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[发明专利]发光装置-CN201680007327.9在审
发明人： 松尾哲二;丸尾泰弘 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：具有：支承基板(10)；发光元件(20)，其配置在支承基板(10)上，具有在第1半导体层(21)的上方配置第2半导体层(23)而得的层叠结构；透光性基板(70)，其配置在发光元件(20)的上方；第1连接用电极(41)，其从支承基板(10)的第1侧面(101)上至透光性基板(70)的第1侧面(701)上连续地配置，与第1半导体层(21)电连接；以及第2连接用电极(42)，其从支承基板(10)的第2侧面(102)上至透光性基板(70)的第2侧面(702)上连续地配置，与第2半导体层(23)电连接，发光装置经由第1连接用电极(41)以及第2连接用电极(42)的、与朝向支承基板(10)和透光性基板(70)的第1侧面相对的第2侧面，与安装基板电连接。
支承基板连接用电极透光性基板半导体层侧面电连接配置发光元件发光装置安装基板层叠结构

[发明专利]半导体晶片及半导体装置-CN201110432270.6无效
发明人： 松尾哲二 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶片及半导体装置，其具有能够在抑制裂纹的产生的同时被厚膜化，且具有导电性的氮化物半导体层。该半导体晶片具有：多层膜，其具有由未掺杂的第1氮化物半导体层和晶格常数比该第1氮化物半导体层大的未掺杂的第2氮化物半导体层交替地层叠而成的结构；以及未掺杂的第3氮化物半导体层，其配置在多层膜上，晶格常数比第1氮化物半导体层大，其中，半导体晶片在膜厚方向上具有导电性。
半导体晶片装置

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201110108031.5有效
发明人： 松尾哲二 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明获得可高效率取出光的发光元件及其制造方法。发光二极管(20)由Si基板(21)和通过外延生长形成在其上的半导体层形成。该半导体层由n型GaN层(n型半导体层)(22)和p型GaN层(p型半导体层)(23)构成。在该发光二极管(20)的侧面邻接形成有透光性绝缘层(30)。在该结构中，发光二极管(20)和透光性绝缘层(30)的上表面都由公共的透明电极(42)覆盖。在透明电极(42)中的透光性绝缘层(30)上的区域内形成有电极焊盘(43)。由于电极焊盘(43)不形成在发光二极管(20)上，因而光不会由电极焊盘(43)或者连接在电极焊盘(43)上的接合线或钎焊接合的配线等遮挡。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN201010145057.2无效
发明人： 松尾哲二 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2010-03-26 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种能够实现小型化的发光装置及其制造方法。发光装置(1)具备：具有导电性的第一基板(11)和第二基板(12)；配设在它们之间的绝缘体(41)；配设在第一基板(11)的第一主面(11A)上的半导体发光功能层(2)；以及覆盖半导体发光功能层(2)的透明性密封体(7)。半导体发光功能层(2)的第一主电极(21)与第一基板(11)电连接，第二主电极(23)与第二基板(12)电连接。对第一基板(11)的第二主面(11B)和第二基板(12)的第四主面(12B)进行背面研磨处理，从而实现薄型化。
发光装置及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法-CN200810128040.9无效
发明人：田岛未来雄;多田善纪;松尾哲二 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可以提高光取出效率的半导体发光元件及半导体发光元件制造方法。所述半导体发光元件包括：具备承担发光功能的发光区域和使所发出的光取出的光取出面的发光功能层叠体，以及配置在所述光取出面上向上方向凸起形状的透镜。
半导体发光元件制造方法

[发明专利]氮化物半导体装置-CN200580021019.3有效
发明人：青柳秀和;松尾哲二;杢哲次;田岛未来雄 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2005-07-13 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的氮化物半导体发光装置由硅衬底(1)、在其上配置的具有发光功能的主半导体区(3)及在主半导体区(3)上配置的p型半导体层(8)构成。主半导体区(3)由n型半导体层(6)、活性层(7)和p型半导体层(8)构成。透光性电极(10)由Ag合金构成。在透光性电极(10)的Ag合金中掺入了用以抑制氧化或硫化的添加元素。掺入了添加元素的Ag合金稳定性高且透光性及欧姆性优异。
氮化物半导体装置

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN200510108523.9无效
发明人：青柳秀和;加藤隆志;松尾哲二 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的半导体发光元件包括具有导电性的支持衬底(1)和具有发光功能的半导体区(3)和光反射层(2)。半导体区(3)包括n型半导体层(6)、活性层(7)、p型半导体层(8)和p型辅助半导体层(9)。光反射层(2)由Ag或Ag合金构成，且配置在半导体区(3)和支持衬底(1)之间。该光反射层(2)通过接合在半导体区(3)的一方主面形成的由Ag或Ag合金构成的第一粘贴层和在支持衬底(1)的一方主面形成的由Ag或Ag合金构成的第二粘贴层来形成。光反射层(2)的侧面(22)和半导体区(3)的侧面(23)的任一方或两方被用以抑制迁移的保护层(6)覆盖。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]设有保护元件的半导体发光装置及其制造方法-CN200510104147.6有效
发明人：青柳秀和;松尾哲二 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2005-09-15 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明旨在容易地实现导体发光元件的过电压保护。因而，在包含p型半导体层(13)、活性层(14)、n型半导体层(15)的发光用半导体区域(1)的一方主面(17)上配置第一电极(2)。在发光用半导体区域(1)的另一方主面(18)上配置具有导电性的光反射层(3)。光反射层(3)上隔着粘贴金属层(6)粘贴保护元件用的半导体衬底(5)。在半导体衬底(5)上设置用以构成作为保护元件的齐纳二极管的n型半导体区域(21)和p型半导体区域(22)。齐纳二极管和发光元件由导体(9)并联连接。
设有保护元件半导体发光装置及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN200510052909.2有效
发明人：田岛未来雄;佐藤雅裕;青柳秀和;松尾哲二 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明旨在提高半导体发光元件的发光效率。半导体发光元件(1)设有包含n型半导体层(15)、活性层(16)、p型半导体层(17)、第一、第二和第三辅助层(13、14、18)的半导体区(2)。在用作半导体区2的光取出面的一个主面(11)的中央连接有阴电极(8)。在半导体区(2)的另一主面(12)隔着包括欧姆接触层(19)和具有隧道效应的绝缘膜(3)与光反射层(4)接合。反射层(4)隔着第一和第二接合金属层(5、6)与硅支撑衬底(7)接合。绝缘膜(3)抑制光反射层(4)和欧姆接触层(19)之间的合金化。从而，确保光反射层(4)的良好的反射率。
半导体发光元件及其制造方法

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