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[发明专利]一种Ni-Mn-Sn-Co-Si磁制冷材料-CN201910746476.2有效
发明人：李宗宾;杨嘉晶;杨波;赵骧;左良 -专利权人：东北大学
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： C22C30/04 文献下载
摘要：一种Ni‑Mn‑Sn‑Co‑Si磁制冷材料，属于磁性材料技术领域。所述Ni‑Mn‑Sn‑Co‑Si磁制冷合金材料的化学分子式为Ni38Mn42SnxCo10Siy,合金中元素的摩尔数之和为100，其中8≤x≤9,1≤y≤2。本发明通过原料配比、真空电弧多次反复熔炼，制备多晶铸锭，在高纯惰性气体保护下退火，然后迅速水冷，从而制备出Ni‑Mn‑Sn‑Co‑Si磁制冷合金块体坯料。本发明的合金块体在1.5T磁场下，绝热温变变化范围为0.66‑2.70K。本发明的磁性合金能够在室温附近能够获得优异的绝热温变，伴随有巨大的磁热效应，可作为磁制冷工质具有较高的磁制冷效率和宽温域工作范围。
一种 ni mn sn co si 制冷材料

[发明专利]一种富Mn的Mn-Ni-In-Co-Cu磁制冷材料及其制备方法-CN201810576924.4有效
发明人：李宗宾;杨嘉晶;杨波;赵骧;左良 -专利权人：东北大学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C22C30/02 文献下载
摘要：本发明属于磁制冷合金材料及其合金的制备工艺技术领域。该材料本身在室温附近能够获得优异的绝热温变，是理想的近室温磁制冷工质。所述富Mn的Mn‑Ni‑In‑Co‑Cu磁制冷合金材料的化学分子式为Mn
磁制冷合金制备合金高纯惰性气体保护室温磁制冷工质退火制备工艺技术磁制冷材料化学分子式绝热多晶铸锭合金块体原料配比真空电弧熔炼磁熵变摩尔数块体坯料水冷磁场

[发明专利]延伸漏极MOSFET（EDMOS）-CN201910418152.6在审
发明人： 杨嘉晶;林启荣;郭克文;D·R·迪斯尼 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及延伸漏极MOSFET(EDMOS)。本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及具有双氧化物厚度的延伸漏极MOSFET结构和制造方法。该结构包括延伸漏极金属氧化物半导体晶体管(EDMOS)，该延伸漏极金属氧化物半导体晶体管(EDMOS)包括具有双氧化物方案的栅极结构。
氧化物半导体晶体管延伸漏极金属双氧化物漏极半导体结构栅极结构制造