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[发明专利]半导体探测器-CN201610797815.6有效
发明人：张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：公开了一种半导体探测器。根据实施例，该半导体探测器可以包括：半导体探测材料，包括彼此相对的第一侧面和第二侧面，其中，第一侧面和第二侧面之一是接收入射射线的射线入射面；设置于第一侧面上的多个像素阴极；设置于第二侧面上的多个像素阳极，其中，像素阳极与像素阴极彼此一一对应；以及设置于射线入射面上各像素阴极或像素阳极外周的阻挡电极。根据本公开的实施例，可以有效避免像素之间的电荷共享，提高探测器的成像分辨率。
半导体探测器

[发明专利]半导体探测器及其封装方法-CN201610797744.X有效
发明人：张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体探测器及其封装方法。所述半导体探测器包括：阳极电路板，包括读出芯片；阴极电路板，所述阴极电路板包括阴极电路板高压端顶层、阴极电路板底部连接层和填充在阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层之间的电介质，所述阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层通过过孔连接；探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极，所述阳极与所述阳极电路板上的读出芯片相连，其中所述阴极电路板高压端顶层用于连接半导体探测器的输入，所述阴极电路板底部连接层与所述探测器晶体的阴极直接接触而连接所述阴极和所述阴极电路板。
半导体探测器及其封装方法

[发明专利]半导体探测器-CN201610797083.0有效
发明人：张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体探测器。所述半导体探测器包括：探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极；场增强电极，用于向探测器晶体施加电压；绝缘材料，设置于所述场增强电极和所述探测器晶体表面之间。所述半导体探测器还包括场增强电极电路板，所述增强电极电路板具有与探测器晶体表面接触的底部连接层和与所述底部连接层相对的顶层，其中所述顶层连接半导体探测器的高压输入，所述底部连接层与所述探测器晶体的探测器表面之间存在绝缘材料。
半导体探测器

[发明专利]探测器及用于智能划分能区的探测系统和方法-CN201610797192.2有效
发明人：张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01T1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种探测器以及用于智能划分能区的探测系统和方法，其中所述探测方法可以包括：由探测器采集从探测对象透射的射线，产生探测信号，所述探测器的每一像素列包括一个A类电极和多个B类电极，且沿探测对象的移动方向依次布置所述A类电极和所述B类电极，使得从探测对象透射的射线先进入A类电极，随后进入B类电极；基于与A类电极对应的探测信号，得到探测对象的图像数据，并基于图像数据估计探测对象的物质成分；根据所估计的物质成分，调整用于能区划分的一个或多个阈值；以及根据所调整后的阈值来确定与B类电极对应的探测信号的能区，并计算在每个能区中的信号数目，得到探测器对象的图像数据，从而得到探测对象的准确成分。
探测器用于智能划分探测系统方法

[发明专利]半导体探测器-CN201610798761.5有效
发明人：张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：公开了一种半导体探测器。根据实施例，该半导体探测器可以包括：半导体探测材料，包括彼此相对的第一侧面和第二侧面；设置于第一侧面上的阴极；以及设置于第二侧面上的阳极，其中，阳极包括限定半导体探测器的探测像素的像素阳极阵列以及设置于相邻的像素阳极之间的中间阳极。根据本公开的实施例，可以实现信号修正，提高探测器的能量分辨率和信噪比。
半导体探测器

[发明专利]探测器调整模型的训练方法和装置-CN202110497692.5有效
发明人：周培涛;张丽;唐虎;邓智;邢宇翔;孙运达;焦凌云;李波;金鑫;李新斌;张桂庆;杜迎帅;张萌;窦建清 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本公开涉及一种探测器调整模型的训练方法和装置，涉及计算机技术领域。该训练方法包括：采集探测器的相关信息、性能要求信息、探测器生成的图像作为训练集数据；利用机器学习模型处理训练数据，输出调整后的探测器参数、图像处理结果；根据机器学习模型的输出和训练集数据的标注结果，训练机器学习模型。
探测器调整模型训练方法装置

[发明专利]探测器装置和阵列面板-CN201911237661.5在审
发明人： 杜迎帅;张丽;邓智;李波;吴宗桂;刘小桦;高乐 -专利权人：同方威视技术股份有限公司;清华大学
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种探测器装置和阵列面板。探测器装置，包括：半导体探测器、半导体芯片和封装支架，三者构成叠层，半导体探测器布置在半导体芯片的一侧上，封装支架布置在半导体芯片的远离半导体探测器的一侧上。半导体芯片的电信号通过电连接从半导体芯片的侧部或远离半导体探测器的底侧引至封装支架的侧面或远离半导体芯片的底侧。
探测器装置阵列面板

[发明专利]用于探测器的读出芯片-CN201911237663.4在审
发明人：吴宗桂;张丽;李波;杜迎帅;刘小桦;邓智;高乐;李伟宸;张萌 -专利权人：同方威视技术股份有限公司;清华大学
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种用于探测器的读出芯片、一种探测器模块以及一种X射线系统，所述用于探测器的读出芯片包括：分布于读出芯片的中心区域处的布置成矩阵的多个像素输入焊盘PAD；分布于读出芯片的边缘处的与像素输入PAD不同的辅助PAD；分布于多个像素输入PAD和辅助PAD之间的至少一个保护环内部PAD；以及分布在辅助PAD同侧的保护环打线PAD，其中，至少一个保护环内部PAD与保护环打线PAD相连，以通过保护环打线PAD向至少一个保护环内部PAD施加偏压，且至少一个保护环内部PAD与保护环打线PAD之间的连接线不与读出芯片中的其他连接线互连。
用于探测器读出芯片

[发明专利]探测器模块及其信号计数校正方法-CN201911237701.6在审
发明人：吴宗桂;张丽;李波;杜迎帅;刘小桦;李伟宸;邓智;高乐 -专利权人：同方威视技术股份有限公司;清华大学
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H03K21/40 文献下载
摘要：本申请提供了一种探测器模块及其计数率校正方法，所述探测器模块，包括：探测器；以及读出电路，用于读出所述探测器的电信号并对所述电信号进行计数，所述读出电路包括电荷灵敏前放CSA电路、成形电路、甄别器和计数器，其中，所述读出电路还包括信号堆积校正电路，所述信号堆积校正电路连接在所述甄别器和所述计数器之间，以用于在由所述成形电路输出的信号堆积的情况下，基于所述信号堆积校正电路的预定窗口时间对所述甄别器的信号的脉冲宽度进行分割以进行堆积信号校正，以使所述计数器对经校正的信号进行计数。
探测器模块及其信号计数校正方法

[发明专利]飞行模式CdZnTe巡检系统和巡检方法-CN201510983070.8有效
发明人：张岚;王为之;杜迎帅;吴宗桂;张韡;马旭明;曹雪朋;赵崑;李军 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种飞行模式CdZnTe巡检系统和巡检方法，涉及辐射探测领域。其中，巡检系统包括CdZnTe谱仪和飞行器，飞行器携带CdZnTe谱仪飞行，以实现飞行巡检功能，提高核辐射监测的工作效率。并且，CdZnTe谱仪能量分辨率高、体积小、重量轻、便携性好，与飞行器结合后，测量精度高、续航时间长，可以飞临核事故现场进行作业，巡检事故现场，降低人员进入事故现场接受的辐射剂量，为救援提供支持。
巡检系统飞行器谱仪巡检飞行模式事故现场核事故测量精度高核辐射监测能量分辨率辐射剂量辐射探测工作效率巡检功能续航便携性体积小重量轻飞行救援携带

[发明专利]半导体探测器的信号处理方法及装置-CN201510417228.5有效
发明人：张岚;李玉兰;李元景;傅楗强;杜迎帅;张韡;马旭明;李军 -专利权人：清华大学;同方威视技术股份有限公司
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明提供半导体探测器的信号处理方法和装置，包括：获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系；根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间；在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。本发明更好地克服了探测器晶体的固有缺陷，降低了本底噪声的影响，进一步地提高了碲锌镉探测器在室温下的能量分辨率，改善了峰康比。
半导体探测器信号处理方法装置

[发明专利]多能区信号处理装置及多能区辐射探测系统和方法-CN201610798762.X在审
发明人：张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： G01T1/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种多能区信号处理装置及多能区辐射探测系统和方法。所述多能区信号处理装置可以包括第一处理模块，配置为接收来自探测器的信号，并对接收到的信号进行处理以产生门控信号，其中门控信号的开启时段表示接收到的信号的幅度；以及第二处理模块，配置为从第一处理模块接收门控信号，根据门控信号的开启时段确定所述信号所属的能区，以针对多个能区中的每一个计算该能区中的信号数目。
多能信号处理装置辐射探测系统方法

[实用新型]半导体探测器-CN201621033858.9有效
发明人：张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种半导体探测器。所述半导体探测器包括探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极；场增强电极，用于向探测器晶体施加电压；绝缘材料，设置于所述场增强电极和所述探测器晶体表面之间。所述半导体探测器还包括场增强电极电路板，所述增强电极电路板具有与探测器晶体表面接触的底部连接层和与所述底部连接层相对的顶层，其中所述顶层连接半导体探测器的高压输入，所述底部连接层与所述探测器晶体的探测器表面之间存在绝缘材料。本实用新型能够进一步提高场增强线电极探测器的能量分辨率，减少暗电流的影响。
半导体探测器

[实用新型]半导体探测器-CN201621033789.1有效
发明人：张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种半导体探测器。所述半导体探测器包括阳极电路板，包括读出芯片；阴极电路板，所述阴极电路板包括阴极电路板高压端顶层、阴极电路板底部连接层和填充在阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层之间的电介质，所述阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层通过过孔连接；探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极，所述阳极与所述阳极电路板上的读出芯片相连，其中所述阴极电路板高压端顶层用于连接半导体探测器的输入，所述阴极电路板底部连接层与所述探测器晶体的阴极直接接触而连接所述阴极和所述阴极电路板。
半导体探测器

[实用新型]半导体探测器-CN201621032761.6有效
发明人：张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：公开了一种半导体探测器。根据实施例，该半导体探测器可以包括半导体探测材料，包括彼此相对的第一侧面和第二侧面，其中，第一侧面和第二侧面之一是接收入射射线的射线入射面；设置于第一侧面上的多个像素阴极；设置于第二侧面上的多个像素阳极，其中，像素阳极与像素阴极彼此一一对应；以及设置于射线入射面上各像素阴极或像素阳极外周的阻挡电极。根据本公开的实施例，可以有效避免像素之间的电荷共享，提高探测器的成像分辨率。
半导体探测器

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