结构和第一沟槽的第一绝缘层，以在隔离结构中形成气隙结构。
半导体结构制备方法以及存储器

[实用新型]FPC检测机-CN202220988138.7有效
发明人：黄并;梅晓波;詹良泽;邓可 -专利权人：奕东电子科技股份有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种FPC检测机，其包括用于承载FPC的工作台、安装架、驱动装置、测试器及多个测试头，多个测试头呈可拆卸地安装于安装架，测试头呈面对工作台布置，测试头可于安装架上进行位移和/或转向，测试头与测试器电连接，安装架安装于驱动装置的输出端，驱动装置驱使安装架做靠近或远离工作台的移动，以使测试头与放置于工作台上的FPC的焊盘电性相接。本实用新型的FPC检测机具有操作简便，使用灵活的优点。
fpc 检测

[发明专利]喷嘴位置检测方法、装置、电子设备及存储介质-CN202210822100.7在审
发明人： 梅晓波;时旭 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供一种喷嘴位置检测方法、装置、电子设备及存储介质。该方法应用于晶圆处理装置，晶圆处理装置包括托盘、喷嘴以及多组收发器，其中，喷嘴设置在托盘上方，用于向晶圆表面喷射液体柱；收发器包括对应设置的接收器和发射器，接收器与发射器设置于一圆周上，圆周所在平面高于托盘，圆周的圆心位于托盘所在平面的垂线上，垂线经过托盘的中心。该方法包括：提供晶圆放置于托盘表面，晶圆的圆心位于垂线上；控制发射器发射光束，根据与发射器对应的接收器的光束接收结果，确定喷嘴是否偏离垂线。本公开通过对应设置的接收器和发射器检测喷嘴位置并实时监测，有利于及时发现喷嘴偏离情况，进而及时校准喷嘴位置，提高半导体器件良率。
喷嘴位置检测方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种半导体设备及半导体设备的控制系统-CN202210459497.8在审
发明人： 梅晓波 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体设备及半导体设备的控制系统。其中，半导体设备，包括腔体、主管路、至少一个副管路组；所述主管路的一端与所述腔体连通，用于从所述腔体中抽取气体，以在所述腔体内形成真空；每个所述副管路组包括至少一个副管路；所述副管路包括分别与所述主管路相连通的进气段和出气段及连接所述进气段和所述出气段的中间段；所述进气段和出气段沿第一方向设置，所述第一方向为沿所述主管路由远离所述腔体的方向指向靠近所述腔体的方向；所述进气段与所述第一方向之间的第一夹角为锐角；所述出气段与所述第一方向之间的第二夹角为锐角。该设备能够防止发生外部气体反灌，提升抽真空的效率。
一种半导体设备控制系统

[发明专利]清洗装置-CN202210386157.7在审
发明人：高佳;梅晓波 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供了一种清洗装置，包括：工作台，用于承载待清洁工件；清洗部件，清洗部件的至少部分设置在工作台的上方，以使清洗部件处于工作状态，清洗部件用于向待清洁工件喷射清洁介质；防护组件，防护组件具有气体流通管件和与气体流通管件连通的气体喷出部，气体喷出部与工作台之间的最小距离小于清洗部件的清洁介质出口端与工作台之间的最小距离，以通过气体喷出部向清洗部件的下方吹出气流。本公开解决了现有技术中的在晶圆清洗之后容易导致晶圆质量降低的问题。
清洗装置

[实用新型]一种商用车空气悬架控制系统-CN202122038417.5有效
发明人：范养强;鲍伟东;袁文强;赵华杰;申伶;梅晓波 -专利权人：陕西重型汽车有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： B60G17/019 文献下载
摘要：本实用新型提供一种商用车空气悬架控制系统，其中控制系统包括：悬架高度测量模块、悬架气压测量模块、数据处理单元和电磁阀，悬架高度测量模块用于对悬架高度的实时测量，悬架气压测量模块用于对悬架空气弹簧气压的实时测量，悬架高度测量模块以及悬架气压测量模块分别与数据处理单元连接，用于采集所述悬架高度测量模块的悬架高度信号以及悬架气压测量模块的悬架气压信号，进行计算后输出控制信号至所述电磁阀，以此来控制悬架高度和悬架气压。控制方法包含悬架高度PID控制法、气压PID控制法、开关控制法、高度容差自适应调节控制法以及Smith预估补偿控制法等。该控制系统及其控制方法具有控制精度高，响应速度快、成本低、可靠性高等特点。
一种商用空气悬架控制系统

[发明专利]一种等离子体处理装置及其处理晶片的方法-CN202210204859.9在审
发明人： 梅晓波 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种等离子体处理装置及其处理晶片的方法，所述等离子体处理装置包括：反应腔；载台，位于所述反应腔的底部，用于承载晶片；气体喷淋头，位于所述载台上方，用于向所述反应腔内导入处理气体；其中，所述气体喷淋头的出口的水平截面呈扁平状，且所述气体喷淋头可在所述载台上方的至少一个方向上来回移动。
一种等离子体处理装置及其晶片方法

[发明专利]晶圆边缘的清洗方法以及清洗装置-CN202110083429.1有效
发明人： 梅晓波;刘浩东 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种晶圆边缘的清洗方法和晶圆边缘清洗装置，清洗方法包括：提供晶圆，所述晶圆具有晶圆边缘；控制所述晶圆处于旋转阶段以使所述晶圆旋转，并在所述旋转阶段向所述晶圆边缘提供清洗溶液；所述旋转阶段包括第一旋转阶段和/或第二旋转阶段，所述第一旋转阶段过程中所述晶圆旋转的速度由第一转速递增至第二转速，所述第二旋转阶段过程中所述晶圆旋转的速度由所述第二转速递减至所述第一转速；所述第二转速大于所述第一转速。本发明实施例提供的晶圆边缘的清洗方法，有利于提高晶圆边缘清洗的效果。
边缘清洗方法以及装置

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