专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种N型纯Si掺杂热电材料中的孔洞制备方法-CN201010169263.7无效
  • 何琴玉;李炜;王银珍;曾葆清;王文忠;胡社军;张建中;朱诗亮 - 华南师范大学
  • 2010-04-30 - 2010-09-22 - H01L35/34
  • 本发明是一种N型纯Si掺杂热电材料中的孔洞的制备方法。包括有如下步骤:1)用高能球磨机将纯Si和掺入的GaP按照比例混合,在球磨0~10小时后加入0.1%~1.5%摩尔比例的Sb以及0.5%~1.5%P;2)共球磨33小时后用直流快速热压机压制样品,升温速度为300℃/min;开始时压力为50MP,在800℃时停30S,同时加压至500MP,升温至1050℃后保温2mins,然后迅速停止加温,撤出压力,空气冷却至室温;3)将(1)(2)步骤制备出的样品在马弗炉中以100℃/小时的速度升温至950℃~1100℃,保温30mins取出样品至空气中空冷至室温,能在N型纯Si掺杂(0.5%~1.5%P和1.0%~3.0%GaP热电材料中制备孔洞体积比在0.499%~2.85%范围和孔洞尺寸分布在30nm~300nm范围的样品。本发明通过掺入一定量的元素Sb,能在N型纯Si掺杂热电材料中制备孔洞体积比在0.499%~2.85%范围和孔洞尺寸分布在30nm~300nm范围的样品。能提高该N型纯Si掺杂热电材料的热电性能。
  • 一种si掺杂热电材料中的孔洞制备方法

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