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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]硅基介电膜的沉积-CN202280019935.7在审
发明人：吉蒂卡·巴贾;普雷纳·桑塔利亚·戈拉迪亚;赛沙德利·甘古利;斯里尼瓦·甘迪科塔;罗伯特·詹·维瑟;舒瑞基·雷格瑞简 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种处理方法，包括：将基板定位在处理腔室中并将所述基板的温度设定为50℃至500℃的范围；在所述基板上进行原子层沉积(ALD)循环；以及重复所述ALD循环以形成硅氧化物膜。所述ALD循环包括：通过脉冲氨基硅烷前驱物的流来在所述处理腔室中将所述基板暴露于所述氨基硅烷前驱物；从所述处理腔室净化所述氨基硅烷前驱物；在大于或等于100毫秒至小于或等于3秒的范围内的持续时间内通过脉冲氧化剂的流来将所述基板暴露于所述氧化剂；以及从所述处理腔室净化所述氧化剂。
硅基介电膜沉积

[发明专利]无成核的间隙填充ALD工艺-CN201780077670.5有效
发明人：陈一宏;凯尔文·陈;卢欣亮;斯里尼瓦·甘迪科塔;吴勇;苏米特·辛格·罗伊;基亚·成·蔡 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：处理方法包括通过以下步骤来形成包含钨或钼的间隙填充层：将具有至少一个特征在其上的基板表面依次地暴露于金属前驱物和包含氢的还原剂以在所述特征中形成所述间隙填充层，其中在所述基板表面与所述间隙填充层之间不存在成核层。
成核间隙填充 ald 工艺

[发明专利]用于环绕式栅极FET架构的临界电压调制-CN202180087088.3在审
发明人：史蒂文·C·H·洪;本杰明·科伦坡;金明宣;斯里尼瓦·甘迪科塔;杨逸雄;杰奎琳·S·阮奇;杨勇 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种形成栅极堆叠结构的方法包括在形成在基板上的半导体结构上的高κ栅极介电层上形成偶极金属层，退火偶极金属层，和移除偶极金属层。偶极金属层包括在高κ栅极介电层中的掺杂剂。
用于环绕栅极 fet 架构临界电压调制

[发明专利]降低字线电阻的方法-CN201880029923.6有效
发明人：陈一宏;巫勇;秦嘉政;吕新亮;斯里尼瓦·甘迪科塔;段子青;阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：用于形成3D‑NAND器件的方法包括使多晶Si层凹陷到间隔的氧化物层下方的某一深度。在所述间隔的氧化物层上而不是在凹陷的多晶Si层上形成衬垫。在所述衬垫上的间隙中沉积金属层以形成字线。
降低电阻方法

[发明专利]无阻挡层的钨沉积-CN201880092720.1在审
发明人：陈一宏;巫勇;秦嘉政;斯里尼瓦·甘迪科塔;凯尔文·陈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：公开了在不使用阻挡层的情况下沉积金属膜的方法。一些实施方式包含形成包含硅或硼中的一或多种的非晶成核层，和在所述成核层上形成金属层。
阻挡沉积

[发明专利]形成金属硫系化物柱体的方法-CN201980014978.4在审
发明人：阿米里塔·B·穆利克;斯里尼瓦·甘迪科塔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：兹描述产生自对准结构的方法，所述自对准结构包含金属硫系化物。某些方法包含以下步骤：于基板特征中形成含金属膜，并将含金属膜暴露于硫系前驱物，以形成包含金属硫系化物的自对准结构。某些方法包含以下步骤：于基板特征中形成含金属膜；使含金属膜膨胀，以形成柱体；和将柱体暴露于硫系前驱物，以形成包含金属硫系化物的自对准结构。某些方法包含以下步骤：在基板特征中直接形成金属硫系化物柱体，以形成包含金属硫系化物的自对准结构。亦描述形成自对准通孔的方法。
形成金属硫系化物柱体方法

[发明专利]用于自对准图案化的方法-CN201780069211.2在审
发明人：段子青;陈一宏;阿卜希吉特·巴苏·马尔利克;斯里尼瓦·甘迪科塔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：处理方法包括在基板表面上和在表面特征中沉积膜，通过化学平面化从所述基板表面移除所述膜，而留下在所述特征中的所述膜。使柱从所述膜生长，使得所述柱垂直于基板表面生长。
基板表面化学平面化表面特征沉积膜膜生长图案化自对准移除垂直生长

[发明专利]用于图案化的膜的沉积与处理-CN201780067193.4在审
发明人：阿达西·巴苏;阿卜希吉特·巴苏·马尔利克;段子青;斯里尼瓦·甘迪科塔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述包含下列步骤的方法：沉积膜材料，以在基板表面中的沟槽中形成初始膜。处理所述膜，以使所述膜膨胀，使所述膜生长超过基板表面。
基板表面沉积膜膜生长图案化沉积膨胀

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