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[发明专利]正型抗蚀剂组成物及图案形成方法-CN202010148552.2有效
发明人： 松井良宪;提箸正义;金子达志;关明宽;渡边聪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及正型光阻抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题是提供PED稳定性优异、DOF特性优异、LWR良好、可形成拖尾受到抑制的形状的图案的正型抗蚀剂组成物、及使用该正型抗蚀剂组成物的图案形成方法。一种正型抗蚀剂组成物，含有：(A)下式(1)表示的第1鎓盐化合物；(B)下式(2)表示的第2鎓盐化合物；(C)基础聚合物，该基础聚合物含有下式(a)表示的含酸不稳定基团的重复单元、及视需要的下式(b)表示的含酸不稳定基团的重复单元，且其碱溶解性会因酸而改善(但是，含有下式(b)表示的含酸不稳定基团的重复单元时，酸不稳定基团的碳数为14以上者在全部重复单元中为5摩尔％以下的话，则亦可含有。)；及(D)有机溶剂。
正型抗蚀剂组成图案形成方法

[发明专利]环氧化合物、抗蚀剂组合物、及图案形成方法-CN202010147905.7有效
发明人：提箸正义;谷口良辅;渡边武;松井良宪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C07D303/40 文献下载
摘要：本发明涉及环氧化合物、抗蚀剂组合物、及图案形成方法。本发明的课题为提供无损感度而能适当地控制产生自产酸剂的酸的扩散长度的抗蚀剂组合物、及使用了该抗蚀剂组合物的图案。该课题的解决方法为以下式(1)表示的环氧化合物、及含有该环氧化合物的抗蚀剂组合物。式中，X1及X2分别独立地为‑CH2‑或‑O‑。kA为0或1。R1及R2分别独立地为碳数4～20的叔烃基、或选自于下式中的基团。式中，虚线为价键。
氧化抗蚀剂组合图案形成方法

[发明专利]使用聚合物共混物的定向自组装形成具有亚光刻间距的特征的方法-CN201410355996.8有效
发明人： 松井良宪 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了使用聚合物共混物的定向自组装形成具有亚光刻间距的特征的用于制造半导体器件的方法，其包括：根据光刻工艺在布置在衬底上的光致抗蚀剂层中形成第一特征的第一图案，光刻工艺具有最小可印制尺寸和最小可印制间距；在具有形成于其中的第一图案的光致抗蚀剂层上涂覆附加层；在附加层中形成第二特征的第二图案，第二特征与第一特征同心；以及蚀刻衬底的通过第二图案而暴露的部分。此外，在所提供的方法中，第一特征包括被小于最小可印制特征的尺寸的距离所分隔的几何特征，并且几何特征以小于最小可印制间距的间距布置。
使用聚合物共混物定向组装形成具有光刻间距特征方法