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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于排除凹陷区形成的方法-CN202210007123.2在审
发明人： 曾郁雯;刘珀玮;施宏霖;杨宗谕;杨宗桦;张煜群 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/763 文献下载
摘要：一种用于排除凹陷区形成的方法，其包括：形成一隔离层；形成一导电层，其与所述隔离层具有一上倾斜边界，使得所述导电层具有一部分，其位于所述隔离层在所述上倾斜边界处的一部分的上方；回蚀刻所述隔离层；以及在回蚀刻所述隔离层之后，回蚀刻所述导电层，使得经蚀刻的导电层的一顶表面是位于低于经蚀刻的隔离层的顶表面的一水平。
用于排除凹陷形成方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201711027361.5有效
发明人：吴云骥;曾郁雯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：非易失性存储器(NVM)单元半导体线，该半导体线包括选择栅极部分和控制栅极部分。NVM单元包括在选择栅极部分处形成的选择晶体管以及在控制栅极部分处形成的控制晶体管。选择晶体管包括设置在选择栅极部分周围的栅极介电层以及设置在栅极介电层上的选择栅电极。控制晶体管包括设置在控制栅极部分周围的堆叠的介电层、设置在堆叠的介电层上的栅极介电层以及设置在栅极介电层上的控制栅电极。堆叠的介电层包括设置在控制栅极部分上的第一氧化硅层、设置在第一氧化硅层上的电荷捕获层以及设置在电荷捕获层上的第二氧化硅层。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。
制造半导体器件方法

[发明专利]记忆体装置的控制方法-CN201811441148.3在审
发明人： 曾郁雯;杨宗谕;黄仲仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种记忆体单元包括基板及浮动栅极记忆体单元。浮动栅极记忆体单元包括安置于基板上的擦除栅极结构、浮动栅极结构、选择栅极、共用源极及漏极。共用源极安置于基板中，且擦除栅极结构安置于共用源极上。浮动栅极结构在擦除栅极结构的两个相对侧处自基板的凹槽突出。一种用于控制记忆体单元的方法包括将擦除栅极程序化电压施加于擦除栅极结构上，将控制栅极程序化电压施加于共用源极上，将位线程序化电压施加于漏极上，及将字线程序化电压施加于选择栅极上，其中控制栅极程序化电压大于擦除栅极程序化电压。
擦除栅极程序化记忆体单元电压施加共用源极基板浮动栅极结构浮动栅极控制栅极选择栅极漏极安置记忆体装置位线字线

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