“梁志锦”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202311163048.X在审
发明人：李伟聪;文雨;梁志锦 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2023-09-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括芯片衬底、栅极金属、发射极金属、钝化层以及阻裂层，栅极金属与发射极金属间隔设置于芯片衬底上，栅极金属具有栅极压焊区，发射极金属具有发射极压焊区，发射极压焊区与栅极压焊区沿第一方向排列且间隔设置，钝化层以及阻裂层同层设置于芯片衬底、栅极金属以及发射极金属上，钝化层具有第一开口以及第二开口，第一开口暴露发射极压焊区，第二开口暴露栅极压焊区，第一开口以及第二开口的拐角处至少具有贯穿钝化层的拐角去除孔，阻裂层至少设置于拐角去除孔中，钝化层的材料与阻裂层的材料不同，以降低位于第一开口以及第二开口的拐角处的钝化层出现开裂的风险。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310844509.3在审
发明人：李伟聪;文雨;梁志锦 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括多个芯片区以及多个划片区，每一划片区围绕一芯片区设置，划片区具有边缘区以及边角区，边角区位于边缘区的一侧且与边缘区连接以围绕芯片区，半导体器件包括晶圆衬底，晶圆衬底具有第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽，第一沟槽沿第一方向延伸且位于芯片区，第二方向与第一方向垂直，第二沟槽沿第二方向和第一方向中的至少一者延伸且位于边缘区；自芯片区朝向划片区的方向为第三方向，第三方向与第一方向以及第二方向相交，第三沟槽沿第三方向延伸且位于边角区，第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽内填充有多晶硅层。通过在划片区设置多种沿不同方向延伸的沟槽，可以降低晶圆的翘曲程度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202310844510.6在审
发明人：李伟聪;文雨;梁志锦 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括芯片区以及围绕芯片区设置的划片区，半导体器件包括晶圆衬底、栅走线以及导电材料，晶圆衬底位于芯片区以及划片区，栅走线间隔设置于位于芯片区的晶圆衬底上且沿第一方向延伸，晶圆衬底具有位于芯片区且填充有导电材料第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽的两端与相邻的栅走线连接且沿第一方向交替排列；第一沟槽以及第二沟槽均包括第一分槽以及与第一分槽连接的第二分槽，第一分槽沿第二方向延伸，第二方向与第一方向垂直，第一沟槽的第二分槽朝向背离第二沟槽的一面凸出设置，第二沟槽的第二分槽朝向背离第二沟槽的一面凸出设置。半导体器件通过上述设置，可以降低晶圆的翘曲程度。
半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种无叶风扇-CN201120259417.1有效
发明人： 梁志锦 -专利权人：佛山市顺德区澳斯邦智能家居用品科技有限公司
申请日： 2011-07-21 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： F04F5/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种无叶风扇，包括底座，底座上设有可转动的风机主体，风机主体内固定安装有风机组件，风机主体上开设有与风机组件相通的进风口，风机主体顶端安装有带中心风道的环形套筒，所述环形套筒呈横卧式设置在风机主体顶端，对应中心风道的环形套筒两侧构成中心风道入、出口，环形套筒的侧壁厚度由中心风道入口往中心风道出口方向呈逐渐减少且侧壁内的空腔与风机组件连通，所述靠近中心风道入口的环形套筒内壁设有与进风口相对应的出风口，中心风道入口往外延伸的环形套筒内壁设有圆弧过渡，有效提高风速，其结构简单、效果明显。
一种风扇

1
共 4 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top