专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存取管理的方法、记忆装置、控制器、主装置和电子装置-CN202010000703.X有效
  • 杨宗杰;王文珑 - 慧荣科技股份有限公司
  • 2020-01-02 - 2022-06-28 - G11C16/12
  • 本发明公开了一种用来进行一记忆装置的存取管理的方法以及相关装置(例如,所述记忆装置及其控制器诸如所述记忆装置中的一存储器控制器、相关的主装置以及相关的电子装置)。所述方法可包括:当所述主装置传送一主装置指令至所述记忆装置,利用所述存储器控制器估测所述主装置指令的一完成时间,以产生对应于所述完成时间的完成时间信息;以及利用所述存储器控制器将所述完成时间信息传送至所述主装置,以容许所述主装置于所述完成时间之后进行轮询以取得所述主装置指令的一执行结果。本发明能确保整体系统的妥善运作以避免相关技术中的问题,诸如主装置的硬件资源满载或过载。
  • 存取管理方法记忆装置控制器电子
  • [发明专利]存储装置以及其接口芯片-CN201810510101.1有效
  • 杨宗杰 - 慧荣科技股份有限公司
  • 2018-05-24 - 2022-06-07 - G06F13/16
  • 本发明公开了一种存储装置以及其接口芯片。该接口芯片可应用于该存储装置。该接口芯片包括:仆接口电路、主接口电路以及控制电路。该存储装置包括内存控制器以及非挥发性内存,且该非挥发性内存包括复数个非挥发性内存芯片。该仆接口电路用来将该接口芯片耦接至该内存控制器。该主接口电路用来将该接口芯片耦接至该复数个非挥发性内存芯片中的一组非挥发性内存芯片。该存储装置中的阶层式架构包括该内存控制器、该接口芯片以及该组非挥发性内存芯片。该控制电路用来控制该接口芯片的运作。
  • 存储装置及其接口芯片
  • [发明专利]闪存装置、闪存控制器及闪存存储管理方法-CN202010384012.4有效
  • 杨宗杰;许鸿荣 - 慧荣科技股份有限公司
  • 2017-04-26 - 2022-06-03 - G11C29/42
  • 本发明公开了一种闪存装置和闪存存储管理方法,所述闪存存储管理方法包括:提供闪存模块,所述闪存模块包括多个单层单元数据区块以及多层单元数据区块;将欲写入的数据分类为多个数据群;分别执行单层单元数据写入以及执行类似容错式磁盘阵列错误更正编码操作产生对应的校验码,以将所述多个数据群以及所述对应的校验码写入至所述多个单层单元数据区块;当完成所述多个单层单元数据区块的写入时,执行内部复制,将所述多个单层单元数据区块所存储的所述多个数据群以及所述对应校验码,依所述多个单层单元数据区块存储顺序,依序写入至所述多层单元数据区块。只需使用极低数据空间作为存储相对应错误更正校验码之用,闪存数据空间使用效率更高。
  • 闪存装置控制器存储管理方法
  • [发明专利]改善闪存的读取重试的方法、控制器以及相关存储装置-CN201910111370.5有效
  • 杜建东;蔡璧如;杨宗杰 - 慧荣科技股份有限公司
  • 2019-02-12 - 2022-05-24 - G11C16/10
  • 本发明公开了一种管理闪存模块的多个存储单元的方法。所述方法包括:针对每一第一存储单元的数据写入时间建立对应于所述第一存储单元的编程时戳;根据所述第一存储单元的所述编程时戳,选择相对应的读取重试表来对所述第一存储单元进行读取操作;以及根据已写入数据的第一存储单元的编程时戳,执行第一刷新操作。通过周期性地对已写入数据的第一存储单元进行刷新,并且在每个使用历程中执行前一个使用历程中有写入的存储单元,本发明能够有效地减少所需的读取重试表的数量。此外,通过周期性地选择第二存储单元的部分进行错误检查,本发明能够更好地保证读读取重试表的数量在减少后仍能有效率地进行读取重试,进而改善读取重试的效率。
  • 改善闪存读取重试方法控制器以及相关存储装置
  • [发明专利]应用于闪存控制器的编码器自我测试电路及相关的方法-CN201910137901.8有效
  • 杨宗杰 - 慧荣科技股份有限公司
  • 2019-02-25 - 2022-05-24 - G06F11/22
  • 本发明公开了一种应用于闪存控制器的编码器自我测试电路,包括控制电路和编码器。在编码器自我测试电路的操作中,在不对任何闪存进行存取的情形下,所述控制电路产生一输入数据至所述编码器,所述编码器对所述输入数据进行编码以产生一校验码至所述控制电路,以供判断所述编码器的功能是否正常。本发明的自我测试电路可在不需要连结到闪存模块的情形下对闪存控制器中的编码器进行功能测试,以准确地判断出编码器的功能是否异常,以避免现有技术中需要让闪存控制器与闪存模块相连后才能进行测试,而造成当闪存控制器有异常时导致相连结的闪存模块需要另外进行剥离制程的麻烦。
  • 应用于闪存控制器编码器自我测试电路相关方法
  • [发明专利]存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与记忆装置-CN202010697066.6有效
  • 杨宗杰;许鸿荣 - 慧荣科技股份有限公司
  • 2017-04-26 - 2022-05-10 - G11C16/08
  • 本发明公开了一种存取一闪存模块的方法,其中所述闪存模块是包括了多个闪存芯片的一立体闪存模块,每一个闪存芯片包括了多个区块,每一个区块包括了多个数据页;以及所述方法包括有:规划所述多个闪存芯片以使得所述多个闪存芯片具有至少一第一超级区块以及至少一第二超级区块;以及指派所述至少一第二超级区块以用来储存在一数据写入至所述至少一第一超级区块的过程中所编码产生的多组暂时性的校验码。本发明的有益之处在于,除了可以对数据写入错误、字线断路以及字线短路所造成的数据读取错误进行更正之外,也可以大幅降低闪存控制器中缓冲存储器的容量需求,故可以大幅降低闪存控制器的成本以及闪存模块的使用效率。
  • 存取闪存模块方法相关控制器记忆装置
  • [发明专利]用以存取快闪存储器模块的方法、快闪存储器控制器与电子装置-CN202110360202.7在审
  • 杨宗杰 - 慧荣科技股份有限公司
  • 2021-04-02 - 2022-03-29 - G11C16/34
  • 本发明涉及一种用以存取一快闪存储器模块的方法、快闪存储器控制器与电子装置。该方法包含:将一读取指令发送至该快闪存储器模块,以藉由使用多个读取电压来读取多个存储器单元,其中每个存储器单元可用以储存多个位元,每个存储器单元具有多个状态,该多个状态用于指示该多个位元的不同组合;从该快闪存储器模块中获取一读出信息;分析该读出信息以决定该多个存储器单元的该多个状态的数量;根据该多个存储器单元的该多个状态的数量,判断该多个存储器单元是平衡的还是不平衡的,以产生一判断结果;以及参考该判断结果来调整该多个读取电压的电压准位。
  • 用以存取闪存模块方法控制器电子装置
  • [发明专利]闪存控制器、闪存模块以及电子装置-CN201910647336.X有效
  • 杨宗杰 - 慧荣科技股份有限公司
  • 2019-07-17 - 2022-03-25 - G11C16/08
  • 本发明公开了一种电子装置,其中所述电子装置包括一闪存模块以及一闪存控制器。所述闪存模块包括至少一闪存芯片,每一闪存芯片包括多个区块,且每一区块包括多个页面,而所述闪存控制器是用来存取所述闪存模块。当所述闪存控制器发送一读取指令至所述闪存模块以请求至少一页面上的数据,所述闪存模块使用多个读取电压来读取所述至少一页面的每一记忆细胞以取得每一记忆细胞的多位信息,以及所述闪存模块将所述至少一页面的每一记忆细胞的所述多位信息传送至所述闪存控制器。本发明的闪存模块能因应一个读取指令将每一记忆细胞的多位信息输出至闪存控制器,且每一记忆细胞的多位信息可指出所述记忆细胞的临界电压或状态,因而改善读取效率。
  • 闪存控制器模块以及电子装置
  • [发明专利]闪存控制器以及用来存取闪存模块的方法-CN201910647337.4有效
  • 杨宗杰 - 慧荣科技股份有限公司
  • 2019-07-17 - 2022-03-25 - G11C16/08
  • 本发明公开了一种闪存控制器以及用来存取闪存模块的方法,其中所述闪存模块包括至少一闪存芯片,每一闪存芯片包括多个区块,每一区块包括多个页面,以及所述方法包括以下步骤:发送一读取指令至所述闪存模块以请求至少一记忆单元上的数据;自所述闪存模块接收所述至少一记忆单元的多个记忆细胞的多位信息;以及分析所述多个记忆细胞的所述多位信息以取得所述多个记忆细胞的一临界电压分布以供决定一解码程序。总的来说,本发明的闪存模块能因应读取指令将每一记忆细胞的多位信息输出至所述闪存控制器,且每一记忆细胞的多位信息可指出所述记忆细胞的临界电压或状态。因此,读取效率能被大幅地改善。
  • 闪存控制器以及用来存取模块方法
  • [发明专利]选区激光粉末床熔融制备含硼钛合金材料的方法及其产品-CN201910911405.3有效
  • 杨光;杨宗杰;李建辉 - 河北科技大学
  • 2019-09-25 - 2022-02-11 - B22F3/105
  • 本发明提供了一种选区激光粉末床熔融制备含硼钛合金材料的方法及该方法获得的产品,涉及含硼钛合金材料制备技术领域,包括如下步骤:以海绵钛、硼粒、铝和枝晶钒为原料,熔炼制备出铸态含硼钛合金;真空气雾化得到含硼钛合金材料粉末;选区激光粉末床熔融得到沉积态含硼钛合金材料。本发明提供的选区激光粉末床熔融制备含硼钛合金材料的方法,使得含硼钛合金材料的晶粒得到了较大细化,颗粒的分布更加弥散,有效地降低了合金元素的偏析,使得微观组织更加均匀,后续固溶时效处理进一步提高材料的力学性能,同时选区激光粉末床熔融具有成型速度快、制作效率高的特点,进一步提升了材料的综合力学性能。
  • 选区激光粉末熔融制备钛合金材料方法及其产品

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