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[发明专利]使用测试单元的闪存中的早期恶化检测-CN201110436120.2有效
发明人： L.M.弗兰卡-尼托;R.L.加尔布雷思;T.R.奥恩宁 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：描述了使用本发明实施方式的闪存系统和数据管理的方法，其使用具有早期恶化检测(EDD)电路的特殊测试单元来代替使用实际的用户数据存储单元。通过使用实验地确定的敏感的写VT和可变的读VT，使得闪存测试单元与标准单元相比更敏感，可以使其作为“煤矿中的金丝雀”。用于闪存中早期恶化检测(EDD)的技术测量读操作期间一组(如，页)NAND闪存单元的阈值电压(VT)的漂移。在本发明的实施方式中，存储单元的读操作的完成时间(TTC)用作阈值电压(VT)的漂移的代理。漂移分析器确定该组TTC值的漂移。
使用测试单元闪存中的早期恶化检测

[发明专利]使用电荷扰动的概率的闪存中的数据管理-CN201110436018.2无效
发明人： L.M.弗兰卡-尼托;R.L.加尔布雷思;T.R.奥恩宁 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：描述了使用系统对于电荷干扰操作的灵敏度以及由系统执行的电荷干扰操作的历史的闪存系统和数据管理方法。在本发明的实施方式中，对于电荷干扰操作的灵敏度以干扰强度矩阵来实施，其中所选操作具有相关联的数值，其为引起导致数据错误的电荷中的干扰的该操作的相对强度的估计。干扰强度矩阵应该还包括指示电荷增加或损失的错误的方向。干扰强度矩阵可以由进行自测试的装置确定，其中通过执行所选操作来触发所测漂移值中的变化，直到出现可检测到的变化。在可替代的实施方式中，通过测试来自同类群体的所选单元来确定干扰强度矩阵。
使用电荷扰动概率闪存中的数据管理

[发明专利]或非闪存中的退化的早期检测-CN201110434872.5无效
发明人： L.M.弗兰卡-尼托;R.L.加尔布雷思;T.R.奥恩宁 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本公开提供了或非闪存中的退化的早期检测。本公开中的本发明实施例描述了用于通过在读取操作期间估计一组NOR闪存单元的阈值电压(VT′s)的离散度来对在NOR闪存中的退化进行早期报警的技术。在本发明的实施例的NOR闪存设备和操作NOR闪存设备的方法中，存储器单元的读取操作的完成时间(TTC)值用作阈值电压(VT′s)的离散度的代理。如果所测量的TTC离散度与基准离散度值相差大于所选的量，则提供报警信号以指示存储器的页已经显著退化。系统中的更高级组件可以使用报警信号来采取合适的动作。由于可以估计理想分布中每个单元的VT位置，所以来自每个单元的数据可以具有基于与理想分布的平均值的偏差而分配的置信度水平。
闪存中的退化早期检测

[发明专利]使用电荷扰动的概率的闪存中的数据管理-CN201110435900.5有效
发明人： L.M.弗兰卡-尼托;R.L.加尔布雷思;T.R.奥恩宁 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：描述了使用系统对于电荷干扰操作的灵敏度以及由系统执行的电荷干扰操作的历史的闪存系统和数据管理方法。在本发明的实施方式中，对于电荷干扰操作的灵敏度以干扰强度矩阵来实施，其中所选操作具有相关联的数值，其为引起导致数据错误的电荷中的干扰的该操作的相对强度的估计。干扰强度矩阵可以还包括指示电荷增加或损失的错误的方向。干扰强度矩阵可以由进行自测试的装置确定，其中通过执行所选操作来触发电荷干扰错误，直到出现可检测到的错误。在可替代的实施方式中，通过测试来自同类群体的所选单元来确定干扰强度矩阵。
使用电荷扰动概率闪存中的数据管理

[发明专利]与非闪存中的退化的早期检测-CN201110434155.2有效
发明人： L.M.弗兰卡-尼托;R.L.加尔布雷思;T.R.奥恩宁 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：描述了用于通过在读取操作期间测量一组(例如页)NAND闪存单元的阈值电压(VT′s)的离散度来对NAND闪存中的退化进行早期检测的技术。在本发明的实施例中，用于存储器单元的读取操作的完成时间(TTC)值用作阈值电压(VT′s)的离散度的代理。离散度分析器确定该组TTC值的离散度。在一个实施例中，在最大和最小TTC值之间的增量用作离散度测量值。如果所测量的TTC离散度与基准离散度值的差大于所选的量，则提供报警信号以指示存储器的页已经退化。可以使用报警信号来采取合适的动作、诸如将数据移动到新的页。
闪存中的退化早期检测