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- [发明专利]用于低温计算的高效能存储器-CN202310016205.8在审
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束宇豪;张宏图;哈亚军
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上海科技大学
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2023-01-06
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2023-06-23
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G11C11/4091
- 本发明公开了一种用于低温计算的高效能存储器，其特征在于，包括若干存储器组，每个存储器组包括一个CSDB‑GC宏模块、通用地址译码器和不同地址译码器，CSDB‑GC宏模块包括若干列本地块，每个本地块包括若干个CSDB‑GC存储器单元。芯片最终测量结果表明，该16Kb CSDB‑eDRAM实现了16.67秒的数据保留时间，该结果相较于4.2K条件下最先进的低温eDRAM工作提升了2.6倍，并实现了更低的刷新功耗(0.11pW/Kb)。此外，它还实现了710ps(1.41GHz)的更快访问时间。与最先进的工作相比，其动态功耗开销最低，为49.23uW/Kb。
- 用于低温计算高效能存储器
- [发明专利]一种低温高能效存内计算加速器-CN202211694748.7在审
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束宇豪;张宏图;哈亚军
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上海科技大学
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2022-12-28
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2023-05-16
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G06F15/78
- 本发明公开了一种低温高能效存内计算加速器。本发明的创新之处在于：高保留时间的低温3T存储单元设计：本发明提出了一种基于eDRAM的低温3T存储单元设计，它可以在没有任何字线电压提升方案的情况下显著提升保留时间，在写操作过程中实现全摆幅数据传输。低温自适应可重构灵敏放大器设计：本发明开发了一种低温片上自适应可重构灵敏放大器设计，通过配置ARSA的参考电压，可以实现片上精确的布尔逻辑计算。低温优化的Flash ADC设计：本发明使用所设计的ARSA，在片上自适应产生15个ARSA的参考电压，并重构为4bit Flash ADC。通过片上的自适应配置参考电压以及存储方式，该设计可以确保快速且低功耗卷积计算实现。
- 一种低温能效计算加速器
- [发明专利]一种用于卷积神经网络的内存计算eDRAM加速器-CN202111169936.3在审
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张宏图;束宇豪;哈亚军
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上海科技大学
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2021-10-08
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2022-01-18
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G06F5/16
- 本发明提供了一种用于卷积神经网络的内存计算eDRAM加速器，其特征在于，包括四个P2ARAM块，每个P2ARAM块包括由64x16个5T1C乒乓eDRAM位单元组成的5T1C乒乓eDRAM位单元阵列，在每个P2ARAM块中，由64X2个数字时间转换器从行方向将4比特激活值转换成不同的脉冲宽度，并输入到5T1C乒乓eDRAM位单元阵列中进行计算；而在5T1C乒乓eDRAM位单元阵列的列方向共得到16X2个卷积结果输出。本发明提出的卷积神经加速器使用了：5T1C乒乓eDRAM位单元并行多比特存储和卷积；在不额外增加面积开销的情况下，将累积位线的输入采样电容分摊到CDAC阵列的符号‑数值SAR ADC单元，提出了S2M‑ADC方案。通过这种方式，本发明公开的基于eDRAM的存内计算神经网络加速器达到峰值计算密度为59.1TOPS/mm2，比之前的工作高出约30倍。
- 一种用于卷积神经网络内存计算edram加速器
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