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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有掩埋栅结构的半导体器件及其制造方法-CN201711293416.7有效
发明人：朴辰哲;张太洙;朴志焕;张壹植;柳承完;权世仁;申重皓;咸大真 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底中形成栅沟槽；在栅沟槽的底表面和侧壁之上形成栅电介质层；在栅电介质层之上形成第一功函数层；掺杂功函数调整元素以形成与栅沟槽的侧壁重叠的第二功函数层；形成部分填充栅沟槽的栅导电层；以及在栅沟槽的两侧上、半导体衬底的内部形成掺杂区。
具有掩埋结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201711383126.1有效
发明人：张壹植;朴志焕;李美梨;全奉石;郑镛洙;黄善焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底中形成晶体管；在晶体管之上形成包括含氢顶电极的电容器；以及在形成电容器之后执行用于氢钝化的退火工艺。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]控制通过外部设备接口单元连接到外部设备的图像形成装置的方法以及使用该方法的图像形成装置-CN201580055162.8有效
发明人：金奘根;朴志焕 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： G06F13/14 文献下载
摘要：提供一种即使在不向图像形成装置供应主电源时，通过使用从外部设备经由外部设备接口单元提供的电力驱动控制单元来控制图像形成装置的方法以及使用该方法的图像形成装置。
控制通过外部设备接口单元接到图像形成装置方法以及使用

[发明专利]图像传感器的制造方法-CN200910179135.8无效
发明人： 朴志焕 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器的制造方法，该方法将通过光产生的电子的消失减到最少，而不将这些电子传输到转移栅极。该方法包括：在半导体衬底的隔离区中形成沟槽，以限定包括光电二极管区和晶体管区的有源区，在所述光电二极管区的沟槽侧壁处以及在与所述晶体管区相邻的区域中形成第一导电型离子注入区，在所述第一导电型离子注入区与所述沟槽之间以及在所述晶体管区的下部与所述第一导电型离子注入区之间，形成第二导电型离子注入区，用绝缘膜填充所述沟槽来形成隔离层，在所述晶体管区中形成栅电极和间隔件，以及在所述光电二极管区中形成光电二极管。
图像传感器制造方法

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN200910159487.7无效
发明人： 朴志焕 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-07-14 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供半导体存储器件及其制造方法。所述半导体存储器件包括：在器件隔离区之间的半导体衬底上的两个栅电极；在两个栅电极之间的半导体衬底上的共同源极区域；在两个栅电极外侧处的半导体衬底上的漏极区域；在漏极区域上和在两个栅电极外侧壁上的间隔物；在两个栅电极内侧壁上的第三氧化物层；和在共同源极区域上的硅化物层。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810177602.9无效
发明人： 朴志焕 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种用于制造具有CMOS晶体管的半导体器件的方法，该CMOS晶体管包括具有低电阻的栅电极。在根据本发明实施例的CMOS晶体管中，注入到栅电极中的杂质比注入到源极/漏极区中的杂质具有更高的浓度。本发明实施例还减少了包含在沟道区中的杂质量。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]USB装置及控制包括在USB装置中的存储介质的方法-CN200610168769.X无效
发明人： 朴志焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-18 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：提供一种使用USB连接到主机的成像设备以及控制包括在所述设备中的存储介质的方法。从USB主机接收关于存储单元的控制信号，并响应于所述控制信号，使用诸如大容量存储器类(MSC)的装置类通过连接到存储单元的USB集线器将所述控制信号输出到所述存储单元来控制所述存储单元。因此，当控制包括在成像设备中的诸如硬盘驱动器(HDD)的存储介质时，可通过不仅允许主处理器，而且允许USB主机使用USB集线器和诸如大容量存储器类的装置类直接控制所述存储介质来减轻由于存储介质受控于主处理器的系统性能的下降。
usb 装置控制包括中的存储介质方法

[发明专利]最优化扫描速度的装置和方法-CN200610114801.6无效
发明人： 朴志焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-08-09 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H04N1/32 文献下载
摘要：一种最优化扫描速度的装置和方法，其中，自动确定是否存在对应文本(document)的压缩，然后依据系统的性能进行扫描，从而能够快速地扫描文本。
优化扫描速度装置方法

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