专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]高频模块-CN201980024380.3有效
  • 田原健二;中嶋礼滋 - 株式会社村田制作所
  • 2019-02-14 - 2022-03-01 - H04B1/00
  • 本发明提供高频模块,在多个载波聚合中使对方侧的频带显示为开放。在高频模块(1)中,可变相位器(4)使仅以第一频带的信号通信的第一单模时的相位和第一载波聚合模式时的相位可变,并且,使第一单模时的相位和第二载波聚合模式时的相位可变。使第一单模时的相位与第一载波聚合模式时的相位之间的相位差、和第一单模时的相位与第二载波聚合模式时的相位之间的相位差不同。
  • 高频模块
  • [实用新型]高频电路以及通信装置-CN202120757565.X有效
  • 中嶋礼滋 - 株式会社村田制作所
  • 2021-04-14 - 2021-12-14 - H04B1/40
  • 本实用新型提供高频电路,在同时发送多个发送信号时,抑制发送信号的品质劣化。高频电路(10)能够与第二通信频带的发送信号同时发送第一通信频带的发送信号,高频电路(10)具备:发送输入端子(110);功率放大器(11T),能够放大第一通信频带的发送信号;以及滤波器(33),连接在发送输入端子(110)与功率放大器(11T)的输入端子之间,将包含第一通信频带的发送频带的频带作为通带,将包含第二通信频带的发送频带的频带作为衰减频带。
  • 高频电路以及通信装置
  • [发明专利]高频放大器模块-CN201710717429.6有效
  • 中嶋礼滋 - 株式会社村田制作所
  • 2017-08-21 - 2021-03-16 - H03F3/189
  • 本发明的高频放大器模块中,即使所需要的输出信号电平较高,也能抑制特性劣化并实现优异的散热性。高频放大器模块(10)包括半导体基板(200)与绝缘性基板(80)。半导体基板(200)具备分别与多个高频放大用晶体管(21、22、23、24)的发射极相连接的多个发射极用电极(Pe21、Pe22、Pe23、Pe24)。绝缘性基板(80)包括共用接地电极(810)、接地用端子电极(820)以及厚度方向连接电极(701、702、703)。共用接地电极(810)形成在表面或该表面附近,与多个发射极用电极(Pe21、Pe22、Pe23、Pe24)相接合。接地用端子电极(820)形成在绝缘性基板(80)的背面。厚度方向连接电极(701、702、703)连接共用接地电极(810)与接地用端子电极(820)。
  • 高频放大器模块
  • [发明专利]高频放大器模块-CN201710717515.7有效
  • 中嶋礼滋 - 株式会社村田制作所
  • 2017-08-21 - 2021-03-16 - H03F3/19
  • 本发明实现使用了多个高频放大元件的放大特性优异的高频放大器模块。半导体基板(200)具备对于多个高频放大用晶体管的发射极用电极(PeD21、PeD22、PeD23、PeD24)。绝缘性基板(80)具备多个连接盘电极(811、812、813、814)、接地电极(830、840)以及多个电感器电极(711、712、713、714)。多个连接盘电极(811、812、813、814)形成在绝缘性基板的表面或该表面附近,并分别与多个发射极用电极(PeD21、PeD22、PeD23、PeD24)相接合。接地电极(830、840)形成在绝缘性基板的内部。多个电感器电极(711、712、713、714)以独立的长度连接多个连接盘电极(811、812、813、814)、与接地电极(830)及接地电极(840)中的任一个。
  • 高频放大器模块
  • [发明专利]不可逆电路元件-CN201580041886.7在审
  • 中池勇树;中嶋礼滋 - 株式会社村田制作所
  • 2015-07-06 - 2017-05-10 - H01P1/383
  • 本发明提供一种集中常数型的不可逆电路元件,其插入损耗特性在宽频带内变小。不可逆电路元件(循环器)中,在施加了直流磁场的铁氧体(20)中配置第1中心导体(21)、第2中心导体(22)以及第3中心导体(23)使其分别在绝缘状态下交叉,将第1中心导体(21)的一端作为第1端口(P1),第2中心导体(22)的一端作为第2端口(P2),第3中心导体(23)的一端作为第3端口(P3)。第1端口(P1)与第1端子(41)连接,第2端口(P2)与第2端子(42)连接,第3端口(P3)与第3端子(43)连接,中心导体(21)、(22)、(23)各自的另一端彼此连接并且接地。与中心导体(21)、(22)、(23)分别并联地连接电容器元件(C1)、(C2)、(C3),第1中心导体(21)、第2中心导体(22)以及第3中心导体(23)分别串联或并联地设有电容器(C1’)、(C2’)、(C3’)。
  • 可逆电路元件
  • [发明专利]隔离器-CN201480048253.4在审
  • 向山和孝;斋藤贤志;和田贵也;中嶋礼滋;柳原真悟 - 株式会社村田制作所
  • 2014-07-30 - 2016-04-13 - H01P1/36
  • 本发明涉及隔离器。隔离器(10)具备磁芯隔离器(1)、主基板(3)以及电路形成部(2)。主基板(3)具备布线部(3A)、布线部(3B)以及布线部(3D),搭载磁芯隔离器(1)和电路形成部(2)。磁芯隔离器(1)的输入端口(P11)与布线部(3A)连接。磁芯隔离器(1)的输出端口(P12)与布线部(3B)连接。磁芯隔离器(1)的地线端口(P13)与布线部(3D)连接。电路形成部(2)构成包含经由布线部(3A)和布线部(3B)与磁芯隔离器(1)以并联的方式连接的电容器(C1)、以及与布线部(3A)和布线部(3B)的至少一方连接的阻抗元件的导体图案。
  • 隔离器
  • [发明专利]不可逆电路元件-CN201380024374.0在审
  • 中嶋礼滋;牧野敏弘 - 株式会社村田制作所
  • 2013-05-09 - 2015-01-07 - H01P1/383
  • 本发明提供一种能够兼得小型化和低损耗的集中常数型的不可逆电路元件。在该不可逆电路元件中,第1中心导体(21)、第2中心导体(22)以及第3中心导体(23)以相互绝缘状态交叉地配置在由永久磁铁施加直流磁场的铁氧体(20),将第1中心导体(21)的一端作为第1端口(P1),将第2中心导体(22)的一端作为第2端口(P2),将第3中心导体(23)的一端作为第3端口(P1)。第1端口(P1)与第1端子(41)连接,第2端口(P2)与第2端子(42)连接,第3端口(P3)与第3端子(43)连接。各中心导体(21、22、23)各自的另一端相互连接并且接地。分别针对各中心导体(21、22、23)并联连接有电容元件(C1、C2、C3)。而且,满足以下公式。这里,γ:旋磁比,μo:真空导磁率,Hin:内部磁场,Ms:饱和磁化强度,ω:角频率。γ(μ0Hin+Ms)≤ω。
  • 可逆电路元件
  • [发明专利]不可逆电路元件-CN201280029230.X有效
  • 和田贵也;中嶋礼滋 - 株式会社村田制作所
  • 2012-05-08 - 2014-02-26 - H01P1/36
  • 不可逆电路元件能够实现低输入阻抗,尽可能抑制发送侧电路的元器件数量和成本的增加。不可逆电路元件(隔离器)包括:铁氧体(32);在铁氧体(32)上以彼此绝缘的状态来交叉配置的第1及第2中心电极(35)、(36)(第1及第2电感器L1、L2);以及对第1及第2中心电极(35)、(36)的交叉部分施加直流磁场的永磁体。将第1中心电极(35)的一端设为输入端口(P1)、另一端设为输出端口(P2),将第2中心电极(36)的一端设为输入端口(P1)、另一端设为接地端口(P3),在输入端口(P1)与输出端口(P2)之间串联连接有彼此并联连接的电阻元件(R)和电容元件(C1)。将第2中心电极(36)的电感设定得相对较大,从而降低输入阻抗。
  • 可逆电路元件
  • [发明专利]不可逆电路元件-CN200880000970.4无效
  • 川浪崇;中嶋礼滋 - 株式会社村田制作所
  • 2008-06-09 - 2009-09-30 - H01P1/36
  • 一种2端口式不可逆电路元件,通过提高第2中心电极的Q来降低插入损耗。不可逆电路元件(2端口式隔离器)包括:永久磁铁;铁氧体(32),由该永久磁铁施加直流磁场;第1中心电极和第2中心电极(35、36),被配置于该铁氧体(32)上;电路基板。将形成于铁氧体(32)的主面(32a、32b)的电极膜用设置在上面的电极连接而形成第1中心电极(35)。将形成于铁氧体(32)的主面(32a、32b)的电极膜用设置在上下面的电极连接并至少缠绕3匝而形成第2中心电极(36),且该第2中心电极(36)最外侧的电极膜(36a、36c、36m、36o)的宽度尺寸(W1)比内侧的电极膜(36e、36g、36i、36k)的宽度尺寸(W2)大。
  • 可逆电路元件

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