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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]定制投资组合生成及验证装置及方法-CN202010228507.8在审
发明人： 朴柱成;李庸济;申璇 -专利权人：爱斯普乐基金管理有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G06Q40/06 文献下载
摘要：本发明一实施例的定制投资组合生成及验证方法包括：步骤(a)，从用户终端接收投资理念；步骤(b)，选择与投资理念对应的投资商品，选择对于各个投资商品的投资资产比例分配方式来生成投资组合；步骤(c)，根据过去期限及规定的基准，验证投资组合的危险性及收益性，向用户终端提供投资组合生成结果及验证结果；以及步骤(d)，根据用户终端的请求，向访问服务器的其他用户终端公开投资组合。
定制投资组合生成验证装置方法

[发明专利]不良位置分析系统及方法-CN201310162917.7有效
发明人：郭庆植;朴柱成 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-05-06 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种不良位置分析系统及方法。本发明包括储存设计数据和产品信息的阶段；在每次进行用于制造印刷电路基板的面板的检查工序时、收集从多个检查装置传递的面板基准不良坐标的阶段；以及利用设计数据和坐标变换基准将面板基准不良坐标变换为各对象不良坐标的阶段。
不良位置分析系统方法

[发明专利]具有至少一个存储节点的半导体器件及其制造方法-CN200410092659.0无效
发明人：刘硕垣;吴京锡;朴柱成;辛中铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-11-17 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种半导体器件及制造该半导体器件的方法，适于防止在存储节点之间产生电桥，而不增加平面面积。在一个实施例中，半导体器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少一个存储节点。该存储节点具有底部和从底部边缘向上延伸的侧壁。至少部分侧壁凹陷。
具有至少一个存储节点半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有连接焊盘的半导体器件及其制造方法-CN200410003541.6无效
发明人：李润星;朴柱成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-01-29 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供一种具有连接焊盘的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体衬底上形成的线图形，由线隔片覆盖线图形的侧壁。具有线隔片的半导体衬底的所有表面覆有材料层。通过焊盘接触孔贯穿材料层的预定部分。焊盘接触孔穿过线图形之间的区域，露出半导体衬底。焊盘接触孔包括线图形之间的下开口和位于下开口上的上开口。上开口的侧壁覆有阻挡层。由阻挡层围绕的上开口和下开口填有连接焊盘。焊盘接触孔和阻挡层的形成包括部分地刻蚀材料层以形成具有与每个线图形的上表面相同高度或更小的下表面，在上开口的侧壁上形成阻挡层和刻蚀存在于上开口下的材料层，以形成穿过线图形之间的区域的下开口。
具有连接半导体器件及其制造方法

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