专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]功率放大装置-CN202120826610.2有效
  • 小堀勉;柳原真悟;高桥佳史;冈部宽 - 株式会社村田制作所
  • 2021-04-21 - 2021-12-24 - H03F3/20
  • 提供一种功率放大装置,能够实现良好的散热性并实现特性的提高。功率放大装置具有:半导体基板;多个第一晶体管,其设置于半导体基板,被输入高频信号;多个第二晶体管,其设置于半导体基板,与多个第一晶体管分别电连接,输出将高频信号放大后的高频输出信号;多个第一突起,其与多个第一晶体管分别重叠设置;以及第二突起,其与多个第一突起分开设置,且与多个第一晶体管及多个第二晶体管不重叠地设置,在从与半导体基板的表面垂直的方向的俯视下,按照第一晶体管及第一突起、第二晶体管、第二突起、第二晶体管、第一晶体管及第一突起的顺序排列。
  • 功率放大装置
  • [发明专利]多指晶体管以及功率放大电路-CN202110386161.9在审
  • 柳原真悟 - 株式会社村田制作所
  • 2021-04-09 - 2021-10-29 - H03F3/20
  • 本发明提供一种多指晶体管以及功率放大电路,使多个单位晶体管均等地进行动作。包含:多个单位晶体管,具备与基准电位电连接的第1端子、被输入高频信号以及偏置电流的第2端子和输出对高频信号进行了放大的放大信号的第3端子;公共输入端子,将多个单位晶体管的第2端子电并联连接,被输入高频信号;公共偏置端子,将多个单位晶体管的第2端子电并联连接,被输入偏置电流;公共输出端子,将多个单位晶体管的第3端子电并联连接,输出放大信号;和多个第1电阻元件,分别电连接在多个单位晶体管的第2端子与公共输入端子之间,将偏置电流的直流分量截止。
  • 晶体管以及功率放大电路
  • [发明专利]功率放大电路-CN202011281812.X在审
  • 柳原真悟;田中聪 - 株式会社村田制作所
  • 2020-11-16 - 2021-05-21 - H03F1/02
  • 实现低失真并且电路的规模不变得过大就能够确保充分的增益的功率放大电路。功率放大电路(1)包括:输入级功率放大器(11),被输入高频输入信号;输出级功率放大器(12),输出放大后的高频输出信号;和中间级功率放大器(1M),设置在输入级功率放大器(11)与输出级功率放大器(12)之间。中间级功率放大器(1M)具有:第1晶体管(Q1M);第2晶体管(Q2M);和电容器(C30),一端与第1晶体管(Q1M)的发射极连接,并且另一端与第2晶体管(Q2M)的集电极连接,在第2晶体管(Q2M)的基极输入信号,并从第1晶体管(Q1M)的集电极输出被放大的信号。
  • 功率放大电路
  • [发明专利]功率放大模块-CN201710260731.3有效
  • 柳原真悟 - 株式会社村田制作所
  • 2017-04-20 - 2021-01-26 - H03F1/56
  • 本发明提供一种既能降低成本又能高精度地实施阻抗匹配的功率放大模块。功率放大模块包括:对输入信号进行放大并输出第一放大信号的第一放大器;对第一放大信号进行放大并输出第二放大信号的第二放大器;以及设置在第一放大器的输出端子与第二放大器的输入端子之间的匹配电路,第一放大器形成在第一芯片上,第二放大器形成在第二芯片上,匹配电路能够根据控制信号来调整阻抗的变换特性。
  • 功率放大模块
  • [发明专利]半导体装置-CN202010654125.1在审
  • 小堀勉;冈部宽;吉田茂;柳原真悟;高桥佳史 - 株式会社村田制作所
  • 2020-07-08 - 2021-01-12 - H01L23/522
  • 本发明提供一种对于频率变动不易产生阻抗匹配状态的偏离的半导体装置。在基板设置有接地用焊盘。在基板的表面上的第1方向上并列地配置有发射极接地的多个晶体管。在基板设置有连接多个晶体管的基极的输入布线。至少两个并联电感器的一端与输入布线连接,另一端与接地用焊盘连接。关于第1方向,两个并联电感器以配置了多个晶体管的区域的中心为基准,配置在相互相反侧。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202010539872.0在审
  • 柳原真悟 - 株式会社村田制作所
  • 2020-06-12 - 2020-12-22 - H01L23/498
  • 本发明提供一种能够谋求发射极或源极的寄生电感的降低的半导体装置。在基板设置有至少一个晶体管。该晶体管是包括发射极、基极以及集电极的双极晶体管、或者包括源极、栅极以及漏极的场效应晶体管。在基板设置有与发射极或源极连接的至少一个第1凸块。还设置有与集电极或漏极连接的至少3个第2凸块。在俯视下,在以第2凸块各自的几何中心为顶点的多边形的内侧配置有至少一个第1凸块的几何中心。
  • 半导体装置
  • [发明专利]隔离器-CN201480048253.4在审
  • 向山和孝;斋藤贤志;和田贵也;中嶋礼滋;柳原真悟 - 株式会社村田制作所
  • 2014-07-30 - 2016-04-13 - H01P1/36
  • 本发明涉及隔离器。隔离器(10)具备磁芯隔离器(1)、主基板(3)以及电路形成部(2)。主基板(3)具备布线部(3A)、布线部(3B)以及布线部(3D),搭载磁芯隔离器(1)和电路形成部(2)。磁芯隔离器(1)的输入端口(P11)与布线部(3A)连接。磁芯隔离器(1)的输出端口(P12)与布线部(3B)连接。磁芯隔离器(1)的地线端口(P13)与布线部(3D)连接。电路形成部(2)构成包含经由布线部(3A)和布线部(3B)与磁芯隔离器(1)以并联的方式连接的电容器(C1)、以及与布线部(3A)和布线部(3B)的至少一方连接的阻抗元件的导体图案。
  • 隔离器
  • [其他]电路模块-CN201390000730.0有效
  • 吉见俊二;斋藤贤志;柳原真悟;东出祐树 - 株式会社村田制作所
  • 2013-06-28 - 2015-07-01 - H01P1/36
  • 本实用新型提供一种能通过简化匹配单元的结构来实现高效化并能通过将不可逆电路靠近配置来实现小型化的电路模块。将各隔离器配置成各永磁体的直流磁场彼此加强,因此,各不可逆电路(3a、3b)(限制单元(3))的输入阻抗降低。因此,放大单元(2)的输出阻抗与显示单元(3)的输入阻抗的阻抗变换比相对变小。因此,能简化设置在放大单元(2)与限制单元(3)之间的匹配单元(4)的结构从而降低匹配单元(4)的插入损耗,因此能实现电路模块(1)的高效化。此外,由于能以各永磁体的直流磁场彼此加强的方式将不可逆电路(3a、3b)靠近配置,因此提高了电路模块(1)的设计自由度,能实现电路模块(1)的小型化。
  • 电路模块

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