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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光传感器-CN202110475302.4在审
发明人：张柏钧;林炳豪;李国政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本文揭示一种光传感器，包括衬底、光侦测柱、栅极结构、浮置节点结构以及通道结构。所述衬底具有第一掺杂类型。所述光侦测柱具有第二掺杂类型，并且设置于所述衬底中。所述栅极结构在垂直方向上设置于所述衬底上，并且与光侦测柱电绝缘。所述浮置节点结构设置于所述栅极结构上，于所述垂直方向上相反于所述光侦测柱，且与所述栅极结构电绝缘。所述通道结构延伸穿过所述栅极结构，与所述栅极结构电绝缘，并且电连接至所述光侦测柱及所述浮置节点结构。
传感器

[发明专利]像素阵列-CN202110138252.0在审
发明人：方俊霖;林炳豪;李国政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种像素阵列可包含多个像素区域，所述多个像素区域包含第一像素区域及第二像素区域。像素阵列可包含在所述多个像素区域上方的金属格栅结构。像素阵列可包含光阻挡层。光阻挡层的第一部分可以在第一像素区域上方并且在金属格栅结构下方。第一部分可具有第一厚度。光阻挡层的第二部分可以在第二像素区域上方并且在金属格栅结构下方。第二部分可具有不同于第一厚度的第二厚度。
像素阵列

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910571460.2有效
发明人：翁思强;林炳豪;张复诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：一种方法包括将第一晶圆接合到第二晶圆。第一晶圆包括多个介电层、穿过多个介电层的金属管以及由金属管环绕的介电区。介电区具有多个台阶，多个台阶由金属管环绕的多个介电层的部分的侧壁和顶面形成。该方法还包括蚀刻第一晶圆以去除介电区并且留下由金属管环绕的开口，将开口延伸到第二晶圆中以露出第二晶圆中的金属焊盘，以及用导电材料填充开口，以在开口中形成导电插塞。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件、半导体图像传感器及其制造方法-CN202110811899.5在审
发明人：黄莉雯;方俊霖;潘冠伶;林炳豪;李国政;吴振铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：半导体器件包括：第一类型的光感测单元，其中，第一类型的光感测单元的每个示例可操作的以接收第一辐射量；以及第二类型的光感测单元，其中，第二类型的光感测单元的的每个示例可操作的以接收第二辐射量，并且将第二类型的光感测单元与第一类型的光感测单元布置在阵列中，以形成像素传感器。第一辐射量小于第二辐射量，并且第一类型的光感测单元的至少第一示例与第一类型的光感测单元的的第二示例相邻。本发明的实施例还涉及半导体图像传感器以及制造半导体器件的方法。
半导体器件半导体图像传感器及其制造方法

[发明专利]图像传感器和用于形成图像传感器的方法-CN202011052866.9在审
发明人：徐世勋;林炳豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在一些实施例中，提供了图像传感器。图像传感器包括设置在半导体衬底的前侧表面内的第一光检测器。沟槽隔离结构设置在半导体衬底的背侧表面上方。沟槽隔离结构包括缓冲层和介电衬垫。缓冲层覆盖半导体衬底的背侧表面并且填充向下延伸至半导体衬底的背侧表面中的沟槽。介电衬垫设置在缓冲层和半导体衬底之间。复合栅格结构具有分别在沟槽上方对准的复合栅格段。缓冲层将介电衬垫与复合栅格结构分隔开。遮光结构设置在缓冲层内并且位于第一光检测器正上方。本申请的实施例还涉及用于形成图像传感器的方法。
图像传感器用于形成方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法-CN201811147275.2有效
发明人：魏嘉余;陈信吉;李国政;林炳豪;黄熏莹;林彦良;高于婷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及CMOS图像传感器以及相关的形成方法。在一些实施例中，CMOS图像传感器包括设置在衬底内且位于传输栅极的一侧处的浮置扩散区域以及设置在衬底内且位于传输栅极的与浮置扩散区域相对的另一侧处的光电探测列。光电探测列包括掺杂类型与衬底的掺杂类型相反的掺杂感测层。光电探测列和衬底在包括一个或多个凹进部分的结界面处彼此接触。通过形成具有凹进部分的结界面，与没有凹进部分的先前p‑n结界面相比，扩大了结界面，并且因此改进了光电二极管结构的满阱容量。
cmos 图像传感器及其形成方法

[发明专利]形成半导体结构的方法-CN201811339883.3在审
发明人： 林炳豪;张复诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种形成半导体结构的方法。在衬底之上形成多层式结构。在所述多层式结构上形成具有台阶式侧壁的光刻胶堆叠。将所述光刻胶堆叠的图案转移到所述多层式结构。
多层式结构半导体结构光刻胶堆叠图案转移台阶式侧壁衬底

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