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[发明专利]热传导结构体或半导体装置-CN201910523882.2有效
发明人：别所毅;出口昌孝;斋藤永宏;桥见一生 -专利权人：丰田自动车株式会社;国立大学法人名古屋大学
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明涉及热传导结构体或半导体装置。本公开的目的在于提供热传导性优异的热传导结构体。本实施方式为热传导结构体，其为热从第一构件向第二构件传导的热传导结构体，包含：在上述第一构件和上述第二构件中的至少一者的表面上形成的自组装单分子膜、以及在上述第一构件和上述第二构件之间与上述自组装单分子膜相接地配置的散热油脂。
热传导结构半导体装置

[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法和评估方法-CN200610084766.8有效
发明人： 桥见一生;佐藤豪一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2006-05-17 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭示一种在不损伤硅衬底的情况下稳定且准确地评估半导体器件栅极下方的杂质分布的方法。依照该评估方法，通过使由热解作用产生的热解氢与半导体器件接触，而在不去除栅极绝缘膜的情况下，去除由含硅材料制成的栅极，该半导体器件包括栅极、源极以及漏极，其中，该栅极经由栅极绝缘膜设置在半导体衬底上，该源极和该漏极形成在该栅极相对侧的半导体衬底上。此外，通过观测留在半导体衬底上的栅极绝缘膜的形状来评估栅极的加工形状，通过湿式工艺去除留在半导体衬底上的栅极绝缘膜，以及测量和评估栅极下方的杂质分布。
半导体器件制造方法评估