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[发明专利]一种用于Splitgate的多晶硅膜层制作方法-CN202211233767.X在审
发明人：胡志诚;马贤佳;柴利林 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于Splitgate的多晶硅膜层制作方法，其包括：提供一待沉积多晶硅的半导体基底，所述半导体基底具有沟槽；将所述半导体基底置于沉积炉中，升温至T1后，保持恒温，在恒温条件下进行硅沉积，形成多晶硅膜层；然后按一定速率升温至T2，升温后进行退火处理；其中，T2＞T1；还包括对所述多晶硅膜层进行掺杂处理。本发明有效改善了多晶硅膜层的均匀度和厚度，大大提升了Splitgate的性能。
一种用于 splitgate 多晶硅膜层制作方法

[发明专利]一种离子注入机束流状态侦测方法、装置、设备及介质-CN202210904799.1在审
发明人：洪克华;柴利林;王智权;何伟 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入机束流状态侦测方法，包括以下步骤：基于离子注入机的标准运行状态下的注入束流和牵引电流建立第一标准区间；获取注入束流和牵引电流，将注入束流与牵引电流的比值乘以第一系数以得到K1；响应于K1超出第一标准区间，离子注入机发出异常提示。本发明还公开了一种离子注入机中束流状态的侦测装置、计算机设备和可读存储介质。本发明解决本申请通过对引入多个参数表征离子注入机中的束流状态，快速监测离子注入机的异常情况，有效提升产品管理的时效性和准确性。
一种离子注入机束流状态侦测方法装置设备介质

[发明专利]一种机台保养项目自动排期系统-CN202211151637.1在审
发明人：王潘潘;柴利林;吴建璋;何伟 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G06Q10/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种机台保养项目自动排期系统，包括：资料管理模块、自动排期模块以及执行模块，资料管理模块配置用于存储机台历史信息；自动排期模块配置用于录入排期规则，自动排期模块进一步基于机台历史信息和排期规则进行自动排期以生成保养排期表执行模块配置用于通信获取保养排期表，并按照保养排期表中的项目顺序执行机台保养。本发明的系统通过在系统中预设保养项目排期规则和保养时间，自动控制各个机台在指定时间进行维修保养，有效避免了手动排期经常出现漏排、机台排期不合理、同机型机台的维修保养项目堆积影响生产安排等情况，有效提高了机台维修保养效率。
一种机台保养项目自动系统

[实用新型]一种晶圆载具中晶圆突出侦测改进装置-CN202221876551.0有效
发明人：黄会刚;王爱进;吴建璋;柴利林 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆载具中晶圆突出侦测改进装置，该装置包括发射端、接收端以及警报装置，发射端具有相对于晶圆载具固定的第一基座以及安装至第一基座上的发送器，发送器设置为沿晶圆径向方向可移动并发出平行于晶圆轴线方向的光线；接收端具有相对于晶圆载具固定的第二基座以及安装至第二基座上的接收器，接收器设置为沿晶圆径向方向可移动并接收来自发射端的光线；以及警报装置与接收端电连接以在接收端无信号时发出警报。改进后的侦测装置整体向晶圆方向靠近，最小侦测值从6mm精确至2mm，进一步扩大了侦测范围，并且保证侦测装置的准确性，有效避免了由于晶圆突出侦测不准确导致的掉片风险。
一种晶圆载具中晶圆突出侦测改进装置

[实用新型]一种用于离子注入机冷却管的引流保护装置-CN202222076321.2有效
发明人：张建圣;何伟;吴建璋;柴利林 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离子注入机冷却管的引流保护装置，装置包括双通接头、引流装置、保护装置，其中，双通接头具有第一端部和第二端部，第一端部与机台管道连接，第二端部具有同轴设置的第一接口和第二接口，冷却管可拆卸地连接于第一接口；引流装置包括引流管和排水管，引流管可拆卸地连接于第二接口，引流管上设置有第一开口，排水管通过第一开口连接至引流管；保护装置包括储水槽，储水槽设置于排水管的正下方。本装置通过将冷却管内嵌与引流管内，并通过双通接头将冷却管和引流管固定连接至机台处，通过引流管的设置在冷却管发生爆破的第一时间将漏水收集并从排水管引流至储水槽，并进一步通过传感器和警报装置实现实时监测。
一种用于离子注入冷却管引流保护装置

[实用新型]一种炉管机热电偶的位移侦测装置-CN202220920360.3有效
发明人：石少敏;张宇杰;王爱进;吴建璋;柴利林 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01B21/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种炉管机热电偶的位移侦测装置，该装置包括侦测机构和固定机构。其中，侦测机构进一步包括步进电机、滚轮以及传感器，步进电机包含电机主体和连接至所述电机主体的转轴，滚轮与转轴同轴连接，滚轮的旋转轴垂直于热电偶的延伸方向设置，并且滚轮的外缘与热电偶抵接以使热电偶在产生位移时通过所述滚轮带动所述转轴转动，传感器连接至步进电机，并配置为获取侦测数据。通过本实用新型的位移侦测装置可以实时监控热电偶的位移情况，不仅降低了人工消耗，更保证了测量的准确性及炉管机热电偶工作的安全性。
一种炉管热电偶位移侦测装置

[实用新型]一种改善炉管温度的退火系统-CN202220850494.2有效
发明人：徐晓军;马贤佳;张宇杰;王爱进;柴利林;吴建璋 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种改善炉管温度的退火系统，该退火系统包括预热分解装置，所述预热分解装置包括加热器，所述加热器进一步包括加热管和加热丝，所述加热管内部中空形成腔室，所述加热丝内嵌于所述加热管中；以及退火装置，所述退火装置包括炉管以及退火炉，所述炉管与所述预热分解装置连通。本实用新型的退火系统中通过预加热分解装置对气体进行前置处理，改进后的系统至少具有两大优势：(1)预热分解装置可以独立控制气体分解的温度，保证气体充分分解；(2)分解后的气体进入退火装置后不会影响退火温度，避免因退火温度变化导致产品报废。
一种改善炉管温度退火系统

[发明专利]离子注入的监控方法-CN201310323779.6有效
发明人：陈雪峰;柴利林 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种离子注入的监控方法，包括将第一离子注入到半导体晶片的第一离子注入工艺；在所述第一离子注入工艺之后对所述半导体晶片进行退火工艺，以激活所述半导体晶片中的所述第一离子；第一测量步骤，在所述退火工艺之后测量所述晶片的片电阻，以获得第一电阻值；将第二离子注入到所述半导体晶片的第二离子注入工艺；第二测量步骤，在所述第二离子注入工艺之后测量所述晶片的片电阻，以获得第二电阻值；以及计算所述第二电阻值与所述第一电阻值之间的差值作为被监控值，并比较该被监控值与对应于所述第二离子注入工艺的预定参数的正常值范围，从而确定所述第二离子注入工艺是否处于正常状态。
离子注入监控方法

[发明专利]一种在炉管中沉积多晶硅的方法-CN200810110659.7无效
发明人：肖新民;邹同征;柴利林 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2008-06-12 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种在炉管中沉积多晶硅的方法，包括：步骤一，在常压和第一预定温度下将晶片送入炉管内；步骤二，在一预定压力和第二温度下沉积多晶硅薄膜；步骤三，在常压和第二预定温度下将晶片从炉管中取出。采用本发明的技术方案可以避免温度和压力同时变化造成的炉管内壁上的薄膜剥落的问题，进而提高产品的合格率。
一种炉管沉积多晶方法

[发明专利]一种改善低压化学气相沉积设备中粒子污染的方法-CN200710187793.2无效
发明人： 柴利林 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造工艺技术领域，且特别涉及一种改低压化学气相沉积设备中粒子污染的方法。本发明的改善低压化学气相沉积设备中粒子污染的方法，在沉积工艺完成后，将晶舟从反应管中取出，改变反应管内的温度，使反应管表面比较脆弱的薄膜因温度冲击而剥落；然后，通入气体清洗反应管，去除剥落的薄膜。通过在沉积完成后，较大幅度的改变反应管的温度，可以使即将剥落的薄膜因温度的冲击而剥落，然后用惰性气体将剥落的薄膜清洗出，便会大大减少在沉积过程中可能发生的薄膜剥落和粒子污染，减少对产品的损害，提高产品的合格率。
一种改善低压化学沉积设备粒子污染方法

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