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[发明专利]显示驱动器集成电路和调整工作频率的方法-CN201910954287.4有效
发明人： 朴相洙 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：提供一种显示驱动器IC以及调节显示驱动器IC的工作频率的方法。显示驱动器IC包括：寄存器映射，其存储修正码、窗口大小、补偿信息和补偿选项；振荡器，其基于修正码生成振荡器时钟；定时控制器，其基于所述振荡器时钟生成内部同步信号；DSI块，其输出基于图像数据分组更新被激活的第一数据有效信号和数据时钟；以及频率补偿块，其对基于数据时钟和内部同步信号计算的振荡器时钟的周期值与目标周期值进行比较，并根据第一数据有效信号生成通过基于补偿选项补偿修正码而获得的补偿修正码。
显示驱动器集成电路调整工作频率方法

[发明专利]包括扬声器模块的电子装置-CN202180075119.3在审
发明人：朴忠孝;金淇元;沈明成;尹昶植;赵祐瑨;赵俊来;姜亨光;李秉熙;朴相洙;黃镐哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H04R1/28 文献下载
摘要：根据本公开的各种实施例，一种电子装置可以包括：第一壳体；第二壳体，用于容纳第一壳体的至少一部分并引导第一壳体的滑动移动；柔性显示器，包括设置在第一壳体上的第一显示区域和从第一显示区域延伸的第二显示区域；扬声器模块，设置在第二壳体中并且包括扬声器单元和扬声器箱，其中，扬声器单元包括至少一个扬声器，扬声器箱容纳扬声器单元并且包括通气孔；以及密封部分，连接到第一壳体和扬声器箱，并且被设置为基于第一壳体的滑动移动而变化。
包括扬声器模块电子装置

[发明专利]SRAM故障处理系统及其动态地处理SRAM的故障的方法-CN202210203206.9在审
发明人： 朴相洙 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本申请涉及静态随机存取存储器(SRAM)故障处理系统及其动态地处理SRAM的故障的方法。SRAM动态故障处理系统使用循环冗余校验(CRC)动态地处理故障的方法包括：获得写入数据；确定写入地址；将写入数据存储在帧存储器的写入地址处，帧存储器由SRAM构成并包括彼此区分的真实地址区和备用地址区；响应于写入地址，存储通过对写入数据执行CRC计算而生成的写入循环冗余校验(CRC)；确定读取地址；从帧存储器的读取地址对读取数据进行读取；基于与读取地址和读取数据相对应的CRC余数W_CRC，确定是否发生CRC错误，并在发生CRC错误时生成错误标志；基于错误标志确定故障地址；以及基于故障地址的类型将故障地址映射到备用地址区的非故障备用地址之一。
sram 故障处理系统及其动态方法

[发明专利]命令模式与视频模式间无缝切换的方法和装置及显示装置-CN202210157710.X在审
发明人： 朴相洙 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本公开涉及用于在驱动显示器时在命令模式与视频模式之间进行无缝切换的方法和装置以及显示装置，该方法包括：接收用于从命令模式切换至视频模式的命令；通过测量在命令模式下使用的内部同步信号的时间点与在视频模式下接收的外部同步信号的时间点之间的时间间隔来生成采样值；基于采样值生成用于移位内部同步信号的参数；基于参数移位内部同步信号以与外部同步信号同步；以及当命令模式的内部同步信号与外部同步信号同步时，从命令模式切换至视频模式。
命令模式视频模式无缝切换方法装置显示装置

[发明专利]静态随机存取存储器SRAM故障处理设备和SRAM故障处理方法-CN202210031573.5在审
发明人： 朴相洙 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种静态随机存取存储器SRAM故障处理设备和SRAM故障处理方法。对静态随机存取存储器(SRAM)单元执行内置自测试(BIST)和修复的故障处理设备和故障处理方法，以及该故障处理设备和故障处理方法存储先前SRAM测试的故障和修复历史信息、向当前测试提供信息、以及反映BIST结果和关于先前测试的信息二者从而执行多次修复直至不存在可用备用SRAM。
静态随机存取存储器 sram 故障处理设备方法

[发明专利]非定向型均热板-CN202011136174.2在审
发明人：赵英琇;朴相洙 -专利权人：株式会社CGI
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： F28D15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种非定向型均热板，其包括：上板，具备有第一结构面；下板，具备与所述第一结构面相对的第二结构面；宏通道，通过蚀刻工艺形成在所述第一结构面和第二结构面中至少一个上，并形成有能够使汽相的运转流体基于热能从蒸发部向凝集部流动的通路；以及微通道，通过蚀刻工艺形成在所述第一结构面和第二结构面中至少一个上，具有比所述宏通道更小宽度的沟槽，并配置于两个相邻所述宏通道中间的位置，还形成有能够使液相运转流体基于毛细管力从所述凝集部向所述蒸发部移动的通路；所述宏通道包括外侧放热通道，其占据着所述上板或者所述下板上最外侧通道中的至少一部分。
定向均热

[发明专利]电子装置及其用于处理立体声音频信号的方法-CN201980025598.0在审
发明人：孙伯权;金亮秀;朴相洙;朴在夏;梁在模;张根元;崔炫民;金冈烈;H.文 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：根据本发明的各种实施例，一种电子装置包括：设置在电子装置的一侧端的第一扬声器；设置在电子装置的另一侧端的第二扬声器；至少一个传感器；以及处理器，其中，该处理器可以被配置为接收第一音频信号，通过使用第一音频信号获取第一通道信号和第二通道信号，通过使用至少一个传感器获取与电子装置相关联的状态信息，至少基于状态信息校正第一通道信号的至少一部分，使用第一扬声器输出校正的第一通道信号，以及使用第二扬声器输出第二通道信号。此外，各种实施例是可能的。
电子装置及其用于处理立体声音频信号方法

[发明专利]包括振荡器频率控制器的显示驱动器集成电路-CN201910801433.X在审
发明人： 朴相洙 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种包括振荡器频率控制器的显示驱动器集成电路。显示驱动器集成电路包括寄存器图、振荡器、定时控制器、振荡器分散和知识产权(IP)块。寄存器图被配置成存储固定频率的修整码和分散器选项信息。振荡器被配置成基于修整码来生成振荡器时钟。定时控制器被配置成基于振荡器时钟来生成内部同步信号。振荡器分散器被配置成基于修整码、分散器选项信息和内部同步信号将经修改的修整码输出到振荡器。知识产权(IP)块被配置成接收在振荡器中基于经修改的修整码生成的经修改的振荡器时钟。
包括振荡器频率控制器显示驱动器集成电路

[发明专利]具有气隙的半导体器件以及用于制造其的方法-CN201910333656.8在审
发明人：金赞培;朴相洙;李泰赫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了具有气隙的半导体器件以及用于制造其的方法。一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成第一导电结构；在第一导电结构的两个侧壁上形成包括非共形牺牲间隔件层的多层间隔件；形成与第一导电结构相邻的第二导电结构，其间具有多层间隔件；通过去除非共形牺牲间隔件层来形成气隙；形成覆盖第二导电结构和气隙的覆盖层；通过刻蚀覆盖层来形成暴露第二导电结构的顶表面的开口；以及在开口中形成耦接至第二导电结构的导电焊盘。
导电结构半导体器件多层间隔间隔件层共形气隙开口刻蚀覆盖层导电焊盘顶表面覆盖层侧壁衬底耦接制造暴露覆盖申请

[发明专利]制造半导体器件中电容器的方法-CN200910143036.4无效
发明人： 朴相洙;郑中泽 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种制造半导体器件中电容器的方法，包括：在衬底上形成牺牲层；通过选择性地蚀刻所述牺牲层形成开口；在包括所述开口的所得结构的整个表面上形成用于下电极的导电层；通过对所述导电层实施第一无掩模干蚀刻工艺直至暴露牺牲层，从而形成下电极；蚀刻所述牺牲层至预定深度，以使所述下电极的顶部突出高于所述牺牲层；和对所述下电极实施第二无掩模干蚀刻工艺，以移除所述下电极顶部上的角状部分。由于实施两次无掩模干蚀刻，所以能够容易地移除下电极的角状部分，并防止由相邻下电极之间的微桥接引起的器件失效。
制造半导体器件电容器方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200710111499.3无效
发明人： 朴相洙;朴昌宪;李东烈 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-06-27 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：在包括单元区域和周边区域的衬底上形成蚀刻目标层。在所述蚀刻目标层上形成第一硬掩模层、第二硬掩模层和抗反射涂层。在所述抗反射涂层上形成光敏图案。蚀刻抗反射涂层，以使其具有比光敏图案的宽度更窄的宽度。蚀刻所述第二硬掩模层。对第一硬掩模层实施主蚀刻和过蚀刻。然后蚀刻所述蚀刻目标层。
制造半导体器件方法

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