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[发明专利]一种骨修复n-HA/CS多孔支架及制备方法和应用-CN202110321711.9有效
发明人：邹琴;李玉宝;林明玥;王晨鑫;李泰赫 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： A61L27/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种骨修复n‑HA/CS多孔支架及制备方法和应用，该骨修复支架以n‑HA/CS多孔支架为基础结构，在该n‑HA/CS多孔支架表面经多巴胺修饰形成多巴胺涂层，且在多巴胺涂层表面接枝经戊二醛交联的壳聚糖微球。本发明的骨修复n‑HA/CS多孔支架原料配方简单，成分安全，具有良好的生物相容性、生物降解性，以及促成骨和血管化等功能，在骨缺损重建过程中能有效促进骨修复，同时表面接枝的CS微球可负载药物和生长因子，为进一步构建一种可进行局部药物/生长因子控释的功能性骨修复体系提供了基础。
一种修复 ha cs 多孔支架制备方法应用

[发明专利]具有气隙的半导体器件以及用于制造其的方法-CN201910333656.8在审
发明人：金赞培;朴相洙;李泰赫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了具有气隙的半导体器件以及用于制造其的方法。一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成第一导电结构；在第一导电结构的两个侧壁上形成包括非共形牺牲间隔件层的多层间隔件；形成与第一导电结构相邻的第二导电结构，其间具有多层间隔件；通过去除非共形牺牲间隔件层来形成气隙；形成覆盖第二导电结构和气隙的覆盖层；通过刻蚀覆盖层来形成暴露第二导电结构的顶表面的开口；以及在开口中形成耦接至第二导电结构的导电焊盘。
导电结构半导体器件多层间隔间隔件层共形气隙开口刻蚀覆盖层导电焊盘顶表面覆盖层侧壁衬底耦接制造暴露覆盖申请

[实用新型]用于临床的加压装置-CN201720485951.1有效
发明人： 李泰赫 -专利权人： 李泰赫
申请日： 2017-05-04 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： A61M1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于临床的加压装置。其包括基座、压板、弹簧和用于使压板动作的偏心轮，基座呈L型，其横向面上开设有第一凹槽和第三凹槽；压板转动连接于基座竖直面，其压板下表面上开设有第二凹槽；弹簧一端固接于第三凹槽内，另一端固接于压板的下表面；偏心轮通过连接件转动连接于基座顶部且偏心轮的外缘与压板相接触。通过手柄转动偏心轮，在偏心轮与压板的接触点由近心端向远心端移动时，压板向下移动，壳体受力挤压输血袋或气囊；在压板与偏心轮的接触点由远心端向近心端移动时，通过弹簧使其向上移动，恢复原位；整个装置采用塑料制成，降低其重量，从而减轻医务人员的劳动强度；结构合理，加工工艺简单，满足医务人员的使用。
压板偏心轮弹簧加压装置转动连接接触点近心端下表面远心端固接本实用新型基座顶部手柄转动塑料制成向上移动向下移动连接件输血袋竖直面气囊移动壳体受力挤压恢复

[发明专利]一种奖牌架-CN201710237965.6有效
发明人： 李泰赫 -专利权人： 李泰赫
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： A47B81/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型奖牌架。其包括底座、夹持装置和至少两个支架，底座上开设有滑轨，夹持装置通过滑块沿底座上的滑轨滑动，支架转动连接于底座上表面，且均位于奖牌放置后的背面；夹持装置包括上壳体、下壳体、楔形块、止挡件、螺栓和弹簧。通过底座和夹持装置代替原有的橱柜及支撑架，且夹持装置可在底座上滑动依次调节距离，满足不同奖牌的尺寸要求；夹持装置还可适应不同厚度的奖牌以及调节奖牌摆放后的倾斜角度，避免了死板单一；通过支架对一些尺寸较大的奖牌进行辅助支撑，增加奖牌的稳定性；整个奖牌架结构设计合理，成本低，且实用性高，解决了现有难题。
一种奖牌

[发明专利]一种墙角面专用清理装置-CN201510362145.0有效
发明人： 李泰赫;刘蕾 -专利权人： 李泰赫
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： A47L11/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种墙角面专用清理装置，包括底板，底板的左右两侧对称焊接有两个T型支架；两个T型支架两端分别安装有四个传动支链；传动支链包括通过电机座安装在T型支架下端面的驱动电机，驱动电机为本发明提供旋转驱动力；驱动电机的输出端通过联轴器安装有主动轴；主动轴的底端通过轴承安装在底板上；主动轴的中部通过键安装有主动齿轮；主动齿轮与从动齿轮相啮合；从动齿轮通过键安装在从动轴上；从动轴上端通过轴承安装在T型支架上，且从动轴下端安装在底板上；从动轴中部安装有V型带轮。本发明具有操作简便、劳动强度小、擦拭均匀、擦拭效果好、擦拭速度快和工作效率高，且无需人们弯腰工作，保护了操作工人的身体健康。
一种墙角专用清理装置

[发明专利]使用氮化铝膜制造半导体器件的栅极的方法-CN200410081784.1无效
发明人： 李泰赫;张准洙;朴东洙 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-12-31 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种使用氮化铝膜制造半导体器件栅极的方法，该方法包括：清洁半导体衬底的表面；氮化该衬底的表面；在半导体衬底的表面上形成包括氮化铝膜的栅极介电膜；在该栅极介电膜上淀积一栅极导电层与一硬掩模层；以及蚀刻该硬掩模层、栅极导电层与栅极介电膜以形成栅极。
使用氮化制造半导体器件栅极方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200410063965.1无效
发明人：朴哲焕;禹相浩;宋昌录;朴东洙;李泰赫 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-06-30 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：公开了一种制造半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：在衬底的单元区和外围区中形成栅极；在栅极和衬底上沉积缓冲氧化物层；对衬底的最终结构退火；在缓冲氧化物层上沉积氮化物间隔层；在氮化物间隔层上沉积氧化物间隔层；在衬底的外围区形成氧化物间隔；除去残留在单元区中的氧化物间隔层。在沉积缓冲氧化物层后另外进行退火步骤，以提高面间表面特性和膜的质量，以便阻止氧化蚀刻剂在湿法浸泡工艺中渗透到硅衬底中。阻止在硅衬底中产生不必要的空隙。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体装置的电容器及其制备方法-CN03103563.9无效
发明人：朴哲焕;朴东洙;李泰赫;禹相浩 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-01-29 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的电容器及其制备方法，本发明的电容器的制备方法包含下列步骤：在半导体基板上形成由掺杂硅的材料(doped silicon materials)制成的下部电极；在下部电极上沉积薄氮化硅层；在氮化硅层表面上，通过氮化硅层的氧化形成氧氮化硅层(silicon oxynitride layer)；在氧氮化硅层上沉积介电层；并且在介电层上形成上部电极；依据此方法，在氮化硅层沉积在介电层上之后，对所得的构造进行氧化处理，并且介电层在已被氧化的氮化硅层上形成，藉此改进在下部电极和介电层间的界面特性，并可导致半导体装置电容器的漏泄电流减少和击穿电压增加。
半导体装置电容器及其制备方法

[发明专利]半导体组件中电容器的制备方法-CN03103564.7无效
发明人： 李泰赫;朴哲焕;朴东洙;禹相浩 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-01-29 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体组件中电容器的制备方法，其包括下列步骤：于半导体晶片上形成储存节点电极；于储存节点电极之上形成以环形氮化硅所制成的介电层；以及于此介电层上形成上部电极；减少介电层的厚度T_eff且通过使用Si₃N₄或SiO_xN_y(其中x在0.1与0.9之间，y在0.1与2之间)为介电层而改进漏泄电流特性；作为介电层具有高抗氧化性和高介电比。
半导体组件电容器制备方法

[发明专利]半导体存储元件的电容器及其制造方法-CN00122215.5无效
发明人：李起正;李泰赫 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 2000-07-01 - 公布日： 2001-01-10 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供一种能够减少漏电流的发生,并具有介电常数高的电介质膜,从而确保大容量的半导体元件的电容器。本发明包括在半导体衬底上形成下部电极。在下部电极表面上进行阻止自然氧化膜发生的表面处理。在下部电极上蒸镀作为电介质膜的非晶TaON膜。然后,在保持非晶状态的范围内对非晶TaON膜进行热处理。之后在TaON膜上形成上部电极。
半导体存储元件电容器及其制造方法

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