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[实用新型]一种带附框的门窗体结构-CN200520063051.5无效
发明人：王惠珍 -专利权人： 方大集团股份有限公司
申请日： 2005-08-10 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： E06B3/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带附框的门窗体结构，包括门或窗框架和门或窗面板，其特征在于，还包括了与门或窗框架相配合的附框，其中所述门或窗面板(玻璃、铝板、不锈钢)通过结构胶粘结在所述附框上，而附框采用可拆卸的方式安装在门或窗框架上，如需要更换门或窗面板只需拆下附框就可以实现，无需整体更换门或窗框架。
一种带附框门窗结构

[实用新型]折叠式屏蔽门-CN200520058765.7无效
发明人：王惠珍 -专利权人： 方大集团股份有限公司
申请日： 2005-05-19 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： B61B1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种折叠式屏蔽门，该屏蔽门包括顶盒、活动门和门侧部分，顶盒内设置包括梁和安装在该梁上的控制装置、水平导轨、电机及其驱动的传动装置，活动门包括主动门和至少一个从动门，传动装置采用螺杆传动装置，主动门分别通过悬挂装置悬挂在导轨上和螺杆传动装置的螺母上，从动门悬挂在导轨上，从动门的运动通过主动门的悬挂装置带动从动门的悬挂装置实现。本折叠式屏蔽门采用螺杆传动装置，与现有屏蔽门的皮带传动装置比较，结构简单，要求安装尺寸小。
折叠式屏蔽门

[实用新型]水密性能推拉窗-CN200520053521.X无效
发明人：谢士涛;侯令飞 -专利权人： 方大集团股份有限公司
申请日： 2005-01-05 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： E06B3/46 文献下载
摘要：一种水密性能推拉窗，包括窗扇和窗框，窗扇包括扇框和安装在扇框上的玻璃，所述窗框和扇框都为凹槽形，扇框的凹槽套在窗框的凹槽内，在窗框凹槽的底部设有导水孔。还可在窗框的下面设有固定窗，固定窗包括横料和竖料，窗框上导水孔与横料相通，横料与固定窗竖料相通，在所述固定窗竖料的下部设有排水口。该水密性能推拉窗系统，当窗框内进水较大时，水会经由导水孔流出；更好效果是，所述固定窗竖料形成集水腔，雨水流入集水腔，再由集水腔下部的排水口排出，从而大大增加了进水口与出水口之间的高差，使室内进水能在自重作用下抵抗室外大气压力将水排出，在不提高下滑内档水壁高度或采用高低轨下滑的情况下，大大提高了推拉窗水密的密封性能。
水密性能推拉

[实用新型]可调节钻孔位置的钻机座-CN200520058973.7无效
发明人：陈邵平;李古月 -专利权人： 方大集团股份有限公司
申请日： 2005-05-23 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： B23B45/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可调节钻孔位置的钻机座，该钻机座包括在一待钻孔方向带有按要求钻孔位置分布的钻头定位孔的底板，沿所述待钻孔方向设置并与该底板连接的钻机导向板，该钻机导向板导向面沿所述待钻孔方向布置，在该底板上对应所述钻头定位孔和钻机的底座长孔设置钻机定位螺孔，钻机导向板和钻机定位螺孔的位置保证钻机在该底板上被导向定位时钻机钻头能够到达所述钻头定位孔。本实用新型实现了钻机对下一钻孔位的导向和定位，结构简单，安装方便，钻孔操作省时省力，钻孔定位精度高，同组钻孔仅需校对一次，提高了钻孔效率。
调节钻孔位置钻机

[实用新型]可折叠开启的面板-CN200520056937.7无效
发明人：王惠珍 -专利权人： 方大集团股份有限公司
申请日： 2005-04-07 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： G09F15/00 文献下载
摘要：一种可折叠开启的面板，包括导轨和折叠板，所述折叠板包括至少两个格板，至少两个相邻格板通过铰链连接，在所述格板上设有与导轨相适应的滑动轴；所述格板可以有两个、四个、八个或九个不等。与现有技术相比，本实用新型可折叠开启的面板，由于导轨与滑动轴设置，以及格板间的铰链连接结构，使面板开启时方便省力，面板开启后，占用空间小，给维护和更换内部结构带来方便，同时防止或降低面板因开启次数多而变形。
可折叠开启面板

[实用新型]发光二极管芯片-CN200420150549.0无效
发明人：李刚;吴启保;王胜国 -专利权人： 方大集团股份有限公司
申请日： 2004-10-09 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型的一种发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底、在所述衬底上外延生长的半导体材料层、以及在所述半导体材料层上设置的导电薄膜层。在导电薄膜层和N型氮化镓层设有正电极和负电极。在P型氮化镓层和量子阱层上设置、从其边缘开设的、朝向所述正电极的开槽；所述开槽与所述正电极之间具有间隔。开槽的开设增加了其周边面积，提供了更多的出光表面积，从而增大了发光二极管芯片的发光效率。而且，所述开槽的开设可以在蚀刻其导电薄膜层、P型氮化镓层和量子阱层形成键合负电极的裸露部分时同时形成，从而无需增加工艺环节、制造成本，并且不影响芯片光电特性、不降低产品优良率。
发光二极管芯片

[发明专利]蒸镀二氧化硅保护膜方法-CN200410077425.9有效
发明人：谢雪峰 -专利权人： 方大集团股份有限公司
申请日： 2004-12-07 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种蒸镀二氧化硅保护膜方法，在蒸镀过程中，在基片上SiO₂生长厚度达到50之前，使SiO₂在基片上的生长速率低于1.0/s，还可使该生长速率逐渐变化；另外在蒸镀全过程，使沉积室中的温度在400～100℃范围内变化。与现有技术相比，本发明蒸镀二氧化硅保护膜方法，在蒸镀前期的SiO₂生长速率比较低，使沉积的薄膜致密，从而有效减少保护膜上的“针孔”，低速下的变速使减少“针孔”的效果更好；在蒸镀全过程中的沉积室变温，在不同的温度下沉积的SiO₂薄膜由于含氧不同，SiOx网络结构受到影响，使其膨胀系数也随之改变，缓冲了薄膜的内应力所引起的破坏作用，防止保护膜脱落。
二氧化硅保护膜方法

[发明专利]减少GaN层灼伤的GaN基LED芯片激光划片工艺-CN200410077424.4有效
发明人：巫仕文 -专利权人： 方大集团股份有限公司
申请日： 2004-12-07 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种减少GaN层灼伤的GaN基LED芯片激光划片工艺，其特征在于，在激光划片时，使用焦距为18～22mm的光学透镜，使激光比较集中地射在所述芯片的蓝宝石层，所述焦距最好为20mm。在激光划片时，通过所述光学透镜，将激光聚集到蓝宝石层外表面至蓝宝石层外表面以外5微米范围内，最好将激光聚集到蓝宝石层外表面上。本发明使用焦距为18～22mm的长焦距光学镜头，激光的发散角度比较小，功率密度比较大，增加蓝宝石对激光能量的吸收，因此使用长焦距的光学镜头能较好地解决激光对GaN基LED芯片的GaN层灼伤。另外划片时严格聚焦到芯片背面或背面以外，也可以有效地避免激光对GaN层灼伤而产生白点。
减少 gan 灼伤 led 芯片激光划片工艺

[发明专利]倒装发光二极管的划片方法-CN200410077356.1有效
发明人：贺征平 -专利权人： 方大集团股份有限公司
申请日： 2004-12-08 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种倒装发光二极管的划片方法，具体步骤为：取蓝膜固定在固定环上，绷紧后剪掉边角余料，然后将固定环置于定位用的白色光面纸上；剪一块面积小于固定环的紫外膜贴在蓝膜的中心，再用橡胶推具将紫外膜贴与蓝膜之间的气泡赶出；将晶片的硅片面贴在紫外膜的中心位置，贴好之后将固定环反转，在晶片下面垫上干净的光面纸，将晶片与紫外膜之间的气泡赶出直到晶片粘牢为止。本发明的粘膜方法采用双膜粘片法，即在原有底膜上贴一层晶片大小的紫外膜，晶片粘在紫外膜上，既能满足对膜的粘性、延展性的要求又能降低成本；硅片划开之后加一层保护膜然后再进行扩片，大块保护膜能起到固定较小的紫外膜的作用。
倒装发光二极管划片方法

[发明专利]蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法-CN200410077355.7有效
发明人：许其推;李刚;吴启保 -专利权人： 方大集团股份有限公司
申请日： 2004-12-08 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法，所述粘片方法通过在粘片载体上加热熔蜡，然后放置衬底，最后再冷却蜡将衬底固定到粘片载体上，在所述粘片载体和所述衬底之间设置一层使所述衬底的电极与所述粘片载体非直接接触的渗蜡性良好的保护膜。在本发明的粘片方法中，在晶片和粘片载体之间设置一张蜡光纸，能防止晶片上的芯片的电极和发光区与粘片载体直接接触受到损伤、能缩短去蜡时间，提高工作效率；涂蜡时采用特定的蜡分布可以有效避免由于蜡过多或过少发生的掉边和破裂情况；在涂蜡时通过控制温度和压力使蜡呈熔融状态同时还未处于完全液态，有利于蜡的均匀分布，减小偏差。
蓝宝石衬底工序中的方法

[发明专利]蓝宝石衬底磨削方法-CN200410077379.2有效
发明人：许其推;李刚;吴启保 -专利权人： 方大集团股份有限公司
申请日： 2004-12-08 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种蓝宝石衬底磨削方法，所述磨削方法采用卧式磨削，通过砂轮摩擦所述衬底实现衬底的减薄，其特征在于，在所述磨削过程中采用间歇式磨削，将所述砂轮前进磨削所述衬底1～3秒后，再往后退使砂轮空转2～6秒。在本发明的蓝宝石衬底磨削方法中，由于采用了间歇式磨削方式，使得高速磨削时产生的热量得到及时释放，使砂轮保持较锋利状态，降低了破裂和掉边的可能性，并且部分释放了表面应力；在磨削结束时，采用轻拍式磨削1～3分钟，有效释放了表面应力，降低了去蜡后衬底的翘起度；通过对砂轮转速和磨下速度进行优化控制，既保证了磨削的速度，又不致使磨削质量变差；采用对称环形砂轮进行磨削，提高了磨削后衬底厚度的均匀性。
蓝宝石衬底磨削方法

[发明专利]改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法-CN200410077337.9有效
发明人：臧运胜 -专利权人： 方大集团股份有限公司
申请日： 2004-12-08 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法，包括如下步骤：将做好Ni/Au透明电极的外延片进行表面处理；在流动的纯氮气环境中，将退火炉的温度恒定在550±5℃，合金10～15分钟；取出外延片进行冷却，在外延片的温度达到室温后保持10分钟；冷却后进行二次合金，即在含氧气流下，将退火炉的温度恒定在550±5℃，合金5－20分钟，取出冷却。由于本发明的改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法，先后在纯氮的环境中和在含氧气流下进行了两次合金，从而在保证发光二极管发光效率高、比接触电阻小的同时，还能保证发光二极管的寿命长、抗静电耐高温能力好。
改善氮化半导体发光二极管欧姆接触合金方法

[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法-CN200410077378.8无效
发明人：李刚;潘群峰;吴启保 -专利权人： 方大集团股份有限公司
申请日： 2004-12-08 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底、在所述衬底上外延生长的N型氮化镓和P型氮化镓半导体材料，还包括在所述氮化镓半导体材料上制备的透明导电薄膜，所述透明导电薄膜包括氧化铟锡层和镍金合金层。制备所述发光二极管芯片的步骤包括：1)刻蚀部分暴露N型氮化镓；2)在P型氮化镓上先后蒸镀或溅射镍金，然后再进行合金；3)蒸镀或溅射氧化铟锡层，然后再进行合金；4)蒸镀或溅射PN电极。由于本发明的发光二极管芯片保留了传统的氧化镍金与P型氮化镓接触，可以获得较理想的欧姆接触；并且在镍金合金上加了一层较厚的氧化铟锡，有利于电流的横向传输，可以改善电流分布，对于整个发光二极管还可以保持较好的透光率。
一种发光二极管芯片及其制备方法

[实用新型]发光二极管芯片组结构-CN200420150548.6无效
发明人：李刚;吴启保;王胜国 -专利权人： 方大集团股份有限公司
申请日： 2004-10-09 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型的一种发光二极管芯片组结构，包括多个发光二极管芯片，所述发光二极管芯片装设在一块底板上，所述底板为分别与各个所述发光二极管芯片键合的页状结构。本实用新型的多个发光二极管芯片安装在同一底板上，从而在相同的面积下，多个发光二极管芯片的周边面积提供了更多的出光表面积，增大了发光二极管芯片的发光效率。
发光二极管芯片组结构

[发明专利]一种高频焊接机-CN200410052590.9有效
发明人：代献堂 -专利权人： 方大集团股份有限公司
申请日： 2004-11-29 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： B23K1/002 文献下载
摘要：本发明的一种高频焊接机，包括设有两平行导轨(31)的机架(30)，设在所述导轨(31)两端并可在其上水平移动的两托架(40)，以及在所述托架(40)上安装的具有感应加热圈(51)的高频发热机(50)、与所述感应加热圈(51)的位置对应的并夹紧焊接工件的夹具、和驱动所述夹具旋转的减速电机(70)。使用了本发明的高频焊接机取代了现有的人手钎焊的工艺，从而具有生产效率高、焊接质量稳定、成本低、劳动强度低的优点；并且，夹具在减速电机(70)的带动下使得工件连续旋转，从而使得熔融的焊料能够更加充分均匀的浸透和填充工件间的接缝，提高了焊接质量、降低了返工率。
一种高频焊接